隨著電動汽車、5G/6G通信、射頻和人工智能應用等領域的需求日益強勁，化合物半導體市場持續(xù)增長。近期，國內化合物半導體設備領域喜訊頻傳，包括盛美上海推出新設備、先為科技設備發(fā)貨等，展現(xiàn)出國產設備正加速突圍的勢頭。

盛美上海

9月18日，盛美上海官微宣布，推出首款專為寬禁帶化合物半導體制造而設計的Ultra ECDP電化學去鍍設備。

圖片來源：盛美上海

據(jù)介紹，該新設備專為在晶圓圖形區(qū)域外進行電化學晶圓級金（Au）蝕刻而設計，可實現(xiàn)更高的均勻性、更小的側蝕和增強的金線外觀。

Ultra ECDP設備提供專業(yè)化工藝，包括金凸塊去除、薄膜金蝕刻及深孔金去鍍，并配備集成的預濕和清洗腔體。其具備精確的化學液循環(huán)和先進的多陽極電化學去鍍技術，該系統(tǒng)實現(xiàn)了最小化的側向蝕刻、優(yōu)異的表面光潔度以及所有圖形特征的卓越均勻性。

Ultra ECDP專為滿足化合物半導體制造不斷發(fā)展的要求而設計，可適應不同襯底（包括碳化硅（SiC）、砷化鎵（GaAs）和磷酸鋰（Li?PO?））等的獨特物理特性-如重量、應力和厚度。采用模塊化設計的Ultra ECDP具有靈活性，可在單一平臺內集成電鍍和去鍍工藝，并利用多陽極技術控制不同區(qū)域的去鍍過程。此外，Ultra ECDP還提供水平全表面去鍍方式，以防止加工過程中的交叉污染。

先為科技

同日，先為科技官微宣布，無錫先為科技有限公司自主研發(fā)的EliteMO系列常壓型GaN MOCVD設備于9月17日正式發(fā)貨，交付國內某頭部化合物半導體晶圓廠。

圖片來源：先為科技

據(jù)了解，EliteMO系列金屬有機化學氣相沉積外延設備，具備廣泛的應用覆蓋與領先的工藝性能，適用于GaN LD、綠光到紫外LED、GaN電子器件、GaN基新結構材料、Ga?O?外延及AIN外延生長。該設備可實現(xiàn)多區(qū)電阻加熱，具備優(yōu)異的溫度均勻性，可提供多元多組分、n/p型等多種材料外延生長解決方案，賦能先進材料的外延研發(fā)與制造。

此前6月16日，先為科技交付了BrillMO系列GaN MOCVD設備，據(jù)介紹，該設備各項性能均達到行業(yè)領先水平，在設計上獨具匠心，運用特有的溫場和流場設計，不僅能實現(xiàn)高質量的成膜效果，為功率芯片、射頻芯片、Micro LED芯片的GaN外延制造提供堅實保障，而且在產能上表現(xiàn)卓越，能夠大幅提升生產效率，同時有效降低了使用成本，為客戶提供優(yōu)異的GaN外延加工解決方案。

北方華創(chuàng)

作為國內化合物外延設備頭部企業(yè)，北方華創(chuàng)于7月宣布兩款自主研發(fā)的MOCVD（金屬有機物化學氣相沉積）外延設備（型號：Satur N800/ Satur V700）順利通過行業(yè)龍頭客戶驗收，并獲得批量重復訂單。

公開資料顯示，MOCVD設備是一種利用金屬有機化合物進行金屬輸送的氣相外延生長設備。它需要在原子尺度上實現(xiàn)復雜材料的納米精度控制、量子級界面控制。此外，還需具備高真空環(huán)境和高精度溫控系統(tǒng)，以確保材料的純度和生長的穩(wěn)定性。

圖片來源：北方華創(chuàng)

其中，Satur N800面向8英寸硅基氮化鎵功率器件的特殊需求設計，具備大面積均勻溫度場、大范圍穩(wěn)定可調氣流場，以及多片式（Batch）大產能和自動化配置，能夠滿足化合物半導體先進器件對外延層組分、厚度和摻雜均勻性的高要求。Satur V700成功突破了氣流場、溫度場、副產物控制等關鍵技術，具備高均勻性、大產能、低成本等優(yōu)勢。該設備不僅能夠滿足Micro LED行業(yè)的痛點需求，還可廣泛應用于射頻、光電子等領域。

結語

隨著先為科技、盛美上海、北方華創(chuàng)等企業(yè)在關鍵設備領域的突破，國產化合物半導體設備正逐步形成完整產業(yè)鏈。從材料生長到芯片制造，從工藝設備到支持設備，國內企業(yè)正在各個環(huán)節(jié)實現(xiàn)技術突破和產業(yè)化應用。

國際廠商如德國Aixtron、美國Veeco等仍在高端設備市場占據(jù)主導地位，但國內企業(yè)通過差異化創(chuàng)新和本地化服務優(yōu)勢，正在逐步擴大市場份額。未來，隨著技術積累的加深和市場應用的拓展，國產化合物半導體設備有望在全球市場占據(jù)更重要地位。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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