圖片來源：芯聯(lián)集成官微稿件截圖

01、設(shè)立基金，深度綁定供應(yīng)鏈

2025年12月2日，#芯聯(lián)集成 聯(lián)合多家國資正式成立芯聯(lián)紹興集成電路產(chǎn)業(yè)基金，并由芯聯(lián)資本擔(dān)任管理人，推動(dòng)“以投促產(chǎn)”模式落地?；顒?dòng)當(dāng)日，該基金迅速完成首批項(xiàng)目簽約，分別引入維科精密與富樂德兩家核心供應(yīng)商。

其中，與維科精密的合作聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)配套精密零部件及自動(dòng)化生產(chǎn)；與富樂德的合作則圍繞半導(dǎo)體功率模塊材料研發(fā)及制造展開。兩大項(xiàng)目的成功簽約，標(biāo)志著芯聯(lián)集成“以投促產(chǎn)、以投促鏈”模式取得實(shí)質(zhì)性突破，將進(jìn)一步促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈升級與協(xié)同創(chuàng)新。

02、業(yè)績減虧，45億加碼擴(kuò)產(chǎn)

根據(jù)芯聯(lián)集成發(fā)布的2025年三季度報(bào)告，公司業(yè)績呈現(xiàn)出營收增長與虧損收窄并行的趨勢。前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入54.22億元，同比增長19.23%；歸母凈利潤為-4.63億元，同比減虧2.21億元。

圖片來源：芯聯(lián)集成

基于當(dāng)前的訂單交付情況與市場需求，公司預(yù)計(jì)2025年全年收入將達(dá)到80至83億元，虧損額度有望進(jìn)一步收窄。市場機(jī)構(gòu)普遍預(yù)測，隨著營收規(guī)模效應(yīng)的釋放及折舊攤銷壓力的相對減輕，公司有望在2026年實(shí)現(xiàn)年度扭虧為盈。

為支撐未來的業(yè)務(wù)增長及滿足市場需求，公司制定了較為積極的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。芯聯(lián)集成2025年的資本開支預(yù)算定為45億元，這筆資金將主要用于三個(gè)核心方向：一是建設(shè)二期8英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)線，以應(yīng)對新能源汽車及工業(yè)領(lǐng)域的高壓需求；二是擴(kuò)建TSV封裝線，滿足高端MEMS及先進(jìn)封裝訂單；三是增加12英寸數(shù)模混合產(chǎn)能。這些投入旨在進(jìn)一步提升高端產(chǎn)品的制造能力，確保在車載功率模組及高端模擬芯片領(lǐng)域的市場份額持續(xù)提升。

03、技術(shù)迭代升級，拓展AI數(shù)據(jù)中心等增量市場

在技術(shù)與市場拓展方面，芯聯(lián)集成近期發(fā)布了碳化硅（SiC）G2.0技術(shù)平臺(tái)，標(biāo)志著其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)能力邁上新臺(tái)階。新一代平臺(tái)在器件結(jié)構(gòu)與工藝制程上進(jìn)行了全面優(yōu)化，核心指標(biāo)如開關(guān)損耗較上一代顯著降低，具備更高效率、更高功率密度及更高可靠性。技術(shù)性能的提升不僅鞏固了公司在新能源汽車主驅(qū)市場的競爭力，更為其進(jìn)入對能效要求極為嚴(yán)苛的新興領(lǐng)域提供了技術(shù)支撐。

目前，芯聯(lián)集成的市場戰(zhàn)略已從單一的車載領(lǐng)域向多元化應(yīng)用場景延伸。隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，AI數(shù)據(jù)中心對電源系統(tǒng)的能效提出了更高要求，碳化硅憑借其優(yōu)異的物理特性成為解決高算力能耗問題的關(guān)鍵方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來源：遼寧省人民政府網(wǎng)

其中，備受關(guān)注的“半導(dǎo)體碳化硅零部件生產(chǎn)線”是遼寧漢京歷時(shí)三年自主研發(fā)的成果。該產(chǎn)線成功突破了大尺寸碳化硅構(gòu)件高溫?zé)Y(jié)、精密加工以及表面純化處理等一系列核心工藝難題。它具備年產(chǎn)5萬件高純碳化硅零部件的能力，產(chǎn)品將直接配套國內(nèi)的碳化硅晶圓廠、襯底廠和外延廠，有效打破了相關(guān)產(chǎn)品長期依賴進(jìn)口的局面。

市場對這條新產(chǎn)線的反應(yīng)較為熱烈，漢京半導(dǎo)體方面透露，剛投產(chǎn)即獲得了國內(nèi)頭部企業(yè)的批量訂單，“明年訂單已經(jīng)全排滿了！”預(yù)計(jì)到2026年，僅碳化硅零部件產(chǎn)線的銷售額就有望突破10億元。

同步投產(chǎn)的“10nm級極高純石英生產(chǎn)線”則瞄準(zhǔn)了集成電路制造中對材料純度的嚴(yán)苛要求。該產(chǎn)線采用了自主創(chuàng)新的“等離子體提純+高溫氯化”技術(shù)路線，能夠?qū)⑹⑸爸械慕饘匐s質(zhì)含量降至10ppb以下，達(dá)到了國際領(lǐng)先水平。

這一純度標(biāo)準(zhǔn)足以滿足7nm甚至以下先進(jìn)制程對石英材料的需求，例如半導(dǎo)體級石英管和石英舟等。這條產(chǎn)線的投產(chǎn)，有效解決了國內(nèi)先進(jìn)半導(dǎo)體制造材料長期依賴進(jìn)口的難題，為國內(nèi)晶圓廠的供應(yīng)鏈安全提供了有力保障。

漢京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地位于沈陽經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)，項(xiàng)目總投資約10億元，占地近9.5萬平方米，是漢京半導(dǎo)體在沈陽建設(shè)的核心產(chǎn)業(yè)基地。依托企業(yè)在碳化硅陶瓷精密加工和高純度石英成型等方面的技術(shù)積累，該工廠達(dá)產(chǎn)后將使?jié)h京里達(dá)工廠設(shè)計(jì)產(chǎn)能超過12億元。

沈陽經(jīng)開區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，地方政府將以漢京項(xiàng)目為龍頭，積極打造“第三代半導(dǎo)體零部件+材料”的特色產(chǎn)業(yè)集群。未來三年內(nèi)，經(jīng)開區(qū)計(jì)劃引進(jìn)超過20家上下游配套企業(yè)，最終形成百億級的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，全力助力沈陽打造成為具有重要影響力的“北方半導(dǎo)體之都”。

公開資料顯示，漢京半導(dǎo)體成立于2022年6月，是國內(nèi)碳化硅耗材生產(chǎn)商、國內(nèi)石英制品產(chǎn)業(yè)的頭部供應(yīng)商，主要產(chǎn)品包含石英管、石英舟、石英環(huán)、碳化硅陶瓷舟、碳化硅陶瓷管、碳化硅陶瓷保溫筒等。

2025年8月13日，正帆科技正式與漢京半導(dǎo)體5名股東簽署《股份轉(zhuǎn)讓協(xié)議》，以11.21億元現(xiàn)金收購其62.23%股權(quán)，漢京半導(dǎo)體由此成為正帆科技控股子公司。最新消息顯示，2025年9月工商變更已完成，正帆科技正式成為漢京半導(dǎo)體的大股東。

正帆科技成立于2009年，主營業(yè)務(wù)聚焦于為泛半導(dǎo)體、生物制藥、光纖通信等高科技產(chǎn)業(yè)提供工藝介質(zhì)供應(yīng)系統(tǒng)、高純特種氣體及潔凈室配套服務(wù)，形成 “設(shè)備+材料+服務(wù)” 三位一體的綜合解決方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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資料顯示，Quantum Brilliance是2019年從澳大利亞國立大學(xué)的鉆石量子科學(xué)研究領(lǐng)域分拆成立，由該校物理研究學(xué)院的安德魯?霍斯利博士、馬庫斯?多赫蒂博士等聯(lián)合創(chuàng)立。該公司是全球金剛石量子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，專注于室溫量子器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

Quantum Brilliance表示，該工廠的使命是通過大規(guī)模供應(yīng)高性能量子金剛石，并加速金剛石量子器件的設(shè)計(jì)和制造，來釋放金剛石基量子技術(shù)的潛力。該工廠建立在Quantum Brilliance在交付量子硬件方面久經(jīng)考驗(yàn)的記錄之上，包括部署到歐洲、美國和澳大利亞超級計(jì)算設(shè)施的室溫量子加速器。

此外，該工廠核心投資方包括澳大利亞國家重建基金和維多利亞突破基金。其中維多利亞突破基金早在2023年就已向Quantum Brilliance投入800萬美元，后續(xù)又追加投資，還通過維多利亞州的產(chǎn)業(yè)研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施基金助力企業(yè)提升研發(fā)能力。

Quantum Brilliance聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席技術(shù)官馬庫斯?多爾蒂博士強(qiáng)調(diào)，這一里程碑事件的核心意義，是將量子技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室推向可制造、可運(yùn)輸?shù)纳虡I(yè)化產(chǎn)品階段。此前量子級金剛石的生產(chǎn)多停留在實(shí)驗(yàn)室小批量制備層面，該晶圓廠的量產(chǎn)能力，將為全球量子器件廠商提供穩(wěn)定供應(yīng)，加速量子技術(shù)在更多行業(yè)的落地應(yīng)用。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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AI運(yùn)算從訓(xùn)練到推理的數(shù)據(jù)量與存儲(chǔ)器帶寬需求呈爆炸性成長，導(dǎo)致傳輸速度與能耗瓶頸浮上臺(tái)面。未來將如何解決AI運(yùn)算對存儲(chǔ)器帶寬與數(shù)據(jù)傳輸速率的限制？次世代AI架構(gòu)的核心突破口是什么？

晶圓代工領(lǐng)域，隨著2nm進(jìn)入量產(chǎn)，在先進(jìn)制程商業(yè)競逐中，將不再是單一技術(shù)的較量，而是多維度的系統(tǒng)性挑戰(zhàn)。當(dāng)TSMC、Intel、Samsung等巨頭，以各自的尖端封裝方案（如CoWoS, EMIB, I-Cube）競逐未來制高點(diǎn)時(shí)，真正的決勝因素，遠(yuǎn)比你想象的更復(fù)雜。

人形機(jī)器人從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化，預(yù)計(jì)2026年出貨量將呈爆發(fā)式增長，成為智能制造與服務(wù)場景的“新物種”。它將會(huì)是下一個(gè)顛覆全球勞動(dòng)力市場的“iPhone時(shí)刻”嗎？

當(dāng)然，全球科技產(chǎn)業(yè)未來變革不止于此，在AI等技術(shù)的賦能下，不僅重塑了現(xiàn)有的產(chǎn)業(yè)格局，更催生全新的可能性。懸念與機(jī)遇并存，挑戰(zhàn)與突破同在，更多前沿領(lǐng)域正蓄勢待發(fā)。

為全面洞察2026年科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，TrendForce集邦咨詢將于2025年11月27日在深圳鵬瑞萊佛士酒店隆重舉辦“2026十大科技市場趨勢預(yù)測發(fā)布暨TechFuture Awards頒獎(jiǎng)典禮”，正式揭曉十大關(guān)鍵領(lǐng)域預(yù)測內(nèi)容，將揭示這些關(guān)鍵領(lǐng)域背后的深層邏輯、競爭格局的微妙變化，以及那些尚未被市場充分認(rèn)識的“隱形機(jī)遇”，為行業(yè)提供前瞻性戰(zhàn)略指引。

本次活動(dòng)將以“智領(lǐng)未來·驅(qū)動(dòng)變革”為主題，TrendForce集邦咨詢依托半導(dǎo)體、顯示器、光電、新能源、新興科技與應(yīng)用五大研究中心，深耕科技產(chǎn)業(yè)研究25年。此次發(fā)布的“2026十大科技市場趨勢預(yù)測”，將聚焦晶圓代工、HBM、NAND Flash、AI服務(wù)器、第三代半導(dǎo)體、儲(chǔ)能、顯示面板、近眼顯示、人形機(jī)器人、自動(dòng)駕駛等十大核心賽道，將探討產(chǎn)業(yè)趨勢熱點(diǎn)、技術(shù)革新以及AI與數(shù)據(jù)技術(shù)的深度融合，引領(lǐng)現(xiàn)場觀眾共同探索未來業(yè)務(wù)模式的創(chuàng)新轉(zhuǎn)型路徑，助力產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展與高質(zhì)量升級。

與此同時(shí)，基于“2026十大科技市場趨勢預(yù)測”的研究，TrendForce集邦咨詢將頒發(fā)TechFuture Awards獎(jiǎng)項(xiàng)。

TechFuture，寓意“科技x未來”的交匯，是TrendForce集邦咨詢在深度研判產(chǎn)業(yè)發(fā)展脈絡(luò)的基礎(chǔ)上，傾力打造的年度高光評選品牌。此次頒獎(jiǎng)典禮以科技產(chǎn)業(yè)2025年全年發(fā)展總結(jié)及2026年市場趨勢預(yù)測為藍(lán)本，將圍繞十大關(guān)鍵領(lǐng)域，遴選出在技術(shù)創(chuàng)新、商業(yè)落地、市場推動(dòng)、生態(tài)構(gòu)建等維度表現(xiàn)杰出的企業(yè)與團(tuán)隊(duì)，授予年度成就獎(jiǎng)項(xiàng)，以彰顯其在未來科技變革中舉足輕重的地位。

科技變革的浪潮洶涌澎湃，悄然孕育著顛覆性的創(chuàng)新力量，勾勒出未來產(chǎn)業(yè)的嶄新藍(lán)圖。TrendForce集邦咨詢“2026十大科技市場趨勢預(yù)測發(fā)布暨TechFuture Awards頒獎(jiǎng)典禮”，不僅是對當(dāng)下科技熱點(diǎn)的深度剖析，更是對未來科技趨勢的前瞻指引。

往年回顧圖片

讓我們共同期待這場科技盛宴，見證十大科技領(lǐng)域在2026年充分釋放潛力，綻放出耀眼光芒，有力引領(lǐng)我們穩(wěn)步邁向一個(gè)更加智能、高效、創(chuàng)新的未來格局。

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晶能秀洲基地提前投產(chǎn)，首顆SiC功率模塊順利下線

近日，浙江晶能微電子有限公司（以下簡稱“晶能”）秀洲基地（一期）提前完成主體建設(shè)并正式投產(chǎn)，首顆SiC功率模塊同步順利下線。

該基地位于嘉興國家高新區(qū)，占地95.4畝，于2024年2月5日正式動(dòng)工，是晶能繼余杭、溫嶺之后的第三座專業(yè)化生產(chǎn)基地，一期產(chǎn)線規(guī)劃年產(chǎn)能達(dá)60萬套車規(guī)級功率模塊。

圖片來源：晶能

據(jù)悉，該產(chǎn)線創(chuàng)新采用先進(jìn)的“島式自動(dòng)化”布局，在實(shí)現(xiàn)高效自動(dòng)化生產(chǎn)的同時(shí)，具備良好的柔性切換能力，可快速響應(yīng)多品類產(chǎn)品制造需求。基地建設(shè)過程中，晶能貫徹“邊建設(shè)、邊生產(chǎn)”策略，通過多區(qū)域協(xié)同推進(jìn)、分批次投產(chǎn)的方式，有效壓縮建設(shè)與生產(chǎn)銜接周期，為項(xiàng)目提前投產(chǎn)提供了關(guān)鍵保障。

目前，晶能已獲得多家行業(yè)客戶的項(xiàng)目定點(diǎn)并持續(xù)大規(guī)模交付，市場份額逐漸增長。秀洲基地將持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能爬坡，致力于成長為高性能車規(guī)級功率模塊的核心制造與研發(fā)平臺(tái)。

公開資料顯示，晶能成立于2022年6月，是吉利科技集團(tuán)功率與AI半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平臺(tái)。依托集團(tuán)全球化產(chǎn)業(yè)資源，公司已構(gòu)建起行業(yè)領(lǐng)先的研發(fā)與制造體系，規(guī)?；?wù)電動(dòng)汽車、可持續(xù)能源及AI 基礎(chǔ)設(shè)施等核心產(chǎn)業(yè)鏈。

昕感科技集團(tuán)無錫昕致測試應(yīng)用中心正式啟動(dòng)

10月29日，昕感科技集團(tuán)子公司無錫昕致在江蘇無錫隆重舉辦“測試應(yīng)用中心啟動(dòng)儀式”。

據(jù)了解，昕感科技測試應(yīng)用中心（NTAC）致力于打造集產(chǎn)品測試、應(yīng)用驗(yàn)證、技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)協(xié)作于一體的高水平平臺(tái)，為昕感科技及產(chǎn)業(yè)鏈合作伙伴提供全面的技術(shù)支持。

據(jù)悉，昕感科技提供包括HPD、MiniHPD、ED3、Embedded、SSC以及62mm等多種封裝形式的模塊產(chǎn)品。這些模塊產(chǎn)品對標(biāo)國際主流封裝形式，并可根據(jù)客戶需求提供定制化服務(wù)。

近期，昕感科技全新推出的高性能HPD碳化硅模塊與MiniHPD碳化硅模塊全面符合AQG-324車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，適配800-950V高壓平臺(tái)，適用于純電動(dòng)汽車 (BEV) 及混合動(dòng)力汽車 (HEV) 主驅(qū)逆變器，具有卓越性能與行業(yè)領(lǐng)先的可靠性。

目前，昕感科技集團(tuán)通過構(gòu)建“北京中樞、多地協(xié)同”的產(chǎn)業(yè)網(wǎng)絡(luò)，完成了從功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新到產(chǎn)品落地的全產(chǎn)業(yè)鏈布局。其中，無錫測試應(yīng)用中心（NTAC）與上海、深圳的研發(fā)中心以及江陰的晶圓制造基地高效協(xié)同，共同確保了從高性能功率器件/模塊研發(fā)設(shè)計(jì)、晶圓制造到測試應(yīng)用的全流程自主可控，從而為客戶提供優(yōu)質(zhì)、即時(shí)、穩(wěn)定的產(chǎn)品服務(wù)。

圖片來源：昕感科技

另外，值得一提的是，在昕感科技測試應(yīng)用中心（NTAC）正式啟動(dòng)的同時(shí)，南京理工大學(xué)與昕感科技的“功率半導(dǎo)體聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”也正式揭牌。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Emma 整理）

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晶盛機(jī)電指出，公司積極布局碳化硅產(chǎn)能，在上虞布局年產(chǎn)30萬片碳化硅襯底項(xiàng)目；并基于全球碳化硅產(chǎn)業(yè)的良好發(fā)展前景和廣闊市場，在馬來西亞檳城投建8英寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，進(jìn)一步強(qiáng)化公司在全球市場的供應(yīng)能力；同時(shí)，在銀川投建年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片配套晶體項(xiàng)目，不斷強(qiáng)化公司在碳化硅襯底材料領(lǐng)域的技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢。

同時(shí)，晶盛機(jī)電介紹，子公司#浙江晶瑞SuperSiC 12英寸碳化硅襯底中試線，覆蓋了晶體加工，切割，減薄，倒角，研磨，拋光，清洗，檢測的全流程工藝，所有環(huán)節(jié)均采用國產(chǎn)設(shè)備與自主技術(shù)，高精密減薄機(jī)、倒角機(jī)、雙面精密研磨機(jī)等核心加工設(shè)備更是由公司歷時(shí)多年自研攻關(guān)完成，性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。

圖片來源：晶盛機(jī)電

隨著該中試線正式銅線，晶盛機(jī)電正式形成了12英寸SiC襯底從裝備到材料的完整閉環(huán)，徹底解決了關(guān)鍵裝備“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)，為下游產(chǎn)業(yè)提供了成本與效率的新基準(zhǔn)。

半導(dǎo)體裝備訂單方面，晶盛機(jī)電表示受益于半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)發(fā)展及國產(chǎn)化進(jìn)程加快，公司半導(dǎo)體業(yè)務(wù)持續(xù)發(fā)展，截至2025年6月30日，公司未完成集成電路及化合物半導(dǎo)體裝備合同超37億元（含稅）。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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據(jù)了解，在Ga2O3功率器件方面，研究團(tuán)隊(duì)通過在Al2O3/β-Ga2O3界面進(jìn)行原子氮處理，將垂直溝槽型β-Ga2O3金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)肖特基勢壘二極管(SBD)的擊穿電壓從832V提升至1200V，同時(shí)保持了0.9V的低開啟電壓和12.1mΩ·cm2的低比導(dǎo)通電阻。

同時(shí)，研究團(tuán)隊(duì)通過原子層沉積(ALD)技術(shù)在β-Ga2O3表面生長AlN薄膜，成功在金半界面處引入了AlN勢壘層，顯著提升了器件性能。所制備的平面型β-Ga2O3 SBD實(shí)現(xiàn)了低至0.1μA/cm2的超低泄漏電流，其擊穿電壓從208V大幅提升至890V，同時(shí)仍保持較低的開啟電壓和較低的導(dǎo)通電阻。

圖片來源：廈大電子人 圖為溝槽型β-Ga2O3 SBD結(jié)構(gòu)和性能

圖片來源：廈大電子人 圖為平面型β-Ga2O3 SBD結(jié)構(gòu)、性能和能帶示意圖

此外，研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)并研制了新型Ga2O3基pn異質(zhì)結(jié)二極管(HJD)，引入新型p型材料CuCrO2形成pn異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。所制備的CuCrO2/Ga2O3 pn異質(zhì)結(jié)二極管的擊穿電壓高達(dá)1.46kV，漏電流低至10-5A/cm2，其性能比傳統(tǒng)的β-Ga2O3 SBD提高了近四倍。同時(shí)，HJD的導(dǎo)通電壓為1.62V，導(dǎo)通電阻為5.36mΩ?cm2。

圖片來源：廈大電子人 圖為CuCrO2/β-Ga2O3 pn異質(zhì)結(jié)二極管結(jié)構(gòu)、性能和能帶示意圖

在Ga2O3日盲光電探測器方面，研究團(tuán)隊(duì)制備了含有Al納米顆粒的自供電日盲CuCrO2/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)光電探測器。該探測器具有3.67 pA的低暗電流、2×106的高光暗電流比、0.82A/W的高響應(yīng)度、8.09×1013Jones的高探測率、402.8%的高外量子效率和30/19ms的快響應(yīng)時(shí)間，其性能優(yōu)于大多數(shù)已報(bào)道的β-Ga2O3基異質(zhì)結(jié)光電探測器。

同時(shí)，研究團(tuán)隊(duì)制備了納米Pt/非晶Ga2O3/晶態(tài)CuCrO2異質(zhì)結(jié)構(gòu)自供電日盲光電探測器，該探測器具有3.91×106的高光暗電流比、3.57A/W的高響應(yīng)度、2.56×1014Jones的高探測率和1748.4%的高外量子效率，性能超越了大多數(shù)已報(bào)道的Ga2O3基異質(zhì)結(jié)構(gòu)自供電日盲光電探測器。

圖片來源：廈大電子人 圖為含有Al納米顆粒的CuCrO2/β-Ga2O3異質(zhì)結(jié)光電探測器結(jié)構(gòu)和性能

圖片來源：廈大電子人 圖為納米Pt/非晶Ga2O3/晶態(tài)CuCrO2異質(zhì)結(jié)構(gòu)光電探測器結(jié)構(gòu)、性能和能帶示意圖

此外，研究團(tuán)隊(duì)通過基于PDMS的干法轉(zhuǎn)移技術(shù)，將機(jī)械剝離的β-Ga2O3單晶材料轉(zhuǎn)移至Si/SiO2襯底上，制備了具有金屬-半導(dǎo)體-金屬(MSM)結(jié)構(gòu)的日盲光電探測器。器件在不同溫度條件下進(jìn)行氧氣退火處理后，發(fā)現(xiàn)其在400℃退火條件下展現(xiàn)出的性能優(yōu)于同類型β-Ga2O3結(jié)構(gòu)器件，該器件具有高響應(yīng)度(96.40A/W)和高增益(760.58)特性。（文章來源：廈大電子人）

圖片來源：廈大電子人 圖為β-Ga2O3 MSM日盲光電探測器在不同溫度氧氣氛圍中退火后的光響應(yīng)性能變化及其物理機(jī)制分析

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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精測電子介紹，該系統(tǒng)通過模擬實(shí)際應(yīng)用開關(guān)條件的高溫動(dòng)態(tài)高頻交流場景，以大容量、高性能測試（寬電壓、高頻、高dv/dt），精準(zhǔn)捕捉柵氧缺陷、界面態(tài)劣化、材料本征缺陷等引發(fā)的早期失效風(fēng)險(xiǎn)，實(shí)現(xiàn)器件可靠性的高效評估與篩選，有效提升器件良率與長期穩(wěn)定性。可廣泛應(yīng)用于可靠性實(shí)驗(yàn)室研發(fā)驗(yàn)證、產(chǎn)線量產(chǎn)質(zhì)量控制，助力客戶實(shí)現(xiàn) “早發(fā)現(xiàn)、高效率、高性價(jià)比” 的可靠量產(chǎn)。

圖片來源：精測電子

憑借其高耐壓、耐高溫、高頻切換及低功耗等核心優(yōu)勢，碳化硅、氮化鎵正加速替代傳統(tǒng)硅器件，成為下一代電力電子系統(tǒng)的關(guān)鍵基石，應(yīng)用呈爆發(fā)式增長。

與此同時(shí)，這些特性也對SiC功率器件的可靠性驗(yàn)證與特性測試提出更為嚴(yán)苛的要求，尤其在車規(guī)級等高端應(yīng)用領(lǐng)域，作為核心評估工具，動(dòng)態(tài)可靠性測試不僅提供關(guān)鍵動(dòng)態(tài)參數(shù)，還通過模擬實(shí)際工況揭示器件的潛在風(fēng)險(xiǎn)與優(yōu)化方向。

此前，由歐洲電力電子中心（ECPE）主導(dǎo)制定的新版AQG324車用模塊可靠性標(biāo)準(zhǔn)正式實(shí)施，將QL-08至QL-11動(dòng)態(tài)可靠性測試納入強(qiáng)制性認(rèn)證要求，標(biāo)志著動(dòng)態(tài)可靠性測試已成為SiC功率器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程中的 “必答題”。

精測電子聚焦第三代功率半導(dǎo)體測試需求，自主研發(fā)推出JHP560系列第三代功率半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)可靠性測試系統(tǒng)，助力客戶實(shí)現(xiàn)可靠量產(chǎn)。未來，精測電子將持續(xù)為客戶提供更高效、穩(wěn)定、可擴(kuò)展的SiC功率器件測試解決方案，助力中國SiC產(chǎn)業(yè)鏈跨越“可靠性鴻溝”，為新能源汽車與人工智能等戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)升級注入力量。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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會(huì)上信息顯示，近年株洲全力推動(dòng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁上高質(zhì)量發(fā)展的新臺(tái)階，已集聚上下游知名企業(yè)220多家，擁有以中國工程院院士丁榮軍領(lǐng)銜，包括10余名國家“千人計(jì)劃”、30余名“萬人計(jì)劃”專家、300余名教授級高級工程師、3700余名博士、碩士組成的頂級創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)，全國唯一的功率半導(dǎo)體與集成技術(shù)全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室等11個(gè)國家級創(chuàng)新平臺(tái)，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)595億元。

此外，今年9月，株洲市石峰區(qū)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群成功獲評國家級中小企業(yè)特色產(chǎn)業(yè)集群。

功率半導(dǎo)體行業(yè)聯(lián)盟自2014年成立以來，會(huì)員單位從最初的25家，發(fā)展到現(xiàn)在的近130家，涵蓋了功率半導(dǎo)體材料、裝備、芯片、封測、應(yīng)用等全產(chǎn)業(yè)鏈。

資料顯示，株洲功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的代表公司以株洲中車時(shí)代半導(dǎo)體股份有限公司為核心，該企業(yè)作為中車集團(tuán)旗下高新技術(shù)企業(yè)，在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢和市場地位，是國內(nèi)少數(shù)掌握IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、SiC（碳化硅）器件、晶閘管、IGCT（集成門極換流晶閘管）等全電壓等級技術(shù)的企業(yè)。

此外，株洲功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還涌現(xiàn)出一批特色企業(yè)，比如湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司，由中車時(shí)代電氣聯(lián)合長安汽車、南方電網(wǎng)等8家企業(yè)合資成立，注冊資金5億元，專注于功率半導(dǎo)體檢測、技術(shù)成果轉(zhuǎn)化；以及湖南順為功率半導(dǎo)體有限公司，成立于2022年，定位科技型中小企業(yè)，業(yè)務(wù)涵蓋集成電路設(shè)計(jì)、電子元器件制造等領(lǐng)域，雖規(guī)模較小但具備快速成長潛力。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來源：前海產(chǎn)發(fā)集團(tuán)

這一舉措成為夢工場與企業(yè)深度共建、協(xié)同賦能前?？苿?chuàng)生態(tài)的核心亮點(diǎn)，也為深港半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展注入新動(dòng)能。

前海深港青年夢工場是深圳市前海管理局打造的面向香港青年、香港企業(yè)、具有國際影響力的新質(zhì)生產(chǎn)力創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)平臺(tái)，由前海管理局、香港青年協(xié)會(huì)、深圳市青年聯(lián)合會(huì)共同發(fā)起成立2014年12月7日正式運(yùn)營。

資料顯示，大乙半導(dǎo)體科技有限公司由全球知名材料科學(xué)家、香港大學(xué)機(jī)械工程系主任黃明欣教授（香港工程院院士、長江學(xué)者、國家杰青、科學(xué)探索獎(jiǎng)得主）帶領(lǐng)科研團(tuán)隊(duì)發(fā)起。

據(jù)了解，大乙半導(dǎo)體成功開發(fā)出全球獨(dú)有的固態(tài)銅燒結(jié)技術(shù)，破解了新能源領(lǐng)域特別是電動(dòng)車長里程、高壓快充帶來的大功率半導(dǎo)體熱管理難題。

這一突破性技術(shù)讓大乙成為全球少數(shù)在芯片頂部覆蓋超薄銅領(lǐng)域具備自主技術(shù)能力的企業(yè)，其產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、AI服務(wù)器、風(fēng)光儲(chǔ)、低空經(jīng)濟(jì)、機(jī)器人等多元場景，為高功率設(shè)備提供可靠散熱支持，也為雙方共建的創(chuàng)新服務(wù)中心積累了核心技術(shù)資源。

深圳：打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高地

從2019年起，深圳開始集中發(fā)力培育第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目前實(shí)現(xiàn)了從材料、設(shè)備、器件到應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室作為國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)的運(yùn)營主體，在第三代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)方面取得了多項(xiàng)突破。

在襯底加工工藝上，率先實(shí)現(xiàn)碳化硅激光剝離技術(shù)和效率突破，實(shí)現(xiàn)8吋單片總損耗＜75um，切割時(shí)間≤20min，成本降低26%，整體性能達(dá)到國際領(lǐng)先水平。在碳化硅外延技術(shù)方面，突破了200um超厚膜缺陷控制、少子壽命提升難題，超厚膜外延達(dá)到國際先進(jìn)水平。

企業(yè)方面，深圳的第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域涌現(xiàn)出重投天科、基本半導(dǎo)體、方正微電子等一批核心代表企業(yè)，覆蓋襯底材料、芯片設(shè)計(jì)、器件制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，成為產(chǎn)業(yè)鏈穩(wěn)定運(yùn)行的重要支撐。

其中，方正微電子成立于2003年，是中國第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域領(lǐng)先的IDM企業(yè)。公司主要從事SiC晶圓、器件、模組的研發(fā)、生產(chǎn)制造與銷售，為新能源汽車、光儲(chǔ)充、UPS、工業(yè)電源等眾多領(lǐng)域提供高質(zhì)量的SiC解決方案與服務(wù)，其高質(zhì)量車規(guī)SiC MOS已大規(guī)模應(yīng)用于新能源乘用車主驅(qū)。

重投天科由北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司和深圳市重大產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司兩家企業(yè)為主要股東合資成立，聚焦于碳化硅襯底和外延的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是深圳第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的重要企業(yè)，為深圳市新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等重點(diǎn)領(lǐng)域的原材料穩(wěn)定供應(yīng)提供了支撐。

基本半導(dǎo)體掌握了碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測試、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵技術(shù)，完成了自主可控的IDM產(chǎn)業(yè)鏈布局，其自主研發(fā)的碳化硅二極管、MOSFET、車規(guī)級功率模塊已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)交付，性能達(dá)到國際先進(jìn)水平。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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