隨著人工智能逐步進入由智能體（Agents）、物理AI及工業(yè)級部署驅動的新階段，全球算力需求呈爆發(fā)式增長。在近日于美國加州圣何塞舉行的NVIDIA GTC 2026大會上，英偉達創(chuàng)始人兼CEO黃仁勛預言，未來將形成萬億級算力基礎設施市場。在這一進程中，如何提升數據中心能效、優(yōu)化電力架構成為產業(yè)攻克的關鍵。

圖片來源：英諾賽科

作為本屆大會的焦點之一，中國功率半導體領軍企業(yè)英諾賽科（Innoscience）憑借在氮化鎵（GaN）領域的深厚積淀，成功斬獲“NVIDIA GTC MGX生態(tài)合作伙伴獎”。值得注意的是，英諾賽科是本屆大會中唯一獲獎的中國芯片企業(yè)。

圖片來源：英諾賽科

本屆GTC大會以“AI工業(yè)化與規(guī)?；瘧谩睘楹诵?，重點聚焦AI Factory建設與數據中心能效升級。隨著GPU功耗的攀升，傳統(tǒng)電力架構已難以滿足高密度計算的需求。大會現場，800V HVDC（高壓直流）數據中心電源架構成為多方關注的技術高地。

在該架構生態(tài)中，英諾賽科展示了其尖端的電源解決方案。其核心產品——800V-to-50V全氮化鎵電源模塊方案，精準切入了AI服務器電源系統(tǒng)的關鍵前級轉換環(huán)節(jié)。該模塊集成了英諾賽科最新的第三代氮化鎵器件（包含8顆650V GaN和32顆100V GaN），能夠將800V高壓直流母線電壓直接轉換為50V服務器標準電壓，為后端GPU提供穩(wěn)定且高效的動力支撐。

圖片來源：英諾賽科

此外，在NVIDIA本次展示的800V HVDC AI數據中心電源架構生態(tài)中，超過半數的NVIDIA合作伙伴電源系統(tǒng)方案均采用了英諾賽科的氮化鎵功率器件，這意味著英諾賽科GaN技術已成為AI高壓直流供電架構的主流選擇和關鍵核心器件之一。

相較于傳統(tǒng)硅基功率器件，英諾賽科的氮化鎵技術具備高密度集成、極致能效表現和顯著降低系統(tǒng)成本三大優(yōu)勢，能更好適配AI服務器小型化趨勢，降低數據中心能耗與運維成本。

作為目前全球產能規(guī)模較大的氮化鎵供應商，英諾賽科通過與英偉達MGX生態(tài)的合作，完成了從基礎器件供應商向定制化解決方案提供商的角色演進。

目前，該公司已推出800V–50V、800V-12V、800V-6V等多種規(guī)格的電源模塊，旨在覆蓋不同代際AI硬件的電壓需求。雖然在高性能模擬芯片領域，全球市場仍由歐美傳統(tǒng)巨頭主導，但在GaN這一新興細分賽道，中國企業(yè)正通過產能布局與800V先進制程的快速迭代，在AI算力供應鏈中占據一席之地。

（集邦化合物半導體整理）

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