圖片來源：云南鍺業(yè)公告截圖?

公告數(shù)據(jù)顯示，本次合同金額對應(yīng)占公司2025年度經(jīng)審計(jì)營業(yè)收入比重為53.48%至80.23%，訂單體量對公司未來兩年?duì)I收具備較強(qiáng)拉動(dòng)作用。出于商業(yè)保密約定，上市公司未披露采購方具體名稱，僅說明合作客戶經(jīng)營信譽(yù)良好、履約能力充足，與公司不存在關(guān)聯(lián)關(guān)系，交易履約風(fēng)險(xiǎn)整體可控。

磷化銦襯底是高速光模塊、光通信激光器與探測器的核心上游化合物半導(dǎo)體材料，伴隨AI算力拉動(dòng)800G/1.6T光模塊需求爆發(fā)，行業(yè)磷化銦晶片供需持續(xù)偏緊。本次長單落地，是客戶對云南鍺業(yè)產(chǎn)品良率、批量交付能力的認(rèn)可，也直接鎖定了未來一年多核心產(chǎn)品的出貨量。

產(chǎn)能端配套規(guī)劃同步推進(jìn)，公司在2026年4月啟動(dòng)高品質(zhì)磷化銦單晶片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，計(jì)劃新建年產(chǎn)30萬片（折合4英寸）產(chǎn)線，項(xiàng)目建設(shè)期18個(gè)月，全部達(dá)產(chǎn)后磷化銦襯底總產(chǎn)能將提升至45萬片/年。公司管理層在投資者溝通中表示，在建擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能進(jìn)度可完全覆蓋本次大額訂單交付需求，保障長期供貨穩(wěn)定性。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

邦芯半導(dǎo)體2020年成立，為國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，核心聚焦硅基特種工藝設(shè)備與化合物半導(dǎo)體加工設(shè)備自研，已完整推出6/8/12英寸介質(zhì)刻蝕機(jī)、干法化學(xué)刻蝕設(shè)備、鎢薄膜沉積設(shè)備等前道核心裝備，產(chǎn)品適配碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體晶圓制造場景，可滿足功率器件、射頻芯片量產(chǎn)制程需求。

產(chǎn)品商業(yè)化層面，公司設(shè)備已在多家晶圓廠通過工藝驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)批量出貨，2025年單年設(shè)備出貨量突破100臺，歷史累計(jì)出貨總量超200臺，在SiC碳化硅刻蝕細(xì)分設(shè)備領(lǐng)域具備較高國產(chǎn)市占率。

除上海臨港總部研發(fā)與生產(chǎn)基地外，企業(yè)同步布局武漢華中智造基地、青島產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，青島子公司一期產(chǎn)線規(guī)劃總投資額2億元，將進(jìn)一步放大北方區(qū)域交付能力，與當(dāng)?shù)丶呻娐樊a(chǎn)業(yè)鏈形成配套協(xié)同。

本次融資到位后，邦芯半導(dǎo)體將加大干法刻蝕腔體結(jié)構(gòu)、等離子體工藝、高可靠真空傳輸模塊等核心技術(shù)投入，針對8英寸、12英寸SiC量產(chǎn)線做設(shè)備專項(xiàng)優(yōu)化，同時(shí)擴(kuò)充售后工藝團(tuán)隊(duì)，解決第三代半導(dǎo)體器件制造中的刻蝕形貌、表面缺陷控制等行業(yè)痛點(diǎn)，推進(jìn)半導(dǎo)體前道設(shè)備國產(chǎn)化替代進(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

太空中的輻射環(huán)境對半導(dǎo)體器件構(gòu)成雙重威脅：累積性輻射損傷會逐步劣化器件性能，而高能粒子引發(fā)的單粒子效應(yīng)則可能導(dǎo)致電路瞬間誤動(dòng)作。

RIC70115在總電離劑量方面可耐受最高100krad(Si)，在線性能量傳輸指標(biāo)方面通過最高81.9MeV·cm2/mg的高能粒子沖擊驗(yàn)證。英飛凌表示，這一防護(hù)等級不僅覆蓋近地軌道衛(wèi)星任務(wù)，亦可滿足更嚴(yán)苛的深空探測需求。

在功能集成方面，RIC70115內(nèi)置米勒鉗位功能，可有效防止電壓瞬變引發(fā)的功率管誤導(dǎo)通；搭載降噪電路以抑制電磁與射頻干擾；同時(shí)集成的低壓差線性穩(wěn)壓器可由5V或12V輸入生成4.8V驅(qū)動(dòng)電壓，有助于減少外圍元件數(shù)量。該芯片支持-55℃至+125℃工作溫度范圍，符合MIL-PRF-38535軍工航天標(biāo)準(zhǔn)。

英飛凌高可靠性事業(yè)部高級副總裁邁克·米爾斯表示，該產(chǎn)品旨在支持航天電力系統(tǒng)向氮化鎵架構(gòu)的過渡。目前RIC70115芯片及其配套評估板RIC70115EVAL1已正式上市銷售。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

近期國內(nèi)三個(gè)差異化化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目相繼迎來落地、建設(shè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)：

• 上海九東半導(dǎo)體磷化銦襯底制造項(xiàng)目簽約落戶云南曲靖
• 湖北碳六科技CVD金剛石半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地落地青海西寧
• 安徽四象半導(dǎo)體合肥基地推進(jìn)建設(shè)，將量產(chǎn)碳化硅環(huán)等刻蝕核心部件

1、上海九東半導(dǎo)體磷化銦襯底項(xiàng)目落地曲靖

7月22日，據(jù)曲靖發(fā)布消息，曲靖方面與國內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)上海九東半導(dǎo)體股份有限公司完成深度洽談，并正式簽訂《磷化銦襯底制造項(xiàng)目投資協(xié)議》。

自簽約落地之后，短短一個(gè)月內(nèi)，項(xiàng)目同步推進(jìn)工商注冊、廠房規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等各項(xiàng)工作，多個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)提前落地。目前項(xiàng)目運(yùn)營主體云南九東半導(dǎo)體科技有限公司已經(jīng)完成工商注冊。企業(yè)計(jì)劃7月下旬將公司主體由昆明遷移至曲靖經(jīng)開區(qū)，完成遷址手續(xù)后，立刻全面啟動(dòng)項(xiàng)目立項(xiàng)相關(guān)流程。

公開資料顯示，上海九東半導(dǎo)體聚焦磷化銦襯底研發(fā)與量產(chǎn)，具備3英寸、4英寸、6英寸磷化銦單晶片穩(wěn)定制造能力。磷化銦襯底是高速光芯片核心基材，廣泛應(yīng)用于800G、1.6T光模塊，伴隨AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，市場需求持續(xù)增長。曲靖擁有磷、銦稀貴金屬資源以及綠色電力配套優(yōu)勢，契合磷化銦材料生產(chǎn)的要素需求。

2、四象半導(dǎo)體項(xiàng)目轉(zhuǎn)入地上施工，布局碳化硅刻蝕部件

7月20日，據(jù)合肥高新發(fā)布消息，安徽四象半導(dǎo)體材料科技有限公司半導(dǎo)體部件總部生產(chǎn)基地項(xiàng)目取得重要建設(shè)進(jìn)展，項(xiàng)目順利實(shí)現(xiàn)“正負(fù)零”節(jié)點(diǎn)目標(biāo)，工程正式由地下結(jié)構(gòu)施工階段切換至地上主體結(jié)構(gòu)施工。

該項(xiàng)目坐落于合肥高新區(qū)習(xí)友路與大龍山路交口西南角，總投資額7.5億元，用地面積約40畝，總建筑面積4.6萬平方米，規(guī)劃建設(shè)Fab生產(chǎn)車間、動(dòng)力及廢水處理設(shè)施、綜合樓、甲類倉庫等配套單體?，F(xiàn)階段各工區(qū)同步推進(jìn)建設(shè)，F(xiàn)ab車間北區(qū)開展屋面主體結(jié)構(gòu)施工，南區(qū)持續(xù)進(jìn)行基礎(chǔ)承臺開挖；動(dòng)力站、廢水處理站、綜合樓地下室結(jié)構(gòu)施工全部完成，啟動(dòng)地上施工工序。按照建設(shè)計(jì)劃，項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年底實(shí)現(xiàn)竣工投產(chǎn)。

產(chǎn)能規(guī)劃方面，基地全面達(dá)產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)27.6萬片硅電極、硅環(huán)、碳化硅環(huán)、石英環(huán)等半導(dǎo)體刻蝕關(guān)鍵部件的生產(chǎn)能力。企業(yè)主營刻蝕設(shè)備耗材零部件，相關(guān)產(chǎn)品適配邏輯芯片、存儲芯片制造流程，目前已經(jīng)導(dǎo)入多家頭部晶圓制造企業(yè)。

公開信息顯示，四象半導(dǎo)體成立于2022年，聚焦半導(dǎo)體蝕刻核心耗材研發(fā)制造，持續(xù)推進(jìn)高純硅加工、碳化硅涂層等技術(shù)國產(chǎn)化。2025年12月，該基地舉行開工儀式；2026年企業(yè)完成超2億元A輪融資，資本將持續(xù)助力產(chǎn)線建設(shè)與產(chǎn)品迭代。

3、金剛石半導(dǎo)體材料項(xiàng)目落戶西寧

7月15日，湖北碳六科技有限公司與西寧東川工業(yè)園區(qū)管委會簽約，總投資2億元的金剛石半導(dǎo)體材料生產(chǎn)項(xiàng)目正式落地。

項(xiàng)目由湖北碳六科技有限公司投資建設(shè)，基地將圍繞CVD（化學(xué)氣相沉積）金剛石半導(dǎo)體材料搭建產(chǎn)線，持續(xù)擴(kuò)充金剛石材料產(chǎn)業(yè)化規(guī)模。青海具備充沛風(fēng)電、光伏綠色電力資源，能夠匹配CVD金剛石生產(chǎn)高能耗需求，為項(xiàng)目長期穩(wěn)定生產(chǎn)提供要素支撐。

公開資料顯示，湖北碳六科技深耕CVD金剛石研發(fā)制造，企業(yè)自研生產(chǎn)設(shè)備，核心配件國產(chǎn)化，可穩(wěn)定產(chǎn)出最大8英寸金剛石產(chǎn)品。金剛石憑借超高導(dǎo)熱性能，是AI芯片、高功率半導(dǎo)體器件下一代關(guān)鍵熱管理材料，廣泛用于算力硬件散熱場景。

4、結(jié)語

隨著算力產(chǎn)業(yè)鏈不斷延伸，化合物半導(dǎo)體不再局限于功率芯片、光芯片賽道，上游襯底、散熱材料、工藝耗材等細(xì)分環(huán)節(jié)持續(xù)釋放機(jī)會。上述項(xiàng)目后續(xù)的廠房建設(shè)、設(shè)備進(jìn)場、樣品驗(yàn)證與客戶導(dǎo)入進(jìn)展，將持續(xù)反映國內(nèi)新型半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化推進(jìn)節(jié)奏。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

01、星鑰半導(dǎo)體數(shù)億元融資落地，加碼硅基GaN功率器件量產(chǎn)

近日，專注硅基氮化鎵功率器件研發(fā)量產(chǎn)的星鑰半導(dǎo)體，完成數(shù)億元新一輪融資，本輪融資由鼎暉香港基金等多家戰(zhàn)略及財(cái)務(wù)機(jī)構(gòu)聯(lián)合參與。成立以來，星鑰半導(dǎo)體持續(xù)獲得資本青睞，先后落地多輪融資，投資方囊括高瓴創(chuàng)投、紅杉中國、中芯聚源、多地國資產(chǎn)業(yè)基金等頭部機(jī)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)與資本認(rèn)可度持續(xù)提升。

星鑰半導(dǎo)體聚焦第三代半導(dǎo)體硅基GaN技術(shù)路線，主打650V–900V全系硅基氮化鎵功率器件，產(chǎn)品核心適配AI服務(wù)器高壓電源、高端消費(fèi)快充、工業(yè)電源等主流高增長場景。

相較于傳統(tǒng)碳化硅基器件，硅基GaN可兼容大尺寸硅晶圓成熟產(chǎn)線，在成本與規(guī)?；慨a(chǎn)上具備顯著優(yōu)勢，是當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體降本普及、大規(guī)模替代傳統(tǒng)硅基功率器件的核心方向。

本輪融資資金，將主要用于硅基GaN器件工藝迭代、產(chǎn)線升級以及規(guī)?；袌鰧?dǎo)入，進(jìn)一步提升國產(chǎn)氮化鎵功率器件的量產(chǎn)能力與市場滲透率。

02、藍(lán)河科技B6輪數(shù)億元融資，攻堅(jiān)國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體核心裝備

化合物半導(dǎo)體生長設(shè)備廠商藍(lán)河科技順利完成數(shù)億元B6輪融資。本輪融資由中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金領(lǐng)投，泰達(dá)科創(chuàng)、長江創(chuàng)新等機(jī)構(gòu)跟投。依托多輪持續(xù)融資，公司持續(xù)獲得國家級基金、產(chǎn)業(yè)資本、財(cái)務(wù)資本的長期加持，產(chǎn)能與研發(fā)投入持續(xù)提速。

圖片來源：企查查信息截圖

藍(lán)河科技專注化合物半導(dǎo)體裝備與材料技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化，核心主打高端MOCVD設(shè)備，同時(shí)布局高溫CVD（HTCVD）、MOCVD腔體再生清潔設(shè)備等配套產(chǎn)品線，形成完整的化合物外延設(shè)備配套能力。不同于單一賽道設(shè)備廠商，公司設(shè)備適配品類廣泛，可服務(wù)于氮化鎵功率器件、碳化硅功率器件、氧化鎵超寬禁帶材料、紅黃光LED等多領(lǐng)域量產(chǎn)與研發(fā)。

作為化合物半導(dǎo)體外延生產(chǎn)的核心設(shè)備，MOCVD的工藝精度直接決定外延片良率、穩(wěn)定性和器件性能。藍(lán)河科技憑借多材料適配能力和設(shè)備迭代經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)進(jìn)入多家功率半導(dǎo)體、新型超寬禁帶材料企業(yè)供應(yīng)鏈。

03、晶耀芯輝獲地方專精特新基金投資，補(bǔ)齊磷化銦光芯片產(chǎn)能

在光通信化合物賽道，高端磷化銦外延與芯片領(lǐng)域同樣迎來資本落地。近期，鐘金控集團(tuán)旗下常州鐘樓專精與特新投資合伙企業(yè)，正式投資南京晶耀芯輝半導(dǎo)體科技有限公司，助力企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)高端光芯片核心產(chǎn)能。

公開資料顯示，晶耀芯輝成立于2023年10月，落戶南京，是一家聚焦高端磷化銦外延材料、高速激光器芯片研發(fā)與生產(chǎn)的科創(chuàng)企業(yè)。磷化銦是第二代化合物半導(dǎo)體核心材料，也是當(dāng)前AI高速光模塊不可或缺的基礎(chǔ)材料，800G、1.6T高速光通信、數(shù)據(jù)中心高速互連所需的激光芯片，均高度依賴高品質(zhì)磷化銦外延片支撐。

當(dāng)前全球AI算力建設(shè)持續(xù)提速，高速光模塊迭代節(jié)奏加快，上游磷化銦材料和高速光芯片供需持續(xù)偏緊。但國內(nèi)高端磷化銦外延、高速EML激光器芯片產(chǎn)能有限，高端產(chǎn)品長期依賴海外廠商，國產(chǎn)化替代空間巨大。晶耀芯輝主要布局100G、200G高速激光芯片及硅光集成配套光源芯片，產(chǎn)品面向高速光通信、算力互連等主流高端場景。

04、結(jié)語

本輪三筆融資，分別落地功率器件、核心設(shè)備、光芯片三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)，完整覆蓋了國內(nèi)化合物半導(dǎo)體兩大核心賽道。目前國內(nèi)SiC、GaN功率半導(dǎo)體及高速光芯片市場需求持續(xù)旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏提速。在此背景下，資本逐步從下游器件端，向上游設(shè)備、材料、外延等核心短板環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移。整體而言，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體正進(jìn)入全鏈條補(bǔ)鏈提速階段。隨著更多國產(chǎn)設(shè)備、材料與芯片產(chǎn)能落地，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力將持續(xù)增強(qiáng)，進(jìn)一步夯實(shí)行業(yè)長期發(fā)展基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：芯光光電HWLEIC

該設(shè)備采用非接觸式激光隱形切割工藝，基于自研激光內(nèi)部改質(zhì)與柔性分層剝離的創(chuàng)新技術(shù)路線，通過無接觸冷加工方式實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)晶圓剝離。其核心技術(shù)包括自主研發(fā)的光源系統(tǒng)、精密光路調(diào)控算法與閉環(huán)控制系統(tǒng)——可將高能激光精準(zhǔn)聚焦至晶錠預(yù)設(shè)加工深度，在晶體內(nèi)部形成均勻、穩(wěn)定的微裂紋改質(zhì)層，再經(jīng)由智能可控的剝離工藝，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶圓的平整、完整分離。

在加工效率方面，針對行業(yè)主流的8英寸襯底，單片加工時(shí)間不超過20分鐘，較傳統(tǒng)工藝效率提升40%，有效突破了產(chǎn)能瓶頸。在材料利用率方面，無鋸口激光加工工藝將單片損耗控制在80微米以內(nèi)，較傳統(tǒng)工藝降低40%，大幅減少了晶錠浪費(fèi)，顯著降低了單片生產(chǎn)成本。同時(shí)，非接觸式冷加工方式保障了晶片平整度與精度的一致性，減輕了后續(xù)研磨、減薄工序的壓力，能夠更好地適配高端器件的量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

在規(guī)格覆蓋能力上，設(shè)備可全面兼容6英寸、8英寸及12英寸碳化硅晶錠，并支持導(dǎo)電型與半絕緣型基材的定制化加工，切片厚度可根據(jù)需求靈活調(diào)節(jié)，滿足車規(guī)級功率器件、射頻器件及工業(yè)應(yīng)用等多場景生產(chǎn)需求。在智能化水平上，設(shè)備實(shí)現(xiàn)了從上料、加工、剝離到下料的全流程無人化操作，可無縫對接MES系統(tǒng)和AGV智能產(chǎn)線，同時(shí)支持云端數(shù)據(jù)可視化與遠(yuǎn)程工藝迭代，貼合現(xiàn)代化智能工廠的生產(chǎn)管理要求。

該設(shè)備已通過多輪測試驗(yàn)證，并經(jīng)山東電子學(xué)會鑒定，整體技術(shù)水平達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先。其應(yīng)用場景覆蓋6至12英寸碳化硅襯底量產(chǎn)及大尺寸晶圓加工，可為新能源汽車、AI數(shù)據(jù)中心、智能電網(wǎng)、5G通信等功率器件產(chǎn)業(yè)，以及AR眼鏡用光學(xué)鏡片產(chǎn)業(yè)提供高品質(zhì)的襯底加工方案。

經(jīng)此產(chǎn)品布局，芯光光電正持續(xù)深耕半導(dǎo)體激光加工領(lǐng)域，未來將迭代更大尺寸、更高精度、更智能化的加工裝備，攜手產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高質(zhì)量發(fā)展邁進(jìn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

隨著清算程序的啟動(dòng)，SK Siltron位于密歇根州貝縣的制造工廠已進(jìn)入分階段停產(chǎn)流程。該工廠主要生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車功率組件的碳化硅晶圓，本次關(guān)停影響約140名員工。除保留極少數(shù)負(fù)責(zé)結(jié)業(yè)善后和設(shè)施清理的核心人員外，大部分當(dāng)?shù)貑T工預(yù)計(jì)將在約60天內(nèi)分批離職。

在斗山集團(tuán)擬收購SK Siltron的資產(chǎn)談判中，意向收購方僅希望接管具備穩(wěn)定盈利能力的傳統(tǒng)硅晶圓業(yè)務(wù)，明確拒絕承接持續(xù)虧損的碳化硅板塊，雙方遂達(dá)成在交易推進(jìn)前先行清算SK Siltron CSS的共識。

SK Siltron于2019年以4.5億美金收購美國杜邦公司（DuPont）的碳化硅事業(yè)部，并于2020年成立該子公司進(jìn)軍功率半導(dǎo)體賽道。然而，受全球電動(dòng)汽車（EV）需求放緩以及行業(yè)激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)導(dǎo)致的價(jià)格劇烈下跌影響，SK Siltron CSS陷入嚴(yán)重虧損，并拖累SK Siltron在2025財(cái)年錄得2936億韓元的合并凈虧損。

通過全面關(guān)停并清算美國SiC子公司，SK Siltron將止蝕并移除主要虧損源，把資金與研發(fā)資源集中于核心半導(dǎo)體硅晶圓主業(yè)。目前，公司投資2.3萬億韓元建設(shè)的龜尾第四工廠已正式投產(chǎn)，推動(dòng)總體硅晶圓產(chǎn)能提升50%，未來將全力承接由人工智能（AI）芯片爆發(fā)帶來的300毫米（12英寸）硅晶圓市場需求。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

這一整合進(jìn)程始于今年3月27日，三方已簽署諒解備忘錄，初步達(dá)成將各自功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整合為一家合資企業(yè)的意向，其中三菱電機(jī)將承擔(dān)主導(dǎo)角色。目前，各方正圍繞產(chǎn)品供應(yīng)范圍、股權(quán)分配等核心條款展開深入討論。

不過，在業(yè)務(wù)邊界的界定上，羅姆與東芝希望保留各自的模擬芯片業(yè)務(wù)，而三菱電機(jī)則主張新實(shí)體應(yīng)專注于功率芯片領(lǐng)域，這一分歧使工作層面的談判推進(jìn)較為緩慢，高層管理人員已介入?yún)f(xié)調(diào)以尋求共識。

業(yè)界指出，從市場前景來看，合并后的新企業(yè)年?duì)I收有望突破80億美元。三方計(jì)劃通過整合研發(fā)資源、共享銷售渠道與制造產(chǎn)能，在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車及工業(yè)機(jī)器人等快速增長的應(yīng)用領(lǐng)域搶占先機(jī)。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省也將此次合并視為關(guān)乎國家產(chǎn)業(yè)競爭力的重要舉措，認(rèn)為其成敗將對日本在能源效率提升及工業(yè)擴(kuò)張方面的戰(zhàn)略布局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

功率芯片雖非消費(fèi)電子領(lǐng)域中最受矚目的器件，卻承擔(dān)著控制和轉(zhuǎn)換汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)機(jī)器人、家用電器及各類電子設(shè)備中電能的關(guān)鍵功能。其戰(zhàn)略價(jià)值不容低估，一旦供應(yīng)出現(xiàn)短缺，不僅可能影響日本在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域的推進(jìn)節(jié)奏，也可能制約本土工業(yè)企業(yè)面向未來的擴(kuò)張計(jì)劃。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：揚(yáng)杰科技公告

公告指出，2026年上半年功率半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)上行。AI服務(wù)器、新能源汽車、光伏儲能賽道需求集中釋放，疊加8英寸成熟制程晶圓產(chǎn)能緊張，行業(yè)呈現(xiàn)量價(jià)齊升格局。公司全年落實(shí)產(chǎn)品升級戰(zhàn)略，持續(xù)加大研發(fā)投入擴(kuò)充高附加值產(chǎn)品，上半年?duì)I業(yè)收入同比增長約30%。

兩大高端業(yè)務(wù)成為增長核心動(dòng)力。汽車電子業(yè)務(wù)延續(xù)一季度增長勢頭，上半年收入同比增幅超100%；SiC碳化硅業(yè)務(wù)增速同樣亮眼，伴隨新品落地、下游客戶導(dǎo)入提速與產(chǎn)能持續(xù)釋放，板塊收入同比接近翻倍。

資料顯示，揚(yáng)杰科技2006年成立，2014年登陸資本市場，是國內(nèi)頭部功率半導(dǎo)體IDM垂直整合廠商，搭建起從硅片材料、晶圓制造到器件封裝測試的完整產(chǎn)業(yè)鏈體系。公司業(yè)務(wù)劃分為材料、晶圓、封裝器件三大板塊，產(chǎn)品涵蓋硅基MOS、IGBT、整流器件及650V-1700V全系列碳化硅功率器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車、AI服務(wù)器、光伏儲能、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

公司SiC產(chǎn)品覆蓋650V至1700V全電壓規(guī)格，車規(guī)級SiC?MOSFET、肖特基二極管批量供貨，適配新能源汽車400V/800V高壓平臺車載充電機(jī)、主逆變器，同時(shí)供給光伏儲能、工業(yè)電源、AI服務(wù)器電源等場景，在手訂單維持飽滿狀態(tài)，車規(guī)與工業(yè)產(chǎn)品分線生產(chǎn)保障交付能力。

產(chǎn)能建設(shè)層面，公司現(xiàn)有揚(yáng)州6英寸車規(guī)SiC專用晶圓產(chǎn)線穩(wěn)定量產(chǎn)，良率維持75%以上，配套3座獨(dú)立SiC車載封測工廠，實(shí)行車規(guī)、非車規(guī)產(chǎn)品分線生產(chǎn)管理?？偼顿Y10億元的七號廠車規(guī)級功率模塊封裝項(xiàng)目5月完成主樓封頂，下半年啟動(dòng)設(shè)備調(diào)試，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)7500萬只SiC/IGBT車規(guī)模塊；公司同步變更募投資金，投入3.49億元加碼該SiC模塊產(chǎn)線改造，另有AI服務(wù)器SiC器件產(chǎn)線技改同步推進(jìn)。海外產(chǎn)能規(guī)劃落地，越南6英寸SiC晶圓工廠計(jì)劃2027年一季度量產(chǎn)，設(shè)計(jì)年產(chǎn)能240萬片，主攻海外車規(guī)與工業(yè)客戶。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。

圖片來源：芯聚能

芯聚能與芯粵能共同構(gòu)建了從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封裝測試的全產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合能力，是國內(nèi)少數(shù)在車規(guī)主驅(qū)應(yīng)用領(lǐng)域完整打通碳化硅全流程的本土產(chǎn)業(yè)聯(lián)合體。兩家企業(yè)已在廣州南沙形成第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群閉環(huán)，在服務(wù)芯片設(shè)計(jì)公司的同時(shí)，為光儲充、AI數(shù)據(jù)中心及工業(yè)控制等領(lǐng)域提供國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品、服務(wù)及解決方案。

在車規(guī)應(yīng)用方面，芯聚能主驅(qū)模塊已廣泛應(yīng)用于吉利多系列車型（包括極氪、Smart、銀河、沃爾沃及吉利商用車等）、零跑、紅旗、東風(fēng)日產(chǎn)等品牌，車規(guī)產(chǎn)品良率、質(zhì)量及累計(jì)出貨量位居國內(nèi)前列。產(chǎn)品矩陣覆蓋400V至1000V電壓平臺，峰值電流能力橫跨300A至800A，可適配不同功率等級的電驅(qū)系統(tǒng)。搭載芯粵能芯片的碳化硅主驅(qū)模塊也已通過吉利多個(gè)車型量產(chǎn)驗(yàn)證，并已實(shí)現(xiàn)大批量上車交付。

芯聚能推出的搭載自產(chǎn)1400V車規(guī)碳化硅芯片的系列主驅(qū)模塊已實(shí)現(xiàn)批量上車，并獲得多家主流車企定點(diǎn)訂單，目前在國內(nèi)第三方碳化硅主驅(qū)模塊供應(yīng)商中處于第一梯隊(duì)。與此同時(shí)，芯聚能的模塊產(chǎn)品已在工業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)交付，業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢。

在晶圓制造端，芯粵能的簽約流片客戶已覆蓋全國絕大部分碳化硅設(shè)計(jì)企業(yè)，目前已有超過250款Foundry客戶的新產(chǎn)品工程批樣品投入流片，良率和一致性獲得客戶認(rèn)可。搭載芯粵能芯片的產(chǎn)品已進(jìn)入批量生產(chǎn)階段，應(yīng)用場景涵蓋工業(yè)電源、光伏逆變器、充電樁等多個(gè)終端領(lǐng)域。

芯粵能車規(guī)級芯片已通過芯片級AEC-Q101認(rèn)證、模塊級AQG324認(rèn)證及電驅(qū)系統(tǒng)級整車驗(yàn)證，全流程滿足車規(guī)級可靠性要求，目前已進(jìn)入主流車企供應(yīng)鏈。受益于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制乃至消費(fèi)類應(yīng)用場景對碳化硅芯片需求的增長，芯粵能產(chǎn)能利用率快速上升。

從市場前景來看，碳化硅功率器件市場正受到新能源汽車、光儲充、AI數(shù)據(jù)中心、軌道交通及高壓電網(wǎng)多領(lǐng)域需求驅(qū)動(dòng)。其中，新能源汽車800V平臺滲透加速，光儲充逆變器效率突破99%，AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)向高壓直流升級，軌交與電網(wǎng)領(lǐng)域已實(shí)現(xiàn)工程驗(yàn)證。預(yù)計(jì)到2030年，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將超過百億美元，年復(fù)合增長率超過20%。隨著8英寸量產(chǎn)推進(jìn)與國產(chǎn)替代進(jìn)程加快，碳化硅產(chǎn)業(yè)正進(jìn)入高速成長期。

本輪融資完成，標(biāo)志著芯聚能與芯粵能一體化垂直整合戰(zhàn)略進(jìn)入新的發(fā)展階段。未來，兩家企業(yè)計(jì)劃持續(xù)深化全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同，加大研發(fā)投入，并依托投資方在產(chǎn)業(yè)、科研、資本方面的資源，推進(jìn)碳化硅功率器件產(chǎn)品的技術(shù)升級與市場拓展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。