根據(jù)雙方協(xié)議條款，本次授權(quán)核心為納微自研溝槽輔助平面（TAP）專(zhuān)利架構(gòu)，覆蓋電壓等級(jí)包含1200V、2300V、3300V及以上超高壓規(guī)格，對(duì)應(yīng)第四代與第五代兩代GeneSiC平臺(tái)全部工藝專(zhuān)利、器件設(shè)計(jì)方案。除技術(shù)本身外，納微同步開(kāi)放自身碳化硅供應(yīng)鏈、材料生態(tài)體系資源，支撐MagnaChip快速完成技術(shù)移植、晶圓工藝驗(yàn)證與產(chǎn)線(xiàn)內(nèi)部化落地，產(chǎn)品將在其韓國(guó)本土工廠(chǎng)完成流片制造。

公開(kāi)技術(shù)資料顯示，第五代GeneSiC依托TAP架構(gòu)融合平面結(jié)構(gòu)可靠性與溝槽結(jié)構(gòu)導(dǎo)通損耗優(yōu)勢(shì)，1200V產(chǎn)品品質(zhì)因數(shù)較上代提升35%，開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗同步優(yōu)化，適配AI服務(wù)器高壓電源、儲(chǔ)能變流器、電網(wǎng)固態(tài)變壓器、工業(yè)傳動(dòng)、新能源車(chē)車(chē)載功率單元等大功率場(chǎng)景，也是當(dāng)前納微布局算力基礎(chǔ)設(shè)施供電方案的主力器件平臺(tái)。

MagnaChip作為韓國(guó)老牌模擬與功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商，過(guò)往主營(yíng)顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理IC，此前并無(wú)自研碳化硅MOSFET能力。通過(guò)本次專(zhuān)利授權(quán)，企業(yè)無(wú)需長(zhǎng)期投入前端技術(shù)研發(fā)，即可快速推出自主品牌高壓SiC產(chǎn)品，主攻韓國(guó)本土儲(chǔ)能電站、電網(wǎng)基建、工業(yè)設(shè)備、新能源汽車(chē)市場(chǎng)，補(bǔ)齊第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣短板。雙方同時(shí)提及，本次僅為首期合作，后續(xù)還將探索氮化鎵等寬禁帶器件更多協(xié)同空間，具體內(nèi)容另行公布。

從商業(yè)模式來(lái)看，此次專(zhuān)利授權(quán)是納微半導(dǎo)體技術(shù)變現(xiàn)與生態(tài)擴(kuò)張的重要落地動(dòng)作。在自有器件銷(xiāo)售之外，通過(guò)向海外成熟IDM廠(chǎng)商輸出SiC核心專(zhuān)利，收取授權(quán)費(fèi)用并擴(kuò)大GeneSiC技術(shù)全球滲透率；同時(shí)借助MagnaChip本土制造與客戶(hù)渠道，進(jìn)一步滲透韓國(guó)電力能源與車(chē)載功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：瑞能半導(dǎo)體官網(wǎng)

據(jù)官方資料，該系列模塊電壓覆蓋1200V至2300V區(qū)間，器件最低導(dǎo)通電阻Rds(on)可達(dá)1.5mΩ，同時(shí)支持客戶(hù)定制化電氣結(jié)構(gòu)與封裝方案。固態(tài)變壓器整機(jī)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)98%，新品拓?fù)涓采w兩類(lèi)主流架構(gòu)：三級(jí)拓?fù)淠K可優(yōu)化電磁干擾表現(xiàn)，代表型號(hào)為WMSC5R0N17B3T；兩級(jí)拓?fù)淦骷刂七壿嫺?jiǎn)單、整機(jī)體積更小，代表型號(hào)為WMSC5R0F23B3T。

值得了解的是，瑞能半導(dǎo)體正處于重大股權(quán)變動(dòng)進(jìn)程中。公開(kāi)公告顯示，紫光國(guó)微計(jì)劃以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金相結(jié)合方式，合計(jì)作價(jià)19億元收購(gòu)瑞能半導(dǎo)體100%股權(quán)。交易方案中，股份支付占比80%、現(xiàn)金支付占比20%，同時(shí)配套募集資金不超過(guò)3.96億元。

相關(guān)方案已于6月8日獲得股東大會(huì)審議通過(guò)，6月16日申請(qǐng)材料正式獲深交所受理。本次交易尚需完成交易所審核、證監(jiān)會(huì)注冊(cè)等多道流程，股權(quán)交割并未落地，現(xiàn)階段瑞能半導(dǎo)體保持獨(dú)立運(yùn)營(yíng)。交易完成后，瑞能半導(dǎo)體將終止在全國(guó)股轉(zhuǎn)系統(tǒng)掛牌，成為紫光國(guó)微全資子公司。

資料顯示，瑞能半導(dǎo)體前身源自恩智浦功率器件業(yè)務(wù)，2015年由建廣資產(chǎn)與恩智浦合資設(shè)立，后續(xù)實(shí)現(xiàn)全面中資控股。企業(yè)長(zhǎng)期布局碳化硅賽道，碳化硅二極管迭代至第六代實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，第二代碳化硅MOSFET已經(jīng)推向市場(chǎng)，產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋工業(yè)電源、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心供電等賽道。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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近期國(guó)內(nèi)三個(gè)差異化化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目相繼迎來(lái)落地、建設(shè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)：

• 上海九東半導(dǎo)體磷化銦襯底制造項(xiàng)目簽約落戶(hù)云南曲靖
• 湖北碳六科技CVD金剛石半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地落地青海西寧
• 安徽四象半導(dǎo)體合肥基地推進(jìn)建設(shè)，將量產(chǎn)碳化硅環(huán)等刻蝕核心部件

1、上海九東半導(dǎo)體磷化銦襯底項(xiàng)目落地曲靖

7月22日，據(jù)曲靖發(fā)布消息，曲靖方面與國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)上海九東半導(dǎo)體股份有限公司完成深度洽談，并正式簽訂《磷化銦襯底制造項(xiàng)目投資協(xié)議》。

自簽約落地之后，短短一個(gè)月內(nèi)，項(xiàng)目同步推進(jìn)工商注冊(cè)、廠(chǎng)房規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等各項(xiàng)工作，多個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)提前落地。目前項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)主體云南九東半導(dǎo)體科技有限公司已經(jīng)完成工商注冊(cè)。企業(yè)計(jì)劃7月下旬將公司主體由昆明遷移至曲靖經(jīng)開(kāi)區(qū)，完成遷址手續(xù)后，立刻全面啟動(dòng)項(xiàng)目立項(xiàng)相關(guān)流程。

公開(kāi)資料顯示，上海九東半導(dǎo)體聚焦磷化銦襯底研發(fā)與量產(chǎn)，具備3英寸、4英寸、6英寸磷化銦單晶片穩(wěn)定制造能力。磷化銦襯底是高速光芯片核心基材，廣泛應(yīng)用于800G、1.6T光模塊，伴隨AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)。曲靖擁有磷、銦稀貴金屬資源以及綠色電力配套優(yōu)勢(shì)，契合磷化銦材料生產(chǎn)的要素需求。

2、四象半導(dǎo)體項(xiàng)目轉(zhuǎn)入地上施工，布局碳化硅刻蝕部件

7月20日，據(jù)合肥高新發(fā)布消息，安徽四象半導(dǎo)體材料科技有限公司半導(dǎo)體部件總部生產(chǎn)基地項(xiàng)目取得重要建設(shè)進(jìn)展，項(xiàng)目順利實(shí)現(xiàn)“正負(fù)零”節(jié)點(diǎn)目標(biāo)，工程正式由地下結(jié)構(gòu)施工階段切換至地上主體結(jié)構(gòu)施工。

該項(xiàng)目坐落于合肥高新區(qū)習(xí)友路與大龍山路交口西南角，總投資額7.5億元，用地面積約40畝，總建筑面積4.6萬(wàn)平方米，規(guī)劃建設(shè)Fab生產(chǎn)車(chē)間、動(dòng)力及廢水處理設(shè)施、綜合樓、甲類(lèi)倉(cāng)庫(kù)等配套單體。現(xiàn)階段各工區(qū)同步推進(jìn)建設(shè)，F(xiàn)ab車(chē)間北區(qū)開(kāi)展屋面主體結(jié)構(gòu)施工，南區(qū)持續(xù)進(jìn)行基礎(chǔ)承臺(tái)開(kāi)挖；動(dòng)力站、廢水處理站、綜合樓地下室結(jié)構(gòu)施工全部完成，啟動(dòng)地上施工工序。按照建設(shè)計(jì)劃，項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年底實(shí)現(xiàn)竣工投產(chǎn)。

產(chǎn)能規(guī)劃方面，基地全面達(dá)產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)27.6萬(wàn)片硅電極、硅環(huán)、碳化硅環(huán)、石英環(huán)等半導(dǎo)體刻蝕關(guān)鍵部件的生產(chǎn)能力。企業(yè)主營(yíng)刻蝕設(shè)備耗材零部件，相關(guān)產(chǎn)品適配邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片制造流程，目前已經(jīng)導(dǎo)入多家頭部晶圓制造企業(yè)。

公開(kāi)信息顯示，四象半導(dǎo)體成立于2022年，聚焦半導(dǎo)體蝕刻核心耗材研發(fā)制造，持續(xù)推進(jìn)高純硅加工、碳化硅涂層等技術(shù)國(guó)產(chǎn)化。2025年12月，該基地舉行開(kāi)工儀式；2026年企業(yè)完成超2億元A輪融資，資本將持續(xù)助力產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)與產(chǎn)品迭代。

3、金剛石半導(dǎo)體材料項(xiàng)目落戶(hù)西寧

7月15日，湖北碳六科技有限公司與西寧東川工業(yè)園區(qū)管委會(huì)簽約，總投資2億元的金剛石半導(dǎo)體材料生產(chǎn)項(xiàng)目正式落地。

項(xiàng)目由湖北碳六科技有限公司投資建設(shè)，基地將圍繞CVD（化學(xué)氣相沉積）金剛石半導(dǎo)體材料搭建產(chǎn)線(xiàn)，持續(xù)擴(kuò)充金剛石材料產(chǎn)業(yè)化規(guī)模。青海具備充沛風(fēng)電、光伏綠色電力資源，能夠匹配CVD金剛石生產(chǎn)高能耗需求，為項(xiàng)目長(zhǎng)期穩(wěn)定生產(chǎn)提供要素支撐。

公開(kāi)資料顯示，湖北碳六科技深耕CVD金剛石研發(fā)制造，企業(yè)自研生產(chǎn)設(shè)備，核心配件國(guó)產(chǎn)化，可穩(wěn)定產(chǎn)出最大8英寸金剛石產(chǎn)品。金剛石憑借超高導(dǎo)熱性能，是AI芯片、高功率半導(dǎo)體器件下一代關(guān)鍵熱管理材料，廣泛用于算力硬件散熱場(chǎng)景。

4、結(jié)語(yǔ)

隨著算力產(chǎn)業(yè)鏈不斷延伸，化合物半導(dǎo)體不再局限于功率芯片、光芯片賽道，上游襯底、散熱材料、工藝耗材等細(xì)分環(huán)節(jié)持續(xù)釋放機(jī)會(huì)。上述項(xiàng)目后續(xù)的廠(chǎng)房建設(shè)、設(shè)備進(jìn)場(chǎng)、樣品驗(yàn)證與客戶(hù)導(dǎo)入進(jìn)展，將持續(xù)反映國(guó)內(nèi)新型半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)節(jié)奏。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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圖片來(lái)源：芯光光電HWLEIC

該設(shè)備采用非接觸式激光隱形切割工藝，基于自研激光內(nèi)部改質(zhì)與柔性分層剝離的創(chuàng)新技術(shù)路線(xiàn)，通過(guò)無(wú)接觸冷加工方式實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)晶圓剝離。其核心技術(shù)包括自主研發(fā)的光源系統(tǒng)、精密光路調(diào)控算法與閉環(huán)控制系統(tǒng)——可將高能激光精準(zhǔn)聚焦至晶錠預(yù)設(shè)加工深度，在晶體內(nèi)部形成均勻、穩(wěn)定的微裂紋改質(zhì)層，再經(jīng)由智能可控的剝離工藝，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶圓的平整、完整分離。

在加工效率方面，針對(duì)行業(yè)主流的8英寸襯底，單片加工時(shí)間不超過(guò)20分鐘，較傳統(tǒng)工藝效率提升40%，有效突破了產(chǎn)能瓶頸。在材料利用率方面，無(wú)鋸口激光加工工藝將單片損耗控制在80微米以?xún)?nèi)，較傳統(tǒng)工藝降低40%，大幅減少了晶錠浪費(fèi)，顯著降低了單片生產(chǎn)成本。同時(shí)，非接觸式冷加工方式保障了晶片平整度與精度的一致性，減輕了后續(xù)研磨、減薄工序的壓力，能夠更好地適配高端器件的量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

在規(guī)格覆蓋能力上，設(shè)備可全面兼容6英寸、8英寸及12英寸碳化硅晶錠，并支持導(dǎo)電型與半絕緣型基材的定制化加工，切片厚度可根據(jù)需求靈活調(diào)節(jié)，滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)功率器件、射頻器件及工業(yè)應(yīng)用等多場(chǎng)景生產(chǎn)需求。在智能化水平上，設(shè)備實(shí)現(xiàn)了從上料、加工、剝離到下料的全流程無(wú)人化操作，可無(wú)縫對(duì)接MES系統(tǒng)和AGV智能產(chǎn)線(xiàn)，同時(shí)支持云端數(shù)據(jù)可視化與遠(yuǎn)程工藝迭代，貼合現(xiàn)代化智能工廠(chǎng)的生產(chǎn)管理要求。

該設(shè)備已通過(guò)多輪測(cè)試驗(yàn)證，并經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)鑒定，整體技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。其應(yīng)用場(chǎng)景覆蓋6至12英寸碳化硅襯底量產(chǎn)及大尺寸晶圓加工，可為新能源汽車(chē)、AI數(shù)據(jù)中心、智能電網(wǎng)、5G通信等功率器件產(chǎn)業(yè)，以及AR眼鏡用光學(xué)鏡片產(chǎn)業(yè)提供高品質(zhì)的襯底加工方案。

經(jīng)此產(chǎn)品布局，芯光光電正持續(xù)深耕半導(dǎo)體激光加工領(lǐng)域，未來(lái)將迭代更大尺寸、更高精度、更智能化的加工裝備，攜手產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高質(zhì)量發(fā)展邁進(jìn)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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隨著清算程序的啟動(dòng)，SK Siltron位于密歇根州貝縣的制造工廠(chǎng)已進(jìn)入分階段停產(chǎn)流程。該工廠(chǎng)主要生產(chǎn)用于電動(dòng)汽車(chē)功率組件的碳化硅晶圓，本次關(guān)停影響約140名員工。除保留極少數(shù)負(fù)責(zé)結(jié)業(yè)善后和設(shè)施清理的核心人員外，大部分當(dāng)?shù)貑T工預(yù)計(jì)將在約60天內(nèi)分批離職。

在斗山集團(tuán)擬收購(gòu)SK Siltron的資產(chǎn)談判中，意向收購(gòu)方僅希望接管具備穩(wěn)定盈利能力的傳統(tǒng)硅晶圓業(yè)務(wù)，明確拒絕承接持續(xù)虧損的碳化硅板塊，雙方遂達(dá)成在交易推進(jìn)前先行清算SK Siltron CSS的共識(shí)。

SK Siltron于2019年以4.5億美金收購(gòu)美國(guó)杜邦公司（DuPont）的碳化硅事業(yè)部，并于2020年成立該子公司進(jìn)軍功率半導(dǎo)體賽道。然而，受全球電動(dòng)汽車(chē)（EV）需求放緩以及行業(yè)激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)導(dǎo)致的價(jià)格劇烈下跌影響，SK Siltron CSS陷入嚴(yán)重虧損，并拖累SK Siltron在2025財(cái)年錄得2936億韓元的合并凈虧損。

通過(guò)全面關(guān)停并清算美國(guó)SiC子公司，SK Siltron將止蝕并移除主要虧損源，把資金與研發(fā)資源集中于核心半導(dǎo)體硅晶圓主業(yè)。目前，公司投資2.3萬(wàn)億韓元建設(shè)的龜尾第四工廠(chǎng)已正式投產(chǎn)，推動(dòng)總體硅晶圓產(chǎn)能提升50%，未來(lái)將全力承接由人工智能（AI）芯片爆發(fā)帶來(lái)的300毫米（12英寸）硅晶圓市場(chǎng)需求。

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整套電驅(qū)核心電控單元全部采用碳化硅功率器件，整車(chē)配套800V高壓電氣平臺(tái)，電驅(qū)總成電機(jī)峰值輸出功率245kW，系統(tǒng)綜合效率達(dá)到93.8%，為當(dāng)前同級(jí)量產(chǎn)車(chē)型領(lǐng)先水平。硬件層面完成12項(xiàng)動(dòng)力硬件與4套控制軟件一體化集成，涵蓋電機(jī)、碳化硅電控、減速器、DCDC、OBC、PDU、高低壓BMS、整車(chē)控制器、全域熱管理、主動(dòng)預(yù)充、動(dòng)力域網(wǎng)關(guān)、能量/補(bǔ)能/運(yùn)動(dòng)/健康管理共計(jì)16項(xiàng)功能模塊；相比傳統(tǒng)分立式電驅(qū)結(jié)構(gòu)，精簡(jiǎn)零部件超180個(gè)，整機(jī)重量?jī)H75公斤，較行業(yè)主流方案減重15%以上。

散熱體系配套定向油冷噴淋結(jié)構(gòu)，直接對(duì)碳化硅功率模塊與電機(jī)繞組進(jìn)行冷卻，相較傳統(tǒng)水冷散熱效率提升30%，可降低碳化硅器件長(zhǎng)時(shí)間高負(fù)荷工作溫度，減少功率損耗。依托碳化硅器件適配800V高壓平臺(tái)的硬件特性，領(lǐng)克20配套6C高倍率快充能力，官方披露充電15分鐘可將電量從10%補(bǔ)充至80%，高壓線(xiàn)束長(zhǎng)度同步縮減30%，進(jìn)一步降低線(xiàn)路傳導(dǎo)損耗，充分釋放碳化硅低導(dǎo)通損耗、高頻高壓適配的材料特性。

從碳化硅器件配套邏輯來(lái)看，該16合1電驅(qū)將碳化硅功率芯片集成于一體化電控單元內(nèi)部，替代傳統(tǒng)硅基IGBT器件。整套系統(tǒng)采用單芯片全域控制架構(gòu)，動(dòng)力響應(yīng)延遲壓縮至2ms，碳化硅器件帶來(lái)的開(kāi)關(guān)損耗降低優(yōu)勢(shì)，直接支撐93.8%的綜合能效指標(biāo)，減少行駛過(guò)程中電能轉(zhuǎn)化損耗。

公開(kāi)資料顯示，星驅(qū)科技自研雷霆16合1電驅(qū)于7月16日在吉利銀河體系首發(fā)，領(lǐng)克20成為該碳化硅高集成電驅(qū)第二款落地量產(chǎn)車(chē)型。領(lǐng)克20完整搭載碳化硅電控、油冷散熱、800V高壓、6C快充全套配套方案，車(chē)型外觀(guān)延續(xù)品牌The Next Day設(shè)計(jì)語(yǔ)言，車(chē)頂搭載激光雷達(dá)硬件，整車(chē)定位純電運(yùn)動(dòng)SUV，計(jì)劃2026年第三季度正式推向市場(chǎng)交付。

當(dāng)前碳化硅電控已成為800V高壓純電車(chē)型主流標(biāo)配，海內(nèi)外多家車(chē)企均已在量產(chǎn)車(chē)型落地SiC電驅(qū)方案。海外車(chē)企方面，特斯拉自Model 3起全系主驅(qū)逆變器搭載碳化硅器件；寶馬iX1、iX2車(chē)型升級(jí)SiC電力電子系統(tǒng)，依托器件低損耗特性延長(zhǎng)續(xù)航；豐田bZ4X在車(chē)載充電機(jī)、DC/DC轉(zhuǎn)換器導(dǎo)入英飛凌碳化硅MOSFET；奧迪Q6L e-tron、保時(shí)捷多款純電車(chē)型也批量配套SiC功率模塊。

國(guó)內(nèi)自主品牌SiC落地覆蓋全價(jià)位車(chē)型矩陣。比亞迪漢EV、唐EV高端版搭載自研碳化硅電控，配套八合一集成電驅(qū)；小米SU7全系標(biāo)配全碳化硅主驅(qū)逆變器；小鵬P7+采用混合碳化硅同軸電驅(qū)；埃安RT全系標(biāo)配SiC電驅(qū)；蔚來(lái)、理想旗下高端純電車(chē)型均搭載碳化硅功率器件；吉利體系除本次領(lǐng)克20外，吉利銀河TT已率先搭載同系列16合1碳化硅油冷電驅(qū)，極氪高端車(chē)型采用安森美EliteSiC方案；零跑、長(zhǎng)安、極狐等品牌多款新車(chē)也完成碳化硅電驅(qū)定點(diǎn)與批量交付。

從技術(shù)路線(xiàn)劃分，市場(chǎng)分為全碳化硅主驅(qū)方案與混合碳化硅方案兩類(lèi)，前者多用于高端性能車(chē)型，后者兼顧成本與能效，廣泛適配主流家用純電產(chǎn)品。伴隨800V高壓平臺(tái)普及，碳化硅器件裝車(chē)滲透率持續(xù)提升，已從高端性能車(chē)逐步下沉至20萬(wàn)級(jí)主流家用車(chē)型區(qū)間。

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圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技公告

公告指出，2026年上半年功率半導(dǎo)體行業(yè)景氣度持續(xù)上行。AI服務(wù)器、新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能賽道需求集中釋放，疊加8英寸成熟制程晶圓產(chǎn)能緊張，行業(yè)呈現(xiàn)量?jī)r(jià)齊升格局。公司全年落實(shí)產(chǎn)品升級(jí)戰(zhàn)略，持續(xù)加大研發(fā)投入擴(kuò)充高附加值產(chǎn)品，上半年?duì)I業(yè)收入同比增長(zhǎng)約30%。

兩大高端業(yè)務(wù)成為增長(zhǎng)核心動(dòng)力。汽車(chē)電子業(yè)務(wù)延續(xù)一季度增長(zhǎng)勢(shì)頭，上半年收入同比增幅超100%；SiC碳化硅業(yè)務(wù)增速同樣亮眼，伴隨新品落地、下游客戶(hù)導(dǎo)入提速與產(chǎn)能持續(xù)釋放，板塊收入同比接近翻倍。

資料顯示，揚(yáng)杰科技2006年成立，2014年登陸資本市場(chǎng)，是國(guó)內(nèi)頭部功率半導(dǎo)體IDM垂直整合廠(chǎng)商，搭建起從硅片材料、晶圓制造到器件封裝測(cè)試的完整產(chǎn)業(yè)鏈體系。公司業(yè)務(wù)劃分為材料、晶圓、封裝器件三大板塊，產(chǎn)品涵蓋硅基MOS、IGBT、整流器件及650V-1700V全系列碳化硅功率器件，廣泛應(yīng)用于新能源汽車(chē)、AI服務(wù)器、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。

公司SiC產(chǎn)品覆蓋650V至1700V全電壓規(guī)格，車(chē)規(guī)級(jí)SiC?MOSFET、肖特基二極管批量供貨，適配新能源汽車(chē)400V/800V高壓平臺(tái)車(chē)載充電機(jī)、主逆變器，同時(shí)供給光伏儲(chǔ)能、工業(yè)電源、AI服務(wù)器電源等場(chǎng)景，在手訂單維持飽滿(mǎn)狀態(tài)，車(chē)規(guī)與工業(yè)產(chǎn)品分線(xiàn)生產(chǎn)保障交付能力。

產(chǎn)能建設(shè)層面，公司現(xiàn)有揚(yáng)州6英寸車(chē)規(guī)SiC專(zhuān)用晶圓產(chǎn)線(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，良率維持75%以上，配套3座獨(dú)立SiC車(chē)載封測(cè)工廠(chǎng)，實(shí)行車(chē)規(guī)、非車(chē)規(guī)產(chǎn)品分線(xiàn)生產(chǎn)管理。總投資10億元的七號(hào)廠(chǎng)車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊封裝項(xiàng)目5月完成主樓封頂，下半年啟動(dòng)設(shè)備調(diào)試，達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)7500萬(wàn)只SiC/IGBT車(chē)規(guī)模塊；公司同步變更募投資金，投入3.49億元加碼該SiC模塊產(chǎn)線(xiàn)改造，另有AI服務(wù)器SiC器件產(chǎn)線(xiàn)技改同步推進(jìn)。海外產(chǎn)能規(guī)劃落地，越南6英寸SiC晶圓工廠(chǎng)計(jì)劃2027年一季度量產(chǎn)，設(shè)計(jì)年產(chǎn)能240萬(wàn)片，主攻海外車(chē)規(guī)與工業(yè)客戶(hù)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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該項(xiàng)目代號(hào)為SiCnature，將打造歐洲首創(chuàng)的專(zhuān)業(yè)化SiC外延晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)。SiC外延晶圓是在碳化硅襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量薄膜，是制造SiC功率器件的核心基礎(chǔ)材料。公告信息顯示，項(xiàng)目將采用創(chuàng)新制備工藝，對(duì)比傳統(tǒng)熱壁CVD方案，能夠提升生產(chǎn)能效、工藝良率與整體制造效率。產(chǎn)出的SiC外延晶圓計(jì)劃供給汽車(chē)電子、工業(yè)設(shè)備、通信及新能源等領(lǐng)域。

本次補(bǔ)貼資金由德國(guó)聯(lián)邦政府與北萊茵-威斯特法倫州地方財(cái)政共同出資。歐盟委員會(huì)認(rèn)定，四座半導(dǎo)體項(xiàng)目均屬于歐洲首創(chuàng)生產(chǎn)線(xiàn)，補(bǔ)貼安排符合《歐洲芯片法案》發(fā)展目標(biāo)，有助于增強(qiáng)歐盟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主供給能力。

同期獲得補(bǔ)貼的企業(yè)還有三家：Vishay Siliconix Itzehoe GmbH獲得2.14億歐元，用于建設(shè)硅基功率MOSFET產(chǎn)線(xiàn)；KLA-Tencor MIE拿到7440萬(wàn)歐元，布局先進(jìn)光學(xué)套刻與薄膜量測(cè)設(shè)備生產(chǎn)線(xiàn)；KETEK GmbH獲得1790萬(wàn)歐元，建設(shè)硅漂移探測(cè)器及特種芯片產(chǎn)線(xiàn)。

公開(kāi)資料顯示，Element 3-5總部坐落于巴斯韋勒，聚焦寬禁帶半導(dǎo)體設(shè)備與外延工藝研發(fā)，主打面向SiC、氮化鋁、氮化鎵的外延量產(chǎn)系統(tǒng)。其外延設(shè)備方案支持垂直放置晶圓生產(chǎn)，追求薄膜均勻性與低顆粒污染，適配第三代半導(dǎo)體單晶外延量產(chǎn)需求。

從歐洲本土SiC產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀來(lái)看，區(qū)域內(nèi)英飛凌、意法半導(dǎo)體等IDM大廠(chǎng)大多采用垂直整合模式，配套自用SiC外延產(chǎn)能，面向外部市場(chǎng)的獨(dú)立商業(yè)化SiC外延晶圓供給較為稀缺，大量外延材料依賴(lài)海外廠(chǎng)商進(jìn)口。

近年依托歐盟芯片法案配套資金，歐洲持續(xù)加碼碳化硅全鏈條布局，安森美正在捷克建設(shè)覆蓋襯底、外延、器件制造的一體化8英寸SiC工廠(chǎng)，意法半導(dǎo)體在意大利打造集襯底、外延、晶圓制造于一體的碳化硅園區(qū)。但專(zhuān)門(mén)面向第三方客戶(hù)、獨(dú)立運(yùn)營(yíng)的專(zhuān)業(yè)化SiC外延產(chǎn)線(xiàn)數(shù)量較少，Element 3-5新項(xiàng)目建成后，將補(bǔ)齊歐洲第三方SiC外延產(chǎn)能短板。

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圖片來(lái)源：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室

該成果全部基于深圳平湖實(shí)驗(yàn)室自主搭建的8英寸碳化硅中試平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)了國(guó)內(nèi)少有的8英寸大尺寸溝槽型SiC JFET完整工藝閉環(huán)。這一平臺(tái)也是全球首個(gè)集科研和中試于一體的8英寸第三代功率半導(dǎo)體開(kāi)放共享平臺(tái)，為技術(shù)從實(shí)驗(yàn)室向產(chǎn)業(yè)化過(guò)渡提供了關(guān)鍵驗(yàn)證載體。在電學(xué)性能方面，器件擊穿電壓超過(guò)920V，為750V主流高壓直流應(yīng)用預(yù)留了充足的耐壓冗余；比導(dǎo)通電阻低至0.75mΩ·cm2，導(dǎo)通損耗顯著降低，功率密度得到有效提升。上述指標(biāo)均達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

此次技術(shù)突破的核心在于對(duì)傳統(tǒng)工藝路線(xiàn)的關(guān)鍵改良。在傳統(tǒng)傾角注入工藝中，溝槽刻蝕的微小尺寸波動(dòng)即會(huì)直接導(dǎo)致器件閾值電壓離散分布，量產(chǎn)一致性難以保障。研究團(tuán)隊(duì)創(chuàng)新性地將器件溝道分解為閾值調(diào)節(jié)區(qū)與耐壓調(diào)節(jié)區(qū)，并引入淺溝槽自對(duì)準(zhǔn)注入工藝，使閾值電壓獲得獨(dú)立調(diào)控能力，成功將刻蝕均勻性與閾值一致性解耦。這一技術(shù)路徑大幅拓寬了生產(chǎn)工藝窗口，從底層提升了晶圓級(jí)一致性與量產(chǎn)良率。該成果已獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)（專(zhuān)利號(hào)：CN202411938192.0）。

為滿(mǎn)足多元化的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用需求，研究團(tuán)隊(duì)同步規(guī)劃了四款導(dǎo)通電阻規(guī)格的產(chǎn)品——16mΩ、35mΩ、80mΩ及165mΩ，可靈活適配從中小功率到高功率場(chǎng)景的不同設(shè)備方案?？煽啃则?yàn)證方面，器件在500小時(shí)的持續(xù)考核中表現(xiàn)出優(yōu)異的長(zhǎng)期穩(wěn)定性，基本性能未出現(xiàn)退化，為后續(xù)規(guī)?；瘧?yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

此次750V溝槽型SiC JFET的成功推出，標(biāo)志著我國(guó)在該細(xì)分賽道實(shí)現(xiàn)了從工藝、器件到知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全方位自主突破，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)8英寸碳化硅器件領(lǐng)域的關(guān)鍵能力短板。下一步，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室第三代躍升團(tuán)隊(duì)將擴(kuò)充產(chǎn)品規(guī)格體系，依托開(kāi)放共享的中試平臺(tái)加速產(chǎn)業(yè)化落地，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)碳化硅器件在AI算力基礎(chǔ)設(shè)施、智能電網(wǎng)、工業(yè)電力等關(guān)鍵領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用，以自主半導(dǎo)體技術(shù)支撐我國(guó)數(shù)字基礎(chǔ)設(shè)施與新型電力系統(tǒng)的高質(zhì)量發(fā)展。

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公司子公司浙江晶瑞電子材料有限公司正加快推進(jìn)年產(chǎn)60萬(wàn)片8英寸SiC襯底項(xiàng)目投產(chǎn)工作，同時(shí)啟動(dòng)配套新一期基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，匹配下游新能源、AI、AR等市場(chǎng)長(zhǎng)期增長(zhǎng)需求。

該8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)基地落地杭州灣上虞經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，產(chǎn)線(xiàn)采用無(wú)人化自動(dòng)運(yùn)行與數(shù)字化管控體系，能夠?qū)崿F(xiàn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅晶片品質(zhì)穩(wěn)定控制與全流程追溯，目標(biāo)打造全自動(dòng)智能化工廠(chǎng)。行業(yè)趨勢(shì)方面，晶盛機(jī)電判斷，8英寸SiC襯底將逐步成為全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)主流尺寸。

產(chǎn)能布局上，晶盛機(jī)電同步推進(jìn)海內(nèi)外雙基地建設(shè)。海外馬來(lái)西亞8英寸SiC襯底工廠(chǎng)建設(shè)有序推進(jìn)，項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年底實(shí)現(xiàn)通線(xiàn)投產(chǎn)，一期規(guī)劃年產(chǎn)能24萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底。國(guó)內(nèi)上虞基地疊加海外檳城工廠(chǎng)，將形成國(guó)內(nèi)、海外協(xié)同的供應(yīng)體系，面向全球客戶(hù)提供多元化材料保障。

技術(shù)研發(fā)層面，依托自研碳化硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備與成套工藝，晶盛機(jī)電已實(shí)現(xiàn)8英寸SiC襯底穩(wěn)定規(guī)?；慨a(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品取得海內(nèi)外客戶(hù)批量訂單，并實(shí)現(xiàn)海外批量出貨。同時(shí)公司攻克12英寸碳化硅晶體生長(zhǎng)溫場(chǎng)不均、晶體開(kāi)裂等技術(shù)難點(diǎn)，建成12英寸碳化硅襯底加工中試線(xiàn)，12英寸光學(xué)級(jí)碳化硅襯底已進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段。

從產(chǎn)業(yè)鏈配套來(lái)看，晶盛機(jī)電同步布局上游晶體配套項(xiàng)目，寧夏銀川8英寸碳化硅襯底配套晶體項(xiàng)目已投產(chǎn)，保障襯底制造環(huán)節(jié)原材料穩(wěn)定供給。依托設(shè)備自研優(yōu)勢(shì)，公司實(shí)現(xiàn)碳化硅晶體生長(zhǎng)、切割、拋光、清洗、檢測(cè)全流程設(shè)備自主可控。

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