根據(jù)雙方協(xié)議條款，本次授權(quán)核心為納微自研溝槽輔助平面（TAP）專(zhuān)利架構(gòu)，覆蓋電壓等級(jí)包含1200V、2300V、3300V及以上超高壓規(guī)格，對(duì)應(yīng)第四代與第五代兩代GeneSiC平臺(tái)全部工藝專(zhuān)利、器件設(shè)計(jì)方案。除技術(shù)本身外，納微同步開(kāi)放自身碳化硅供應(yīng)鏈、材料生態(tài)體系資源，支撐MagnaChip快速完成技術(shù)移植、晶圓工藝驗(yàn)證與產(chǎn)線(xiàn)內(nèi)部化落地，產(chǎn)品將在其韓國(guó)本土工廠(chǎng)完成流片制造。

公開(kāi)技術(shù)資料顯示，第五代GeneSiC依托TAP架構(gòu)融合平面結(jié)構(gòu)可靠性與溝槽結(jié)構(gòu)導(dǎo)通損耗優(yōu)勢(shì)，1200V產(chǎn)品品質(zhì)因數(shù)較上代提升35%，開(kāi)關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗同步優(yōu)化，適配AI服務(wù)器高壓電源、儲(chǔ)能變流器、電網(wǎng)固態(tài)變壓器、工業(yè)傳動(dòng)、新能源車(chē)車(chē)載功率單元等大功率場(chǎng)景，也是當(dāng)前納微布局算力基礎(chǔ)設(shè)施供電方案的主力器件平臺(tái)。

MagnaChip作為韓國(guó)老牌模擬與功率半導(dǎo)體廠(chǎng)商，過(guò)往主營(yíng)顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理IC，此前并無(wú)自研碳化硅MOSFET能力。通過(guò)本次專(zhuān)利授權(quán)，企業(yè)無(wú)需長(zhǎng)期投入前端技術(shù)研發(fā)，即可快速推出自主品牌高壓SiC產(chǎn)品，主攻韓國(guó)本土儲(chǔ)能電站、電網(wǎng)基建、工業(yè)設(shè)備、新能源汽車(chē)市場(chǎng)，補(bǔ)齊第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣短板。雙方同時(shí)提及，本次僅為首期合作，后續(xù)還將探索氮化鎵等寬禁帶器件更多協(xié)同空間，具體內(nèi)容另行公布。

從商業(yè)模式來(lái)看，此次專(zhuān)利授權(quán)是納微半導(dǎo)體技術(shù)變現(xiàn)與生態(tài)擴(kuò)張的重要落地動(dòng)作。在自有器件銷(xiāo)售之外，通過(guò)向海外成熟IDM廠(chǎng)商輸出SiC核心專(zhuān)利，收取授權(quán)費(fèi)用并擴(kuò)大GeneSiC技術(shù)全球滲透率；同時(shí)借助MagnaChip本土制造與客戶(hù)渠道，進(jìn)一步滲透韓國(guó)電力能源與車(chē)載功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：云南鍺業(yè)公告截圖?

公告數(shù)據(jù)顯示，本次合同金額對(duì)應(yīng)占公司2025年度經(jīng)審計(jì)營(yíng)業(yè)收入比重為53.48%至80.23%，訂單體量對(duì)公司未來(lái)兩年?duì)I收具備較強(qiáng)拉動(dòng)作用。出于商業(yè)保密約定，上市公司未披露采購(gòu)方具體名稱(chēng)，僅說(shuō)明合作客戶(hù)經(jīng)營(yíng)信譽(yù)良好、履約能力充足，與公司不存在關(guān)聯(lián)關(guān)系，交易履約風(fēng)險(xiǎn)整體可控。

磷化銦襯底是高速光模塊、光通信激光器與探測(cè)器的核心上游化合物半導(dǎo)體材料，伴隨AI算力拉動(dòng)800G/1.6T光模塊需求爆發(fā)，行業(yè)磷化銦晶片供需持續(xù)偏緊。本次長(zhǎng)單落地，是客戶(hù)對(duì)云南鍺業(yè)產(chǎn)品良率、批量交付能力的認(rèn)可，也直接鎖定了未來(lái)一年多核心產(chǎn)品的出貨量。

產(chǎn)能端配套規(guī)劃同步推進(jìn)，公司在2026年4月啟動(dòng)高品質(zhì)磷化銦單晶片擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，計(jì)劃新建年產(chǎn)30萬(wàn)片（折合4英寸）產(chǎn)線(xiàn)，項(xiàng)目建設(shè)期18個(gè)月，全部達(dá)產(chǎn)后磷化銦襯底總產(chǎn)能將提升至45萬(wàn)片/年。公司管理層在投資者溝通中表示，在建擴(kuò)產(chǎn)產(chǎn)能進(jìn)度可完全覆蓋本次大額訂單交付需求，保障長(zhǎng)期供貨穩(wěn)定性。

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邦芯半導(dǎo)體2020年成立，為國(guó)家級(jí)專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)，核心聚焦硅基特種工藝設(shè)備與化合物半導(dǎo)體加工設(shè)備自研，已完整推出6/8/12英寸介質(zhì)刻蝕機(jī)、干法化學(xué)刻蝕設(shè)備、鎢薄膜沉積設(shè)備等前道核心裝備，產(chǎn)品適配碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體晶圓制造場(chǎng)景，可滿(mǎn)足功率器件、射頻芯片量產(chǎn)制程需求。

產(chǎn)品商業(yè)化層面，公司設(shè)備已在多家晶圓廠(chǎng)通過(guò)工藝驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)批量出貨，2025年單年設(shè)備出貨量突破100臺(tái)，歷史累計(jì)出貨總量超200臺(tái)，在SiC碳化硅刻蝕細(xì)分設(shè)備領(lǐng)域具備較高國(guó)產(chǎn)市占率。

除上海臨港總部研發(fā)與生產(chǎn)基地外，企業(yè)同步布局武漢華中智造基地、青島產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，青島子公司一期產(chǎn)線(xiàn)規(guī)劃總投資額2億元，將進(jìn)一步放大北方區(qū)域交付能力，與當(dāng)?shù)丶呻娐樊a(chǎn)業(yè)鏈形成配套協(xié)同。

本次融資到位后，邦芯半導(dǎo)體將加大干法刻蝕腔體結(jié)構(gòu)、等離子體工藝、高可靠真空傳輸模塊等核心技術(shù)投入，針對(duì)8英寸、12英寸SiC量產(chǎn)線(xiàn)做設(shè)備專(zhuān)項(xiàng)優(yōu)化，同時(shí)擴(kuò)充售后工藝團(tuán)隊(duì)，解決第三代半導(dǎo)體器件制造中的刻蝕形貌、表面缺陷控制等行業(yè)痛點(diǎn)，推進(jìn)半導(dǎo)體前道設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程。

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太空中的輻射環(huán)境對(duì)半導(dǎo)體器件構(gòu)成雙重威脅：累積性輻射損傷會(huì)逐步劣化器件性能，而高能粒子引發(fā)的單粒子效應(yīng)則可能導(dǎo)致電路瞬間誤動(dòng)作。

RIC70115在總電離劑量方面可耐受最高100krad(Si)，在線(xiàn)性能量傳輸指標(biāo)方面通過(guò)最高81.9MeV·cm2/mg的高能粒子沖擊驗(yàn)證。英飛凌表示，這一防護(hù)等級(jí)不僅覆蓋近地軌道衛(wèi)星任務(wù)，亦可滿(mǎn)足更嚴(yán)苛的深空探測(cè)需求。

在功能集成方面，RIC70115內(nèi)置米勒鉗位功能，可有效防止電壓瞬變引發(fā)的功率管誤導(dǎo)通；搭載降噪電路以抑制電磁與射頻干擾；同時(shí)集成的低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器可由5V或12V輸入生成4.8V驅(qū)動(dòng)電壓，有助于減少外圍元件數(shù)量。該芯片支持-55℃至+125℃工作溫度范圍，符合MIL-PRF-38535軍工航天標(biāo)準(zhǔn)。

英飛凌高可靠性事業(yè)部高級(jí)副總裁邁克·米爾斯表示，該產(chǎn)品旨在支持航天電力系統(tǒng)向氮化鎵架構(gòu)的過(guò)渡。目前RIC70115芯片及其配套評(píng)估板RIC70115EVAL1已正式上市銷(xiāo)售。

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圖片來(lái)源：瑞能半導(dǎo)體官網(wǎng)

據(jù)官方資料，該系列模塊電壓覆蓋1200V至2300V區(qū)間，器件最低導(dǎo)通電阻Rds(on)可達(dá)1.5mΩ，同時(shí)支持客戶(hù)定制化電氣結(jié)構(gòu)與封裝方案。固態(tài)變壓器整機(jī)轉(zhuǎn)換效率可達(dá)98%，新品拓?fù)涓采w兩類(lèi)主流架構(gòu)：三級(jí)拓?fù)淠K可優(yōu)化電磁干擾表現(xiàn)，代表型號(hào)為WMSC5R0N17B3T；兩級(jí)拓?fù)淦骷刂七壿嫺?jiǎn)單、整機(jī)體積更小，代表型號(hào)為WMSC5R0F23B3T。

值得了解的是，瑞能半導(dǎo)體正處于重大股權(quán)變動(dòng)進(jìn)程中。公開(kāi)公告顯示，紫光國(guó)微計(jì)劃以發(fā)行股份及支付現(xiàn)金相結(jié)合方式，合計(jì)作價(jià)19億元收購(gòu)瑞能半導(dǎo)體100%股權(quán)。交易方案中，股份支付占比80%、現(xiàn)金支付占比20%，同時(shí)配套募集資金不超過(guò)3.96億元。

相關(guān)方案已于6月8日獲得股東大會(huì)審議通過(guò)，6月16日申請(qǐng)材料正式獲深交所受理。本次交易尚需完成交易所審核、證監(jiān)會(huì)注冊(cè)等多道流程，股權(quán)交割并未落地，現(xiàn)階段瑞能半導(dǎo)體保持獨(dú)立運(yùn)營(yíng)。交易完成后，瑞能半導(dǎo)體將終止在全國(guó)股轉(zhuǎn)系統(tǒng)掛牌，成為紫光國(guó)微全資子公司。

資料顯示，瑞能半導(dǎo)體前身源自恩智浦功率器件業(yè)務(wù)，2015年由建廣資產(chǎn)與恩智浦合資設(shè)立，后續(xù)實(shí)現(xiàn)全面中資控股。企業(yè)長(zhǎng)期布局碳化硅賽道，碳化硅二極管迭代至第六代實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，第二代碳化硅MOSFET已經(jīng)推向市場(chǎng)，產(chǎn)品線(xiàn)覆蓋工業(yè)電源、新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心供電等賽道。

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近期國(guó)內(nèi)三個(gè)差異化化合物半導(dǎo)體項(xiàng)目相繼迎來(lái)落地、建設(shè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)：

• 上海九東半導(dǎo)體磷化銦襯底制造項(xiàng)目簽約落戶(hù)云南曲靖
• 湖北碳六科技CVD金剛石半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地落地青海西寧
• 安徽四象半導(dǎo)體合肥基地推進(jìn)建設(shè)，將量產(chǎn)碳化硅環(huán)等刻蝕核心部件

1、上海九東半導(dǎo)體磷化銦襯底項(xiàng)目落地曲靖

7月22日，據(jù)曲靖發(fā)布消息，曲靖方面與國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)上海九東半導(dǎo)體股份有限公司完成深度洽談，并正式簽訂《磷化銦襯底制造項(xiàng)目投資協(xié)議》。

自簽約落地之后，短短一個(gè)月內(nèi)，項(xiàng)目同步推進(jìn)工商注冊(cè)、廠(chǎng)房規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等各項(xiàng)工作，多個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)提前落地。目前項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)主體云南九東半導(dǎo)體科技有限公司已經(jīng)完成工商注冊(cè)。企業(yè)計(jì)劃7月下旬將公司主體由昆明遷移至曲靖經(jīng)開(kāi)區(qū)，完成遷址手續(xù)后，立刻全面啟動(dòng)項(xiàng)目立項(xiàng)相關(guān)流程。

公開(kāi)資料顯示，上海九東半導(dǎo)體聚焦磷化銦襯底研發(fā)與量產(chǎn)，具備3英寸、4英寸、6英寸磷化銦單晶片穩(wěn)定制造能力。磷化銦襯底是高速光芯片核心基材，廣泛應(yīng)用于800G、1.6T光模塊，伴隨AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，市場(chǎng)需求持續(xù)增長(zhǎng)。曲靖擁有磷、銦稀貴金屬資源以及綠色電力配套優(yōu)勢(shì)，契合磷化銦材料生產(chǎn)的要素需求。

2、四象半導(dǎo)體項(xiàng)目轉(zhuǎn)入地上施工，布局碳化硅刻蝕部件

7月20日，據(jù)合肥高新發(fā)布消息，安徽四象半導(dǎo)體材料科技有限公司半導(dǎo)體部件總部生產(chǎn)基地項(xiàng)目取得重要建設(shè)進(jìn)展，項(xiàng)目順利實(shí)現(xiàn)“正負(fù)零”節(jié)點(diǎn)目標(biāo)，工程正式由地下結(jié)構(gòu)施工階段切換至地上主體結(jié)構(gòu)施工。

該項(xiàng)目坐落于合肥高新區(qū)習(xí)友路與大龍山路交口西南角，總投資額7.5億元，用地面積約40畝，總建筑面積4.6萬(wàn)平方米，規(guī)劃建設(shè)Fab生產(chǎn)車(chē)間、動(dòng)力及廢水處理設(shè)施、綜合樓、甲類(lèi)倉(cāng)庫(kù)等配套單體?，F(xiàn)階段各工區(qū)同步推進(jìn)建設(shè)，F(xiàn)ab車(chē)間北區(qū)開(kāi)展屋面主體結(jié)構(gòu)施工，南區(qū)持續(xù)進(jìn)行基礎(chǔ)承臺(tái)開(kāi)挖；動(dòng)力站、廢水處理站、綜合樓地下室結(jié)構(gòu)施工全部完成，啟動(dòng)地上施工工序。按照建設(shè)計(jì)劃，項(xiàng)目預(yù)計(jì)2026年底實(shí)現(xiàn)竣工投產(chǎn)。

產(chǎn)能規(guī)劃方面，基地全面達(dá)產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)27.6萬(wàn)片硅電極、硅環(huán)、碳化硅環(huán)、石英環(huán)等半導(dǎo)體刻蝕關(guān)鍵部件的生產(chǎn)能力。企業(yè)主營(yíng)刻蝕設(shè)備耗材零部件，相關(guān)產(chǎn)品適配邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片制造流程，目前已經(jīng)導(dǎo)入多家頭部晶圓制造企業(yè)。

公開(kāi)信息顯示，四象半導(dǎo)體成立于2022年，聚焦半導(dǎo)體蝕刻核心耗材研發(fā)制造，持續(xù)推進(jìn)高純硅加工、碳化硅涂層等技術(shù)國(guó)產(chǎn)化。2025年12月，該基地舉行開(kāi)工儀式；2026年企業(yè)完成超2億元A輪融資，資本將持續(xù)助力產(chǎn)線(xiàn)建設(shè)與產(chǎn)品迭代。

3、金剛石半導(dǎo)體材料項(xiàng)目落戶(hù)西寧

7月15日，湖北碳六科技有限公司與西寧東川工業(yè)園區(qū)管委會(huì)簽約，總投資2億元的金剛石半導(dǎo)體材料生產(chǎn)項(xiàng)目正式落地。

項(xiàng)目由湖北碳六科技有限公司投資建設(shè)，基地將圍繞CVD（化學(xué)氣相沉積）金剛石半導(dǎo)體材料搭建產(chǎn)線(xiàn)，持續(xù)擴(kuò)充金剛石材料產(chǎn)業(yè)化規(guī)模。青海具備充沛風(fēng)電、光伏綠色電力資源，能夠匹配CVD金剛石生產(chǎn)高能耗需求，為項(xiàng)目長(zhǎng)期穩(wěn)定生產(chǎn)提供要素支撐。

公開(kāi)資料顯示，湖北碳六科技深耕CVD金剛石研發(fā)制造，企業(yè)自研生產(chǎn)設(shè)備，核心配件國(guó)產(chǎn)化，可穩(wěn)定產(chǎn)出最大8英寸金剛石產(chǎn)品。金剛石憑借超高導(dǎo)熱性能，是AI芯片、高功率半導(dǎo)體器件下一代關(guān)鍵熱管理材料，廣泛用于算力硬件散熱場(chǎng)景。

4、結(jié)語(yǔ)

隨著算力產(chǎn)業(yè)鏈不斷延伸，化合物半導(dǎo)體不再局限于功率芯片、光芯片賽道，上游襯底、散熱材料、工藝耗材等細(xì)分環(huán)節(jié)持續(xù)釋放機(jī)會(huì)。上述項(xiàng)目后續(xù)的廠(chǎng)房建設(shè)、設(shè)備進(jìn)場(chǎng)、樣品驗(yàn)證與客戶(hù)導(dǎo)入進(jìn)展，將持續(xù)反映國(guó)內(nèi)新型半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化推進(jìn)節(jié)奏。

（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）

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GaN HEMT憑借高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高電子遷移率等優(yōu)勢(shì)，在650V以下的低壓消費(fèi)類(lèi)快充市場(chǎng)已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化應(yīng)用。然而，在電動(dòng)汽車(chē)、光伏逆變等中高壓應(yīng)用場(chǎng)景中，器件柵漏區(qū)嚴(yán)重的電場(chǎng)集中導(dǎo)致器件提前擊穿的問(wèn)題成為了制約其發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難題。場(chǎng)板或終端技術(shù)雖可緩解這一問(wèn)題，但會(huì)增加工藝復(fù)雜度和制造成本。PSJ技術(shù)通過(guò)電荷補(bǔ)償效應(yīng)，可實(shí)現(xiàn)柵漏區(qū)均勻電場(chǎng)分布，緩解電場(chǎng)集中問(wèn)題，為提升GaN HEMTs的擊穿電壓提供了新思路。但此前報(bào)道的GaNPSJ-HEMTs多為耗盡型（D-mode），其常開(kāi)特性不僅增加了電路設(shè)計(jì)的復(fù)雜性與成本，還對(duì)系統(tǒng)長(zhǎng)期可靠性提出了嚴(yán)苛要求。

針對(duì)這一產(chǎn)業(yè)界技術(shù)難題，劉超教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合遠(yuǎn)山半導(dǎo)體基于p-GaN柵極設(shè)計(jì)，利用遠(yuǎn)山獨(dú)有的GaN PSJ高耐壓氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)器件柵漏區(qū)極化電荷平衡，成功制備出E-mode GaN PSJ-HEMTs，在保證器件常關(guān)特性的前提下，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)1800V的擊穿電壓和超過(guò)20A的電流輸出特性。器件的比導(dǎo)通電阻低至4.6mΩ·cm2，巴利加優(yōu)值（BFOM）超過(guò)785MW/cm2，在安培級(jí)電流輸出能力的E-mode GaN HEMTs中處于領(lǐng)先水平，體現(xiàn)出E-mode PSJ-HEMT在中高壓應(yīng)用的巨大潛力。

該E-modePSJ-HEMTs方案規(guī)避了耗盡型器件需要負(fù)壓關(guān)斷的電路設(shè)計(jì)約束，在簡(jiǎn)化系統(tǒng)復(fù)雜度、提升可靠性的同時(shí)，充分發(fā)揮了GaN材料體系在高壓、高功率方面的本征優(yōu)勢(shì)。此次實(shí)現(xiàn)的1800V/20A E-modeGaN PSJ-HEMTs為大功率GaN器件的開(kāi)發(fā)提供了關(guān)鍵技術(shù)與可行路徑。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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納米晶體是2023年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)核心研究方向，該尺度材料具備獨(dú)特光電、催化特性，但過(guò)往合成體系僅適配少量材料，金屬氮化物長(zhǎng)期難以實(shí)現(xiàn)納米化。金屬氮化物化學(xué)鍵鍵能極高，晶體成型過(guò)程中離子難以完成鍵的斷裂與重組，傳統(tǒng)合成路線(xiàn)完全無(wú)法產(chǎn)出分散性良好的納米晶，成為領(lǐng)域長(zhǎng)期存在的核心約束。

本次研究團(tuán)隊(duì)提出熔融鹽+精準(zhǔn)溫壓調(diào)控的全新合成方案：以熔融無(wú)機(jī)鹽替代傳統(tǒng)有機(jī)溶劑作為反應(yīng)介質(zhì)，同時(shí)匹配專(zhuān)屬溫度、氨氣壓力區(qū)間，創(chuàng)造金屬-氮化學(xué)鍵可自由解離、重組的反應(yīng)條件，徹底顛覆行業(yè)傳統(tǒng)合成思路。依托該工藝，團(tuán)隊(duì)成功穩(wěn)定制備近十類(lèi)金屬氮化物納米晶，核心代表包括氮化鎵、氮化鈦、氮化鈮、氮化鉬等主流功能氮化物材料。

各類(lèi)材料對(duì)應(yīng)成熟產(chǎn)業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景清晰：氮化鎵是LED、屏幕、射頻功率器件核心基材；氮化鈦適配醫(yī)用植入物；氮化鈮為工業(yè)超導(dǎo)材料；氮化鉬廣泛用作化工催化劑。此前上述材料僅能加工為剛性薄膜，制成納米晶后可直接混入高分子基材、噴墨打印成型，能夠集成于織物、可彎曲基板，支撐柔性顯示、穿戴電子、曲面照明等新型設(shè)備制造，大幅拓寬第三代半導(dǎo)體氮化物材料的應(yīng)用邊界。

論文第一作者、芝加哥大學(xué)研究生Ruiming Lin表示，電鏡觀(guān)測(cè)下納米晶尺寸均勻可控，單顆晶體尺度僅數(shù)十納米，數(shù)十億顆晶體可容納于指甲蓋大小區(qū)域，材料量產(chǎn)原料成本低廉，具備后續(xù)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)化潛力。項(xiàng)目通訊作者Dmitri Talapin教授評(píng)價(jià)，該成果突破氮化物納米材料領(lǐng)域底層限制，為全系列金屬氮化物納米化應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。

本次研究依托芝加哥大學(xué)材料科學(xué)工程中心、阿貢納米材料中心設(shè)備資源完成，研究經(jīng)費(fèi)由美國(guó)能源部、三星量子點(diǎn)合作項(xiàng)目、美國(guó)空軍科研辦公室、美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金會(huì)聯(lián)合支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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01、星鑰半導(dǎo)體數(shù)億元融資落地，加碼硅基GaN功率器件量產(chǎn)

近日，專(zhuān)注硅基氮化鎵功率器件研發(fā)量產(chǎn)的星鑰半導(dǎo)體，完成數(shù)億元新一輪融資，本輪融資由鼎暉香港基金等多家戰(zhàn)略及財(cái)務(wù)機(jī)構(gòu)聯(lián)合參與。成立以來(lái)，星鑰半導(dǎo)體持續(xù)獲得資本青睞，先后落地多輪融資，投資方囊括高瓴創(chuàng)投、紅杉中國(guó)、中芯聚源、多地國(guó)資產(chǎn)業(yè)基金等頭部機(jī)構(gòu)，產(chǎn)業(yè)與資本認(rèn)可度持續(xù)提升。

星鑰半導(dǎo)體聚焦第三代半導(dǎo)體硅基GaN技術(shù)路線(xiàn)，主打650V–900V全系硅基氮化鎵功率器件，產(chǎn)品核心適配AI服務(wù)器高壓電源、高端消費(fèi)快充、工業(yè)電源等主流高增長(zhǎng)場(chǎng)景。

相較于傳統(tǒng)碳化硅基器件，硅基GaN可兼容大尺寸硅晶圓成熟產(chǎn)線(xiàn)，在成本與規(guī)模化量產(chǎn)上具備顯著優(yōu)勢(shì)，是當(dāng)前寬禁帶半導(dǎo)體降本普及、大規(guī)模替代傳統(tǒng)硅基功率器件的核心方向。

本輪融資資金，將主要用于硅基GaN器件工藝迭代、產(chǎn)線(xiàn)升級(jí)以及規(guī)模化市場(chǎng)導(dǎo)入，進(jìn)一步提升國(guó)產(chǎn)氮化鎵功率器件的量產(chǎn)能力與市場(chǎng)滲透率。

02、藍(lán)河科技B6輪數(shù)億元融資，攻堅(jiān)國(guó)產(chǎn)化合物半導(dǎo)體核心裝備

化合物半導(dǎo)體生長(zhǎng)設(shè)備廠(chǎng)商藍(lán)河科技順利完成數(shù)億元B6輪融資。本輪融資由中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)投資基金領(lǐng)投，泰達(dá)科創(chuàng)、長(zhǎng)江創(chuàng)新等機(jī)構(gòu)跟投。依托多輪持續(xù)融資，公司持續(xù)獲得國(guó)家級(jí)基金、產(chǎn)業(yè)資本、財(cái)務(wù)資本的長(zhǎng)期加持，產(chǎn)能與研發(fā)投入持續(xù)提速。

圖片來(lái)源：企查查信息截圖

藍(lán)河科技專(zhuān)注化合物半導(dǎo)體裝備與材料技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)業(yè)化，核心主打高端MOCVD設(shè)備，同時(shí)布局高溫CVD（HTCVD）、MOCVD腔體再生清潔設(shè)備等配套產(chǎn)品線(xiàn)，形成完整的化合物外延設(shè)備配套能力。不同于單一賽道設(shè)備廠(chǎng)商，公司設(shè)備適配品類(lèi)廣泛，可服務(wù)于氮化鎵功率器件、碳化硅功率器件、氧化鎵超寬禁帶材料、紅黃光LED等多領(lǐng)域量產(chǎn)與研發(fā)。

作為化合物半導(dǎo)體外延生產(chǎn)的核心設(shè)備，MOCVD的工藝精度直接決定外延片良率、穩(wěn)定性和器件性能。藍(lán)河科技憑借多材料適配能力和設(shè)備迭代經(jīng)驗(yàn)，已經(jīng)進(jìn)入多家功率半導(dǎo)體、新型超寬禁帶材料企業(yè)供應(yīng)鏈。

03、晶耀芯輝獲地方專(zhuān)精特新基金投資，補(bǔ)齊磷化銦光芯片產(chǎn)能

在光通信化合物賽道，高端磷化銦外延與芯片領(lǐng)域同樣迎來(lái)資本落地。近期，鐘金控集團(tuán)旗下常州鐘樓專(zhuān)精與特新投資合伙企業(yè)，正式投資南京晶耀芯輝半導(dǎo)體科技有限公司，助力企業(yè)擴(kuò)產(chǎn)高端光芯片核心產(chǎn)能。

公開(kāi)資料顯示，晶耀芯輝成立于2023年10月，落戶(hù)南京，是一家聚焦高端磷化銦外延材料、高速激光器芯片研發(fā)與生產(chǎn)的科創(chuàng)企業(yè)。磷化銦是第二代化合物半導(dǎo)體核心材料，也是當(dāng)前AI高速光模塊不可或缺的基礎(chǔ)材料，800G、1.6T高速光通信、數(shù)據(jù)中心高速互連所需的激光芯片，均高度依賴(lài)高品質(zhì)磷化銦外延片支撐。

當(dāng)前全球AI算力建設(shè)持續(xù)提速，高速光模塊迭代節(jié)奏加快，上游磷化銦材料和高速光芯片供需持續(xù)偏緊。但國(guó)內(nèi)高端磷化銦外延、高速EML激光器芯片產(chǎn)能有限，高端產(chǎn)品長(zhǎng)期依賴(lài)海外廠(chǎng)商，國(guó)產(chǎn)化替代空間巨大。晶耀芯輝主要布局100G、200G高速激光芯片及硅光集成配套光源芯片，產(chǎn)品面向高速光通信、算力互連等主流高端場(chǎng)景。

04、結(jié)語(yǔ)

本輪三筆融資，分別落地功率器件、核心設(shè)備、光芯片三大關(guān)鍵環(huán)節(jié)，完整覆蓋了國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體兩大核心賽道。目前國(guó)內(nèi)SiC、GaN功率半導(dǎo)體及高速光芯片市場(chǎng)需求持續(xù)旺盛，產(chǎn)業(yè)鏈擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏提速。在此背景下，資本逐步從下游器件端，向上游設(shè)備、材料、外延等核心短板環(huán)節(jié)轉(zhuǎn)移。整體而言，國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體正進(jìn)入全鏈條補(bǔ)鏈提速階段。隨著更多國(guó)產(chǎn)設(shè)備、材料與芯片產(chǎn)能落地，產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力將持續(xù)增強(qiáng)，進(jìn)一步夯實(shí)行業(yè)長(zhǎng)期發(fā)展基礎(chǔ)。

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圖片來(lái)源：芯光光電HWLEIC

該設(shè)備采用非接觸式激光隱形切割工藝，基于自研激光內(nèi)部改質(zhì)與柔性分層剝離的創(chuàng)新技術(shù)路線(xiàn)，通過(guò)無(wú)接觸冷加工方式實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)晶圓剝離。其核心技術(shù)包括自主研發(fā)的光源系統(tǒng)、精密光路調(diào)控算法與閉環(huán)控制系統(tǒng)——可將高能激光精準(zhǔn)聚焦至晶錠預(yù)設(shè)加工深度，在晶體內(nèi)部形成均勻、穩(wěn)定的微裂紋改質(zhì)層，再經(jīng)由智能可控的剝離工藝，實(shí)現(xiàn)碳化硅晶圓的平整、完整分離。

在加工效率方面，針對(duì)行業(yè)主流的8英寸襯底，單片加工時(shí)間不超過(guò)20分鐘，較傳統(tǒng)工藝效率提升40%，有效突破了產(chǎn)能瓶頸。在材料利用率方面，無(wú)鋸口激光加工工藝將單片損耗控制在80微米以?xún)?nèi)，較傳統(tǒng)工藝降低40%，大幅減少了晶錠浪費(fèi)，顯著降低了單片生產(chǎn)成本。同時(shí)，非接觸式冷加工方式保障了晶片平整度與精度的一致性，減輕了后續(xù)研磨、減薄工序的壓力，能夠更好地適配高端器件的量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。

在規(guī)格覆蓋能力上，設(shè)備可全面兼容6英寸、8英寸及12英寸碳化硅晶錠，并支持導(dǎo)電型與半絕緣型基材的定制化加工，切片厚度可根據(jù)需求靈活調(diào)節(jié)，滿(mǎn)足車(chē)規(guī)級(jí)功率器件、射頻器件及工業(yè)應(yīng)用等多場(chǎng)景生產(chǎn)需求。在智能化水平上，設(shè)備實(shí)現(xiàn)了從上料、加工、剝離到下料的全流程無(wú)人化操作，可無(wú)縫對(duì)接MES系統(tǒng)和AGV智能產(chǎn)線(xiàn)，同時(shí)支持云端數(shù)據(jù)可視化與遠(yuǎn)程工藝迭代，貼合現(xiàn)代化智能工廠(chǎng)的生產(chǎn)管理要求。

該設(shè)備已通過(guò)多輪測(cè)試驗(yàn)證，并經(jīng)山東電子學(xué)會(huì)鑒定，整體技術(shù)水平達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先。其應(yīng)用場(chǎng)景覆蓋6至12英寸碳化硅襯底量產(chǎn)及大尺寸晶圓加工，可為新能源汽車(chē)、AI數(shù)據(jù)中心、智能電網(wǎng)、5G通信等功率器件產(chǎn)業(yè)，以及AR眼鏡用光學(xué)鏡片產(chǎn)業(yè)提供高品質(zhì)的襯底加工方案。

經(jīng)此產(chǎn)品布局，芯光光電正持續(xù)深耕半導(dǎo)體激光加工領(lǐng)域，未來(lái)將迭代更大尺寸、更高精度、更智能化的加工裝備，攜手產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向高質(zhì)量發(fā)展邁進(jìn)。

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