圖片來(lái)源：鎵仁半導(dǎo)體

半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽(yù)為“第四代半導(dǎo)體”的氧化鎵，憑借其更耐高溫、更耐高壓、性能更優(yōu)等特性，成為下一代電力電子器件領(lǐng)域的“理想材料”，備受全球關(guān)注。

不過(guò)，作為新興材料，氧化鎵仍面臨較大技術(shù)難題。比如氧化鎵在高溫熔融狀態(tài)下性質(zhì)很不穩(wěn)定，用主流方法很難讓它規(guī)規(guī)矩矩地結(jié)晶。同時(shí)，它的結(jié)晶過(guò)程就像在鍛造一件精密瓷器，對(duì)“火候”（溫度）和環(huán)境的要求極高，稍有偏差，晶體就會(huì)產(chǎn)生缺陷甚至碎裂，難以得到完整、高質(zhì)量的單晶。因此，穩(wěn)定制備大尺寸氧化鎵單晶的挑戰(zhàn)，曾是其邁向大規(guī)模應(yīng)用的主要瓶頸。

這一背景下，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司聚焦氧化鎵單晶制備技術(shù)攻關(guān)，依托自主研發(fā)的“鑄造法”，在材料生長(zhǎng)上取得重要突破。該方法具備成本低、效率高、工藝簡(jiǎn)單可控、尺寸易放大等優(yōu)勢(shì)。

今年初，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司團(tuán)隊(duì)成功發(fā)布全球首顆8英寸氧化鎵單晶，標(biāo)志著我國(guó)在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)“換道超車”。該成果可與現(xiàn)有硅基8英寸產(chǎn)線完全兼容，為氧化鎵從實(shí)驗(yàn)室走向規(guī)?；瘧?yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：揚(yáng)杰科技

根據(jù)雙方披露的合作細(xì)節(jié)，早在協(xié)議簽署的兩年前，揚(yáng)杰科技便已啟動(dòng)與奔馳技術(shù)團(tuán)隊(duì)的深度對(duì)接。面對(duì)奔馳及其供應(yīng)鏈在應(yīng)用適配、可靠性驗(yàn)證等方面的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，雙方通過(guò)小批量合作完成了多輪極端工況下的效果驗(yàn)證。

在國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，揚(yáng)杰科技與比亞迪及多家造車新勢(shì)力的合作持續(xù)深化。目前，公司的車規(guī)級(jí)功率器件已廣泛應(yīng)用于車載充電（OBC）、電源管理及輔助驅(qū)動(dòng)等關(guān)鍵系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模批量交付。同時(shí)，公司正順應(yīng)高壓化趨勢(shì)，積極配合客戶在新一代平臺(tái)中推進(jìn)IGBT及SiC功率模塊的技術(shù)驗(yàn)證，力求在更核心的電驅(qū)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國(guó)產(chǎn)化突破，為客戶提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的系統(tǒng)級(jí)解決方案。

海外市場(chǎng)方面，揚(yáng)杰科技通過(guò)旗下MCC品牌加速本土化布局，已成功進(jìn)入Stellantis集團(tuán)供應(yīng)商體系，批量供應(yīng)整流及保護(hù)器件。此外，公司憑借優(yōu)異的產(chǎn)品可靠性，獲得了博世、大陸、安波福等全球頂級(jí)Tier 1廠商的認(rèn)證，通過(guò)嵌入這些巨頭的全球供應(yīng)鏈網(wǎng)絡(luò)，間接配套多家國(guó)際主流車企，穩(wěn)步實(shí)現(xiàn)從“單一產(chǎn)品出?！毕颉叭蛏疃扰涮住钡膽?zhàn)略升級(jí)。

車企與芯片廠從“買賣關(guān)系”走向“深度綁定”
揚(yáng)杰科技與奔馳的合作，深刻折射出汽車產(chǎn)業(yè)與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度融合的變革趨勢(shì)。在2025年新能源汽車市場(chǎng)“價(jià)格戰(zhàn)”與“技術(shù)戰(zhàn)”雙重高壓下，為了在保障供應(yīng)鏈安全的同時(shí)實(shí)現(xiàn)極致降本與技術(shù)定制，主流車企與頭部功率器件廠商的關(guān)系，正加速?gòu)膫鹘y(tǒng)的“單純采購(gòu)”向“聯(lián)合研發(fā)”乃至“資本綁定”升級(jí)。

除揚(yáng)杰科技外，國(guó)內(nèi)行業(yè)領(lǐng)軍者的產(chǎn)業(yè)協(xié)同效應(yīng)已在2025年全面顯現(xiàn)。斯達(dá)半導(dǎo)與長(zhǎng)安汽車（深藍(lán)）合資成立的“重慶安達(dá)半導(dǎo)體”已步入成熟運(yùn)營(yíng)期，其本土化生產(chǎn)的車規(guī)級(jí)IGBT及SiC模塊，成為了長(zhǎng)安深藍(lán)及阿維塔系列車型穩(wěn)定交付的堅(jiān)實(shí)后盾。

士蘭微則依托IDM模式的持續(xù)迭代，其V代IGBT及最新一代SiC MOS產(chǎn)品已深度嵌入比亞迪、吉利、零跑等車企的核心供應(yīng)鏈，不僅實(shí)現(xiàn)了主驅(qū)模塊的大規(guī)模量產(chǎn)上車，更在800V高壓平臺(tái)應(yīng)用上取得了顯著的市場(chǎng)份額。

此外，中車時(shí)代電氣也進(jìn)一步擴(kuò)大了與東風(fēng)、一汽等車企的深度合作，推動(dòng)國(guó)產(chǎn)電驅(qū)芯片從“可用”邁向“好用”。這一系列行業(yè)動(dòng)態(tài)表明，具備IDM垂直整合能力、能夠提供SiC等稀缺資源定制化方案并承諾長(zhǎng)期保供的功率半導(dǎo)體廠商，已正式成為全球汽車產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的戰(zhàn)略合伙人。

（集邦化合物半導(dǎo)體 EMMA 整理）

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圖片來(lái)源：中國(guó)光谷

團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人李思超博士說(shuō)，該成果目前已完成概念驗(yàn)證，即將開(kāi)始中試驗(yàn)證，預(yù)計(jì)3-5年內(nèi)量產(chǎn)，屆時(shí)可滿足千億級(jí)市場(chǎng)需求。

1、吉瓦級(jí)算力爆發(fā)式增長(zhǎng)，AI數(shù)據(jù)中心能耗缺口凸顯

當(dāng)下AI算力中心是典型的“以電換算”模式，1座1吉瓦AI算力中心一年用電量達(dá)87.6億度，相當(dāng)于一座大型核電站的滿負(fù)荷發(fā)電量。其中負(fù)責(zé)將高壓電轉(zhuǎn)換為XPU（專用處理器）所需低壓電的電源模塊，年耗電量就有10億度，占中心總用電量的11%，是能耗占比極高的核心部件。

未來(lái)算力中心的能耗壓力正以“吉瓦級(jí)”為單位持續(xù)攀升，全球科技巨頭與國(guó)家層面的算力基建布局，更直觀印證了能耗問(wèn)題的緊迫性，節(jié)能已成為算力產(chǎn)業(yè)不可回避的核心訴求。

谷歌與AI獨(dú)角獸Anthropic在2025年10月達(dá)成數(shù)百億美元算力合作，明確配套1吉瓦電力容量，為百萬(wàn)個(gè)TPU芯片提供算力支撐，僅這一單一合作項(xiàng)目的能耗就相當(dāng)于一座大型核電站的供電規(guī)模。

OpenAI更是密集布局超大型算力集群，與博通、AMD分別推進(jìn)兩項(xiàng)10吉瓦級(jí)定制算力項(xiàng)目，疊加與甲骨文、軟銀聯(lián)合打造的8吉瓦“星際之門”算力園區(qū)，僅其公開(kāi)披露的項(xiàng)目總能耗就已突破28吉瓦，相當(dāng)于紐約市峰值用電規(guī)模的兩倍以上。

但此前算力中心電源模塊多采用硅基芯片，這種傳統(tǒng)方案存在明顯短板。一方面電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中損耗高，造成大量電力浪費(fèi)；另一方面硅基模塊體積較大，不利于算力機(jī)柜的高密度部署，且長(zhǎng)期使用下來(lái)綜合成本也居高不下。

02、氮化鎵技術(shù)“降電革命”，破解吉瓦級(jí)算力能耗困局

氮化鎵作為新一代半導(dǎo)體材料，具有更高的電子遷移率和耐壓特性。將其制成硅基氮化鎵芯片裝入電源模塊后，電能轉(zhuǎn)換損耗能降低30%，這正是該模塊實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)能的核心原因。同時(shí)，氮化鎵材料的特性還能讓模塊體積縮小30%，既節(jié)省機(jī)柜空間，又能適配算力中心高密度部署需求。

為了搶占未來(lái)的產(chǎn)業(yè)技術(shù)制高點(diǎn)，九峰山實(shí)驗(yàn)室在今年初組建了一支由李思超博士領(lǐng)導(dǎo)的跨部門攻關(guān)團(tuán)隊(duì)，專注于氮化鎵電源模塊的研發(fā)。盡管氮化鎵半導(dǎo)體工藝復(fù)雜，涉及上千道工序，且加工精度要求達(dá)到納米級(jí)別，但實(shí)驗(yàn)室的7名博士經(jīng)過(guò)數(shù)百輪測(cè)試與優(yōu)化，成功實(shí)現(xiàn)了氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)的閉環(huán)。

圖片來(lái)源：中國(guó)光谷

目前，九峰山實(shí)驗(yàn)室已與多家國(guó)內(nèi)數(shù)據(jù)中心電源廠商達(dá)成合作，承接商業(yè)訂單規(guī)模超過(guò)千萬(wàn)元。此外，實(shí)驗(yàn)室還與光谷國(guó)資平臺(tái)合作，成功孵化了8家化合物半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)，推動(dòng)前沿技術(shù)成果的轉(zhuǎn)化與應(yīng)用。該氮化鎵電源模塊預(yù)計(jì)將滿足千億級(jí)市場(chǎng)需求，隨著全球AI算力中心的擴(kuò)張，電源模塊市場(chǎng)潛力巨大。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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會(huì)上，新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺(tái)發(fā)布，同時(shí)該公司氮化鎵功率全工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。

圖片來(lái)源：新微半導(dǎo)體

新微半導(dǎo)體指出，這一平臺(tái)的建成，為國(guó)內(nèi)氮化鎵功率器件設(shè)計(jì)提供了強(qiáng)大而可靠的制造基石，將有力推動(dòng)高效率、高密度電源解決方案在AI計(jì)算、汽車電子等領(lǐng)域的創(chuàng)新與應(yīng)用。

新微集團(tuán)總裁秦曦表示，新微將氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的縱深布局提升至核心戰(zhàn)略高度，規(guī)劃不僅涵蓋芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，更系統(tǒng)性延伸至上游材料與裝備、中游制造與封測(cè)以及下游系統(tǒng)應(yīng)用，致力于構(gòu)建一個(gè)開(kāi)放協(xié)同、富有韌性的氮化鎵產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈。

資料顯示，新微半導(dǎo)體專注化合物半導(dǎo)體晶圓代工，已在功率半導(dǎo)體方向構(gòu)建起全面的硅基氮化鎵功率工藝平臺(tái)，覆蓋從低壓（30V-100V）、中壓（100V-200V）到高壓（650V-700V）的全電壓范圍，廣泛適用于消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人及新能源汽車等終端場(chǎng)景，助力能效提升。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：芯聯(lián)集成官微稿件截圖

01、設(shè)立基金，深度綁定供應(yīng)鏈

2025年12月2日，#芯聯(lián)集成 聯(lián)合多家國(guó)資正式成立芯聯(lián)紹興集成電路產(chǎn)業(yè)基金，并由芯聯(lián)資本擔(dān)任管理人，推動(dòng)“以投促產(chǎn)”模式落地。活動(dòng)當(dāng)日，該基金迅速完成首批項(xiàng)目簽約，分別引入維科精密與富樂(lè)德兩家核心供應(yīng)商。

其中，與維科精密的合作聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)配套精密零部件及自動(dòng)化生產(chǎn)；與富樂(lè)德的合作則圍繞半導(dǎo)體功率模塊材料研發(fā)及制造展開(kāi)。兩大項(xiàng)目的成功簽約，標(biāo)志著芯聯(lián)集成“以投促產(chǎn)、以投促鏈”模式取得實(shí)質(zhì)性突破，將進(jìn)一步促進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈升級(jí)與協(xié)同創(chuàng)新。

02、業(yè)績(jī)減虧，45億加碼擴(kuò)產(chǎn)

根據(jù)芯聯(lián)集成發(fā)布的2025年三季度報(bào)告，公司業(yè)績(jī)呈現(xiàn)出營(yíng)收增長(zhǎng)與虧損收窄并行的趨勢(shì)。前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入54.22億元，同比增長(zhǎng)19.23%；歸母凈利潤(rùn)為-4.63億元，同比減虧2.21億元。

圖片來(lái)源：芯聯(lián)集成

基于當(dāng)前的訂單交付情況與市場(chǎng)需求，公司預(yù)計(jì)2025年全年收入將達(dá)到80至83億元，虧損額度有望進(jìn)一步收窄。市場(chǎng)機(jī)構(gòu)普遍預(yù)測(cè)，隨著營(yíng)收規(guī)模效應(yīng)的釋放及折舊攤銷壓力的相對(duì)減輕，公司有望在2026年實(shí)現(xiàn)年度扭虧為盈。

為支撐未來(lái)的業(yè)務(wù)增長(zhǎng)及滿足市場(chǎng)需求，公司制定了較為積極的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃。芯聯(lián)集成2025年的資本開(kāi)支預(yù)算定為45億元，這筆資金將主要用于三個(gè)核心方向：一是建設(shè)二期8英寸碳化硅（SiC）產(chǎn)線，以應(yīng)對(duì)新能源汽車及工業(yè)領(lǐng)域的高壓需求；二是擴(kuò)建TSV封裝線，滿足高端MEMS及先進(jìn)封裝訂單；三是增加12英寸數(shù)?；旌袭a(chǎn)能。這些投入旨在進(jìn)一步提升高端產(chǎn)品的制造能力，確保在車載功率模組及高端模擬芯片領(lǐng)域的市場(chǎng)份額持續(xù)提升。

03、技術(shù)迭代升級(jí)，拓展AI數(shù)據(jù)中心等增量市場(chǎng)

在技術(shù)與市場(chǎng)拓展方面，芯聯(lián)集成近期發(fā)布了碳化硅（SiC）G2.0技術(shù)平臺(tái)，標(biāo)志著其在寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)能力邁上新臺(tái)階。新一代平臺(tái)在器件結(jié)構(gòu)與工藝制程上進(jìn)行了全面優(yōu)化，核心指標(biāo)如開(kāi)關(guān)損耗較上一代顯著降低，具備更高效率、更高功率密度及更高可靠性。技術(shù)性能的提升不僅鞏固了公司在新能源汽車主驅(qū)市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力，更為其進(jìn)入對(duì)能效要求極為嚴(yán)苛的新興領(lǐng)域提供了技術(shù)支撐。

目前，芯聯(lián)集成的市場(chǎng)戰(zhàn)略已從單一的車載領(lǐng)域向多元化應(yīng)用場(chǎng)景延伸。隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展，AI數(shù)據(jù)中心對(duì)電源系統(tǒng)的能效提出了更高要求，碳化硅憑借其優(yōu)異的物理特性成為解決高算力能耗問(wèn)題的關(guān)鍵方案。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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圖片來(lái)源：英諾賽科新聞稿截圖

此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、驅(qū)動(dòng)和封裝專業(yè)知識(shí)，配合Innoscience的氮化鎵晶圓及大規(guī)模制造領(lǐng)導(dǎo)力，力求更快地將成本效益高、節(jié)能的解決方案推向市場(chǎng)，加速氮化鎵的普及。

雙方合作將擴(kuò)大Onsemi的低壓和中壓氮化鎵功率組合，并將氮化鎵制造規(guī)模擴(kuò)大到全球，從而加快市場(chǎng)供應(yīng)和更廣泛的采用。

雙方將依托#安森美 的GaN功率解決方案與英諾賽科的領(lǐng)先晶圓制造技術(shù)，共同瞄準(zhǔn)GaN功率器件市場(chǎng)——該市場(chǎng)預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到29億美元總體市場(chǎng)規(guī)模，為雙方帶來(lái)數(shù)億美元的潛在價(jià)值。

圖片來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖

兩家公司的技術(shù)預(yù)計(jì)將為工業(yè)、汽車、電信基礎(chǔ)設(shè)施、消費(fèi)及人工智能數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)提供更小、更高效的氮化鎵解決方案。

多領(lǐng)域深度綁定：英諾賽科的氮化鎵生態(tài)版圖

英諾賽科是全球領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片企業(yè)，在蘇州、珠海擁有兩座8英寸硅基氮化鎵晶圓生產(chǎn)基地。采用IDM全產(chǎn)業(yè)鏈模式，專注于氮化鎵芯片與電源模塊的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造，可提供15V至1200V全電壓譜系的氮化鎵晶圓、分立器件、集成功率集成電路及模組產(chǎn)品。產(chǎn)品主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、數(shù)據(jù)中心、可再生能源及工業(yè)電源等領(lǐng)域。

英諾賽科作為氮化鎵領(lǐng)域龍頭，合作企業(yè)既涵蓋英偉達(dá)、意法半導(dǎo)體這類全球頂尖半導(dǎo)體及科技巨頭，同時(shí)還與美的、聯(lián)合電子等終端領(lǐng)域企業(yè)深度綁定，覆蓋半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈及新能源、家電等應(yīng)用領(lǐng)域。

其中，今年10月，英諾賽科宣布成為英偉達(dá)800V直流電源架構(gòu)合作商名錄中唯一的中國(guó)芯片企業(yè)，為其提供氮化鎵功率器件，攜手推動(dòng)該架構(gòu)在AI數(shù)據(jù)中心的規(guī)?；瘧?yīng)用，助力單機(jī)柜功率密度突破300kW，推動(dòng)AI數(shù)據(jù)中心邁入兆瓦級(jí)供電時(shí)代。

稍早一點(diǎn)的4月，意法半導(dǎo)體與英諾賽科正式簽署氮化鎵技術(shù)開(kāi)發(fā)與制造協(xié)議，雙方攜手推進(jìn)氮化鎵功率技術(shù)的聯(lián)合開(kāi)發(fā)計(jì)劃，目標(biāo)是攻克下一代氮化鎵技術(shù)，并在未來(lái)幾年內(nèi)共同推動(dòng)該技術(shù)在消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、汽車、工業(yè)電源系統(tǒng)等領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用的光明前景。

國(guó)內(nèi)合作方面，今年7月，英諾賽科與聯(lián)合電子共建氮化鎵聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，聚焦車規(guī)級(jí)氮化鎵電驅(qū)系統(tǒng)開(kāi)發(fā)，以此支撐新能源汽車的高壓快充和電機(jī)控制需求，推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在新能源汽車電力電子系統(tǒng)中的落地。

此外，英諾賽科與美的集團(tuán)旗下多個(gè)子公司與英諾賽科達(dá)成合作，其中700V高壓氮化鎵產(chǎn)品已在美的抽油煙機(jī)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，還和美的威靈在空調(diào)電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域開(kāi)展戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)氮化鎵技術(shù)在家電領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：廣東致能半導(dǎo)體官微

據(jù)介紹，致能半導(dǎo)體通過(guò)導(dǎo)入行業(yè)領(lǐng)先的制造工藝及創(chuàng)新的技術(shù)平臺(tái)，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學(xué)性能、制造一致性等核心指標(biāo)方面均較競(jìng)爭(zhēng)技術(shù)展現(xiàn)出全面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

資料顯示，致能半導(dǎo)體成立于2018年，是國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體氮化鎵領(lǐng)域的高新技術(shù)企業(yè)，專注于氮化鎵功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。致能半導(dǎo)體核心業(yè)務(wù)聚焦硅基氮化鎵芯片及其共封裝器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，具備完整IDM能力。公司擁有TO247、TOLL、PQFN56等多種封裝類型的氮化鎵功率器件，已完成硅基氮化鎵高功率大電壓常開(kāi)平面元器件研發(fā)并交付客戶。

今年7月，公司CEO黎子蘭博士在瑞典舉辦的#國(guó)際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議（ICNS）上，首次公布硅基垂直GaN HEMT功率器件技術(shù)。該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了硅襯底上垂直GaN/AlGaN結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)和二維電子氣溝道構(gòu)建，還做出全球首個(gè)垂直常開(kāi)、常關(guān)兩種類型器件，其中常關(guān)器件閾值電壓最高可達(dá)4V以上，憑借原創(chuàng)性貢獻(xiàn)獲得會(huì)議廣泛關(guān)注與高度評(píng)價(jià)。

融資方面，廣東致能半導(dǎo)體目前已完成多輪融資，從早期種子輪逐步推進(jìn)至C輪，投資方涵蓋知名VC資本、產(chǎn)業(yè)基金及頭部企業(yè)創(chuàng)投等。

今年1月廣東致能半導(dǎo)體完成C輪融資，投資方包括高榕資本、博世創(chuàng)投、深創(chuàng)投等。此次融資正值公司推進(jìn)氮化鎵器件量產(chǎn)的關(guān)鍵階段，資本的注入為其提升產(chǎn)能、強(qiáng)化供應(yīng)鏈體系提供了有力支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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圖片來(lái)源：中科光智

項(xiàng)目落地金牛區(qū)，補(bǔ)強(qiáng)半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈

近期，成都市金牛區(qū)人民政府與中科光智簽署投資合作協(xié)議，標(biāo)志著碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心項(xiàng)目在金牛高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)園區(qū)正式啟動(dòng)。根據(jù)規(guī)劃，該項(xiàng)目不僅涵蓋高精度全自動(dòng)貼片機(jī)及納米銀壓力燒結(jié)機(jī)等核心設(shè)備的研發(fā)、制造、銷售與結(jié)算，還將同步打造半導(dǎo)體封裝測(cè)試驗(yàn)證公共服務(wù)平臺(tái)。這一平臺(tái)將面向行業(yè)提供開(kāi)放的共性技術(shù)驗(yàn)證服務(wù)，有效降低中小企業(yè)的研發(fā)門檻與測(cè)試成本，成為金牛區(qū)完善電子信息產(chǎn)業(yè)生態(tài)、賦能全鏈創(chuàng)新的關(guān)鍵支撐。

對(duì)于致力于打造國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略備份基地的成都而言，該項(xiàng)目具有重要的補(bǔ)鏈意義。目前，金牛區(qū)已集聚了6家核心企業(yè)，主要集中在特種芯片與射頻微系統(tǒng)領(lǐng)域，但在制造環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)集中度相對(duì)薄弱，亟需優(yōu)質(zhì)項(xiàng)目引領(lǐng)。中科光智的入駐將直接填補(bǔ)金牛區(qū)在半導(dǎo)體制造后道環(huán)節(jié)封裝設(shè)備的空白，吸引產(chǎn)業(yè)鏈上下游集聚，增強(qiáng)區(qū)域產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

獲國(guó)資基金投資，深化西南戰(zhàn)略布局

此次落地是#中科光智 布局西南市場(chǎng)的關(guān)鍵一步。公司在官微透露，已完成B輪融資首家簽約，獲得成都市金牛區(qū)交子私募基金管理有限公司的數(shù)千萬(wàn)元投資，并成立了中科光智（成都）科技有限公司。

成都子公司將服務(wù)于公司“立足總部，輻射全國(guó)”的戰(zhàn)略，通過(guò)建設(shè)總部與子公司之間的協(xié)同鏈路，充分發(fā)揮區(qū)域資源互補(bǔ)優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)“1+1＞2”的協(xié)同增益效應(yīng)。金牛區(qū)通過(guò)精準(zhǔn)引育，將區(qū)域產(chǎn)業(yè)升級(jí)需求與企業(yè)戰(zhàn)略方向深度綁定，雙方將共同搶占國(guó)產(chǎn)替代的新機(jī)遇。

聚焦SiC封裝設(shè)備，實(shí)現(xiàn)核心機(jī)型國(guó)產(chǎn)替代

中科光智成立于2021年，專注于半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)域。憑借多年研發(fā)積累，公司率先在國(guó)內(nèi)推出用于高可靠性SiC芯片封裝的預(yù)貼片和納米銀燒結(jié)設(shè)備，并于2024年陸續(xù)導(dǎo)入客戶SiC模塊產(chǎn)線。

未來(lái)在金牛區(qū)研制的高精度全自動(dòng)貼片機(jī)是公司的核心產(chǎn)品，直指國(guó)內(nèi)高端貼片裝備市場(chǎng)空白。該設(shè)備搭載先進(jìn)運(yùn)動(dòng)控制與視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)，通過(guò)優(yōu)化貼片頭設(shè)計(jì)，在保證高精度與穩(wěn)定性的同時(shí)實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，大幅降低客戶成本。同時(shí)，公司的全自動(dòng)多頭有壓燒結(jié)設(shè)備研發(fā)進(jìn)展順利，即將投放市場(chǎng)，進(jìn)一步完善其封裝全流程產(chǎn)品體系。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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交易方式上，代價(jià)A將由宏光半導(dǎo)體通過(guò)向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬(wàn)股股份的方式支付，發(fā)行價(jià)為每股0.50港元。代價(jià)B將由公司通過(guò)向賣方B發(fā)行承兌票據(jù)的方式支付，承兌票據(jù)本金額4081.6萬(wàn)港元。

交易前，深圳鎵宏由宏光半導(dǎo)體全資子公司Swift Power持股約60.30%。交易完成后，深圳鎵宏將成為宏光半導(dǎo)體間接全資附屬公司，持股比例將提升至73.28%。

資料顯示，宏光半導(dǎo)體最初以LED燈珠設(shè)計(jì)、開(kāi)發(fā)和制造為核心業(yè)務(wù)，憑借在背光模組、顯示驅(qū)動(dòng)等細(xì)分市場(chǎng)的深耕，已在國(guó)內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)重要位置。

1、LED企業(yè)戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，瞄準(zhǔn)三代半賽道

近年來(lái)，面對(duì)LED需求趨緩和新能源、快充等新興應(yīng)用的增長(zhǎng)，宏光主動(dòng)轉(zhuǎn)型，聚焦氮化鎵（GaN）功率芯片及相關(guān)射頻外延片的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

圖片來(lái)源：宏光半導(dǎo)體官網(wǎng)

宏光半導(dǎo)體于2022年與協(xié)鑫集團(tuán)簽署戰(zhàn)略合作框架，雙方將在GaN功率芯片在新能源充電、儲(chǔ)能、光伏逆變器等場(chǎng)景的應(yīng)用展開(kāi)長(zhǎng)期合作，協(xié)鑫提供資本與供應(yīng)鏈資源，宏光提供技術(shù)與產(chǎn)品化能力。

2023年3月，宏光進(jìn)一步通過(guò)收購(gòu)華芯邦科技的方式，補(bǔ)足模擬/混合信號(hào)芯片設(shè)計(jì)、先進(jìn)封裝及Fab?Lite制造能力，以形成GaN全產(chǎn)業(yè)鏈的IDM布局。這些動(dòng)作表明宏光正從單純的LED制造商向兼具材料、外延、芯片設(shè)計(jì)與封裝的綜合性第三代半導(dǎo)體企業(yè)轉(zhuǎn)變。

2、鎵宏半導(dǎo)體：聚焦氮化鎵技術(shù)

深圳鎵宏半導(dǎo)體成立于2023年，是宏光在GaN業(yè)務(wù)中的核心平臺(tái)，專注于GaN功率芯片及射頻外延片的研發(fā)、生產(chǎn)和代工。

在產(chǎn)能方面，深圳鎵宏半導(dǎo)體依托子公司江蘇鎵宏的徐州工廠實(shí)現(xiàn)核心產(chǎn)能落地，目前已達(dá)成 6 英寸氮化鎵外延片的量產(chǎn)。同時(shí)搭建的首條試驗(yàn)線，已完整覆蓋外延生長(zhǎng)、器件制造以及模組開(kāi)發(fā)等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，具備從芯片到模組的全流程生產(chǎn)能力。

在技術(shù)合作方面，鎵宏半導(dǎo)體在國(guó)內(nèi)與深圳泰高技術(shù)達(dá)成全面戰(zhàn)略合作，為其提供氮化鎵射頻與功率芯片工藝研發(fā)支持及穩(wěn)定的外延片服務(wù)，合作涵蓋硅基、碳化硅基等多類型氮化鎵外延片領(lǐng)域。

國(guó)際上則與以色列 VisIC、加拿大 Gan System（已被英飛凌收購(gòu)）等頂尖氮化鎵大功率芯片設(shè)計(jì)公司建立技術(shù)與業(yè)務(wù)合作，以此加速自身 IDM 項(xiàng)目建設(shè)。

3、結(jié)語(yǔ)

宏光半導(dǎo)體通過(guò)1.14億元收購(gòu)深圳鎵宏12.98%股權(quán)，實(shí)現(xiàn)對(duì)GaN外延與制造資源的進(jìn)一步整合。兩者的協(xié)同將為宏光在新能源快充、光伏逆變、5G射頻等高增長(zhǎng)應(yīng)用場(chǎng)景提供強(qiáng)有力的技術(shù)與產(chǎn)能支撐。

（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）

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圖片來(lái)源：芯上微裝

AST6200光刻機(jī)是芯上微裝基于多年光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、精密運(yùn)動(dòng)控制與半導(dǎo)體工藝?yán)斫夥e淀，傾力打造的高性能、高可靠性、全自主可控的步進(jìn)式光刻設(shè)備，專為功率、射頻、光電子及Micro LED等先進(jìn)制造場(chǎng)景量身定制。核心性能亮點(diǎn)包括：

高分辨率成像滿足先進(jìn)工藝需求，搭載大數(shù)值孔徑投影物鏡，結(jié)合多種照明模式與可變光瞳技術(shù)，實(shí)現(xiàn)350nm高分辨率，滿足當(dāng)前主流化合物半導(dǎo)體芯片的光刻工藝要求。

高精度套刻配置高精度對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)正面套刻80nm，背面套刻500nm，確保多層圖形精準(zhǔn)套刻，提升器件良率。

高產(chǎn)率設(shè)計(jì)，顯著降低擁有成本（COO）

• 高照度I-line光源（365nm）
• 高速直線電機(jī)基底傳輸系統(tǒng)，支持2/3/4/6/8英寸多種規(guī)格基片快速切換
• 高速高精度運(yùn)動(dòng)臺(tái)系統(tǒng)，最大加速度1.5g，大幅提升單位時(shí)間產(chǎn)能
• 強(qiáng)工藝適應(yīng)性，兼容多材質(zhì)、多形態(tài)基底

支持Si、SiC、InP、GaAs、藍(lán)寶石等多種材質(zhì)基片

• 兼容平邊、雙平邊、Notch等多種基片類型
• 創(chuàng)新調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)，采用多光斑、大角度入射設(shè)計(jì)，可精準(zhǔn)測(cè)量透明、半透明、不透明及大臺(tái)階基底
• 支持背面對(duì)準(zhǔn)模塊，滿足鍵合片等復(fù)雜制程的背面對(duì)準(zhǔn)需求
• 100%軟件自主可控打造全棧國(guó)產(chǎn)生態(tài)，AST6200搭載芯上微裝自主研發(fā)的全棧式軟件控制系統(tǒng)
• 從底層驅(qū)動(dòng)到上層工藝管理，實(shí)現(xiàn)完全自主主權(quán)。系統(tǒng)具備強(qiáng)大的工藝擴(kuò)展性與遠(yuǎn)程運(yùn)維能力
• 持續(xù)賦能設(shè)備生命周期，助力客戶實(shí)現(xiàn)智能化產(chǎn)線升級(jí)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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