此次新品包含兩大核心品類，分別為大功率半橋帶基板LM平臺模塊、可擴展全橋無基板WolfPACK?系列模塊，均適配2kV及以上直流母線架構(gòu)，支持24小時不間斷工況運行，可助力工程師簡化功率設(shè)計，采用兩電平拓撲優(yōu)化系統(tǒng)架構(gòu)。

其中，半橋帶基板模塊適配800A以上大功率場景，專為光伏、電網(wǎng)級儲能、風電等嚴苛變換器應(yīng)用優(yōu)化；全橋無基板模塊主打模塊化設(shè)計，可靈活搭建多電平、串并聯(lián)變換器架構(gòu)，針對固態(tài)變壓器 (SST) 和模塊化可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施進行了優(yōu)化。

兩款模塊系列均針對不間斷運行基礎(chǔ)設(shè)施的嚴苛需求而設(shè)計。Wolfspeed WolfPACK? 模塊采用先進的燒結(jié)芯片貼裝和環(huán)氧樹脂灌封材料，與標準的硅凝膠灌封模塊相比，功率循環(huán)性能顯著提升。同樣，帶基板模塊通過采用燒結(jié)芯片貼裝和銅芯片頂部系統(tǒng)的先進封裝技術(shù)，實現(xiàn)了更高的系統(tǒng)耐久性和功率循環(huán)能力。兩個模塊系列均采用第四代 (Gen 4) 技術(shù)，具有改進的宇宙射線耐受性。

目前，IBB020A33GM4、IBB020A33GM4T及HAB900C33LM4等型號樣品已向特定客戶開放申請。

（集邦化合物半導體整理）

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此次研發(fā)攻關(guān)過程中，研發(fā)團隊選用穩(wěn)定性強、使用效率更高的二氯二氧化鉬作為工藝前驅(qū)體，在四百攝氏度工藝溫度條件下，成功制備出性能指標優(yōu)異的金屬鉬薄膜，整套工藝方案運行穩(wěn)定，薄膜成膜質(zhì)量、均勻性以及各項關(guān)鍵參數(shù)均達到行業(yè)先進水準，這也是國內(nèi)行業(yè)內(nèi)首次依托8英寸半導體工藝平臺順利完成該套ALD鉬工藝的完整開發(fā)與驗證工作。

原子層沉積設(shè)備是半導體先進制造、化合物半導體器件生產(chǎn)環(huán)節(jié)不可或缺的核心裝備，金屬鉬薄膜憑借優(yōu)良的導電性能與貼合度，廣泛應(yīng)用于第三代、第四代半導體功率器件、射頻芯片以及先進封裝互聯(lián)層等核心場景，是提升器件耐壓能力、降低導通損耗、優(yōu)化整體電學性能的關(guān)鍵功能性薄膜材料。長久以來，高端ALD配套金屬薄膜工藝長期被海外技術(shù)壟斷，本土設(shè)備廠商在高端工藝適配與量產(chǎn)化應(yīng)用層面始終存在諸多壁壘。

九峰山實驗室依托完善的化合物半導體中試研發(fā)載體，持續(xù)聯(lián)動本土設(shè)備企業(yè)推進工藝自研與技術(shù)適配，本次8英寸ALD鉬工藝順利突破，不僅充分驗證了國產(chǎn)ALD設(shè)備在高端精密薄膜沉積領(lǐng)域的技術(shù)實力與適配能力，也標志著國內(nèi)化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈在設(shè)備端與工藝端協(xié)同發(fā)展邁出重要一步。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：晶盛機電

此次擴產(chǎn)項目引入了無人化自動運行與數(shù)字化管控系統(tǒng)，確保車規(guī)級SiC晶片的質(zhì)量穩(wěn)定可靠及全線可追溯，致力于建設(shè)成為行業(yè)領(lǐng)先的全自動智能工廠。

在戰(zhàn)略布局方面，同步建設(shè)的馬來西亞工廠預(yù)計于2026年底通線投產(chǎn)，為全球客戶提供多元化的供應(yīng)保障。

作為全球知名的化合物半導體材料供應(yīng)商，浙江晶瑞SuperSiC始終專注于SiC等化合物半導體材料的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，具備從晶體生長到切磨拋、檢測的全鏈條能力，核心設(shè)備均實現(xiàn)自主可控。

資料顯示，晶盛機電通過“裝備+材料”雙輪驅(qū)動的模式，為客戶提供從設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)到材料供應(yīng)、智能工廠解決方案的全鏈條服務(wù)，業(yè)務(wù)覆蓋半導體、光伏、藍寶石及碳化硅等領(lǐng)域。2026年第一季度，晶盛機電實現(xiàn)營業(yè)收入17.29億元，歸母凈利潤1.03億元。

稍早之前，公司發(fā)布公告稱，其碳化硅襯底材料業(yè)務(wù)已實現(xiàn)6至8英寸碳化硅襯底的規(guī)?；慨a(chǎn)與銷售，核心參數(shù)指標達到行業(yè)一流水平。碳化硅項目在浙江上虞及寧夏銀川已順利投產(chǎn)，位于馬來西亞檳城的碳化硅襯底項目預(yù)計于2027年投產(chǎn)。公司表示將繼續(xù)加大研發(fā)投入，推動核心技術(shù)的突破與市場需求的深度挖掘，力求在全球半導體產(chǎn)業(yè)中占據(jù)更大的市場份額。

（集邦化合物半導體整理）

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本屆大會將匯聚全球整車、動力系統(tǒng)、產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)及科研院所技術(shù)專家，圍繞動力系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)與熱點方向，通過全體大會、專題論壇、技術(shù)展示、新品發(fā)布與創(chuàng)新評選，共同探討技術(shù)路線、前沿技術(shù)與工程創(chuàng)新。TMC2026期待與您共同推動動力系統(tǒng)技術(shù)深層次創(chuàng)新與落地，助力新能源汽車高質(zhì)量發(fā)展。

演講與展覽企業(yè)

截止發(fā)稿日已有135家企業(yè)申請「不含整車企業(yè)及科研院所」

殼牌（中國）有限公司、東睦新材料集團股份有限公司、深圳方正微電子有限公司、珠海華粵傳動科技有限公司、和騁新材料科技（上海）有限公司、森薩塔科技出光潤滑油（中國）有限公司、?？松梨诨ど虅?wù)（上海）有限公司、福斯?jié)櫥停ㄖ袊┯邢薰?、東莞市海晟傳動科技有限公司、嘉實多（上海）管理有限公司、上海望寒新材料科技有限公司、株洲中車時代半導體股份有限公司、佛山富士離合器有限公司、歐科林格塑料科技（青島）有限公司、江蘇南方精工股份有限公司、上海凱森環(huán)?？萍加邢薰?、上海栗江傳動科技有限公司、江蘇金潤汽車傳動科技有限公、司恩斯克（中國）研究開發(fā)有限公司、南京美均電子科技有限公司、人本股份北京格瑞納電子產(chǎn)品有限公司、賽力斯動力蘇州舜云工程軟件有限公司、艾德克斯電子有限公司、吉泰車輛技術(shù)（蘇州）有限公司、藍星宇汽車科技有限公司、雅富頓添加劑（北京）有限公司、廣東德創(chuàng)新材料有限公司、赫格納斯（中國）有限公司、蘇州納芯微電子股份有限公司、乾大新材料有限公司、陶氏化學公司、常州紹鼎密封科技有限公司、中國石化潤滑油有限公司、北京世通科創(chuàng)技術(shù)有限公司、蘇州長城精工科技股份有限公司、孔瑞格流體控制（蘇州）有限公司、蘇州英特?？萍脊煞萦邢薰?、Accurate Technologies Inc., China Office、河北量子數(shù)字新材料有限公司、北京昕感科技（集團）有限責任公司、德斯拜思機電控制技術(shù)（上海）有限公司、長春中拓模塑科技有限公司、合肥陽光電動力科技有限公司、綠傳（北京）汽車科技股份有限公司、道達爾潤滑油（中國）有限公司、伍爾特拜爾米(上海)汽車緊固件有限公司、揚州保來得科技實業(yè)有限公司、江蘇君華特種高分子材料股份有限公司、博格華納（中國）投資有限公司、三菱綜合材料管理(上海)有限公司、舍弗勒貿(mào)易（上海）有限公司、采埃孚北京鼎昱晨星技術(shù)服務(wù)有限公司、杭州斯莫爾磁性材料有限公司、寧波高悅電機技術(shù)有限公司、亞培烯科技（杭州）有限公司、洛坦電子科技（上海）有限公司、寧波氟冠密封工業(yè)有限公司、蕪湖?？铺┛藙恿偝捎邢薰?、天津泰威齒輪有限公司、阿帕奇（北京）光纖激光技術(shù)有限公司、華為數(shù)字能源、上海汽車電驅(qū)動有限公司、南通林泰克斯新材料科技有限公司、圣戈班高新材料(上海)有限公司、世索科（上海）國際貿(mào)易有限公司、上海鷹峰電子科技股份有限公司、廣州市晶邦密封技術(shù)有限公司、賽瑪特傳動技術(shù)（北京）有限公司、南通常測機電設(shè)備有限公司、上海一柯索拓密封材料有限公司、天津元象國際貿(mào)易有限公司、臺州派迅科技有限公司、菲爾斯集團、蘇州東風精沖工程有限公司、上海立峰汽車傳動件股份有限公司、蘇州沃爾興電子科技有限公司、上海卓荃電子科技有限公司、南京古田化工有限公司、中輕纖維復合材料技術(shù)(廊坊)有限公司、杭州鎵仁半導體有限公司、揚州磐晟納米新材料科技股份有限公司、廈門立洲精密科技股份有限公司、青島昌譽密封有限公司、江西乾元機械制造有限公司、十堰同創(chuàng)傳動技術(shù)有限公司、浙江萬里揚股份有限公司、費爾特蘭（嘉興）過濾系統(tǒng)有限公司、上海拓智華聲科技有限公司、南京南高齒新能源汽車傳動設(shè)備有限公司、溫州盛廣機電有限公司、賀爾碧格傳動技術(shù)（常州）有限公司、HUGO BENZING GMBH & CO. KG、沈陽宏遠電磁線股份有限公司、湖南三安半導體有限責任公司、海力達汽車科技有限公司、潤英聯(lián)（上海）添加劑有限公司、艾菲汽車零部件（武漢）有限公司、芯華睿半導體科技有限公司、米巴精密零部件（中國）有限公司、Protean Electric江蘇龍蟠新材料科技有限公司、武漢新耐視智能科技有限責任公司、卓越（蘇州）投資有限公司、克恩-里伯斯（太倉）有限公司、寧波金田銅業(yè)（集團）股份有限公司、派恩杰半導體（浙江）有限公司、易艾斯嘉吉百奧工業(yè)（上海）有限公司、江蘇大通精密機械零部件有限公司、路博潤管理（上海）有限公司、贏創(chuàng)特種化學（上海）有限公司、碧夢技（上海）復合材料有限公司 、| 碧夢技（揚州）復合材料有限公司、臺山市江口電器制造有限公司、科羚激光裝備(蘇州) 有限公司、珠海英搏爾電氣股份有限公司、友強國際貿(mào)易（上海）有限公司、奧珞貿(mào)易（上海）有限公司、江蘇富樂華半導體科技股份有限公司、安徽瑞迪微電子有限公司、科瑞卓信(北京)咨詢有限公司、山東仁豐特種材料股份有限公司、寧波菲仕技術(shù)股份有限公司、大乙半導體材料（深圳）有限公司、浙江科馬摩擦材料股份有限公司、蘇州住友電木有限公司、合肥阿基米德電子科技有限公司、北一半導體科技 (廣東) 有限公司、鯤騰泰克（成都）科技有限公司、北京清連科技有限公司、上海誠幟電力電子技術(shù)發(fā)展有限公司、上海坤道信息技術(shù)有限公司······

隨著生成式AI的快速發(fā)展，功耗不斷上升已成為數(shù)據(jù)中心面臨的緊迫課題。尤其是高功率AI服務(wù)器的廣泛應(yīng)用以及800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)部署的增加，推動了市場對更高功率轉(zhuǎn)換效率和更高功率密度電源系統(tǒng)的需求。針對下一代人工智能數(shù)據(jù)中心的這些需求，東芝開發(fā)了TW007D120E，該產(chǎn)品將有助于降低功耗，并實現(xiàn)電源系統(tǒng)的小型化和更高效率。

TW007D120E采用東芝專有的溝槽柵結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的單位面積低導通電阻（RDS(on)A）；其通過更低的導通電阻降低導通損耗，同時實現(xiàn)更低的開關(guān)損耗。與東芝現(xiàn)有產(chǎn)品相比，TW007D120E將RDS(on)A降低了約58%，品質(zhì)因數(shù)（導通電阻×柵漏電荷，即RDS(on)×Qgd，代表導通損耗和開關(guān)損耗之間的平衡）提高了約52%。這些特性將幫助數(shù)據(jù)中心電源系統(tǒng)實現(xiàn)高效運行并減少發(fā)熱，從而提升整體系統(tǒng)效率。

這有助于提高功率密度并增強功率級的散熱性能，這對下一代AI數(shù)據(jù)中心的功率轉(zhuǎn)換至關(guān)重要。

東芝計劃在2026財年實現(xiàn)TW007D120E的量產(chǎn)，并將繼續(xù)拓展其產(chǎn)品線，包括面向汽車應(yīng)用的產(chǎn)品開發(fā)。憑借這款溝槽柵SiC MOSFET，東芝將助力數(shù)據(jù)中心及各類工業(yè)設(shè)備提升能效、降低二氧化碳排放，為低碳社會的實現(xiàn)做出貢獻。

（集邦化合物半導體整理）

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宗艷民指出，碳化硅材料的應(yīng)用邏輯正從單一的電力電子功率器件，向基于其多元物理特性的“多功能應(yīng)用”轉(zhuǎn)變，在先進封裝、微納光學、超高壓電力等領(lǐng)域均已取得實質(zhì)性突破。

在解讀當前碳化硅襯底的供需格局時，宗艷民強調(diào)需要按照應(yīng)用級別分層看待。

車規(guī)級市場對“零缺陷、高可靠性、耐高溫高壓”的要求極為苛刻，全球能夠?qū)崿F(xiàn)高端大尺寸（如8英寸）產(chǎn)品穩(wěn)定量產(chǎn)和規(guī)?；桓兜墓?yīng)商數(shù)量較少，因此該領(lǐng)域一直保持供需平衡狀態(tài)。而非車規(guī)級領(lǐng)域則經(jīng)歷了一輪產(chǎn)能出清，缺乏核心技術(shù)、規(guī)模效應(yīng)和質(zhì)量優(yōu)勢的低效產(chǎn)能被加速淘汰，市場份額正快速向具備技術(shù)代差和成本控制能力的頭部企業(yè)集中。

天岳先進憑借技術(shù)優(yōu)勢，已與全球前十大功率半導體器件制造商中的過半企業(yè)深度綁定，客戶驗證壁壘與長期黏性持續(xù)增強，覆蓋新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等傳統(tǒng)賽道，競爭優(yōu)勢不斷深化。

談及碳化硅材料的未來應(yīng)用前景，宗艷民表示，其應(yīng)用邏輯正在發(fā)生根本性轉(zhuǎn)變。

在先進封裝領(lǐng)域，碳化硅憑借優(yōu)異的熱導率，能夠有效解決高性能芯片的“熱管理”難題，可作為大功率芯片的散熱基板或封裝材料；在微納光學領(lǐng)域，公司已與光學頭部客戶合作，在AR/VR及精密光學傳感領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了初步應(yīng)用；在超高壓電力領(lǐng)域，P型碳化硅襯底在智能電網(wǎng)、特高壓直流輸電等方向的應(yīng)用正進入實測階段。

技術(shù)層面，天岳先進已完成從2英寸到12英寸全尺寸產(chǎn)品矩陣的產(chǎn)業(yè)化閉環(huán)，首創(chuàng)液相法制備無宏觀缺陷的8英寸襯底，突破了傳統(tǒng)PVT法的局限，公司碳化硅襯底專利數(shù)量已位居全球前五。

（集邦化合物半導體整理）

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作為第三代半導體核心材料，碳化硅具備高擊穿電場、高熱導率等優(yōu)勢，已廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏等領(lǐng)域。當前主流碳化硅器件耐壓多在3300伏以內(nèi)，對應(yīng)外延薄膜厚度僅需約30微米。而智能電網(wǎng)、高鐵牽引、大型全電船舶等場景電壓等級達1—3.5萬伏，亟需外延薄膜厚度提升至300微米級別，厚度增至10倍以上，生長難度卻呈幾何級攀升。

面對厚膜外延過程中應(yīng)力累積、缺陷失控等技術(shù)瓶頸，團隊從設(shè)備優(yōu)化、工藝迭代、缺陷調(diào)控三方面系統(tǒng)攻關(guān)，開發(fā)出整套超厚外延生長與缺陷控制技術(shù)。此次制備的外延片厚度達312微米，表面致命缺陷密度低至0.75個/cm2；同時創(chuàng)新紫外光協(xié)同高溫后處理技術(shù)，可100%消除 “肖克利型層錯” 致命缺陷，解決了超厚薄膜可靠性核心難題。

王蓉研究員表示，超厚外延薄膜如同高壓器件的 “耐壓脊梁”，此次突破將直接支撐3萬伏級碳化硅器件研發(fā)。該類器件可適配智能電網(wǎng)高壓輸電、高鐵高效供電、大型船舶電力推進等場景，助力電力系統(tǒng)降本增效、縮小設(shè)備體積，推動我國在超寬禁帶半導體高端領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)換道超車。

據(jù)悉，該成果已通過多輪穩(wěn)定性驗證，相關(guān)技術(shù)方案具備產(chǎn)業(yè)化潛力。未來團隊將推進技術(shù)中試與迭代，加速超厚碳化硅外延材料的規(guī)?；瘧?yīng)用，賦能新能源與高壓電力產(chǎn)業(yè)升級。

（集邦化合物半導體整理）

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會議背景

當前，全球能源結(jié)構(gòu)加速轉(zhuǎn)型，新能源發(fā)電、新型儲能、新能源汽車、特高壓輸電等領(lǐng)域迎來爆發(fā)式增長，功率半導體作為電能轉(zhuǎn)換、控制與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是新能源產(chǎn)業(yè)升級的關(guān)鍵支撐。以SiC、GaN 為代表的寬禁帶半導體技術(shù)突破，正重塑新能源裝備的效率、功率密度與可靠性格局。

先進封裝（如2.5D/3D封裝、扇出型封裝、Chiplet集成）已成為延續(xù)摩爾定律、突破芯片性能瓶頸的核心路徑。

在這一技術(shù)變革中，玻璃基板（Glass Substrate）與玻璃通孔（TGV）技術(shù)憑借其卓越的高頻信號傳輸性能、低介電損耗、高耐熱性及更低翹曲度，被視為替代傳統(tǒng)有機載板和硅中介層的下一代互連方案。玻璃基板在AI芯片中可實現(xiàn)更高密度的銅互連，提升帶寬與能效，尤其適合HBM（高帶寬內(nèi)存）與GPU的集成，有望解決“存儲墻”問題。

我們誠摯邀請您成為本次大會的贊助合作伙伴。您的支持不僅是大會成功舉辦的關(guān)鍵，更是彰顯企業(yè)技術(shù)實力、拓展品牌影響力、對接核心資源、把握全球市場動向的寶貴平臺。讓我們攜手構(gòu)建開放共贏的產(chǎn)業(yè)生態(tài)，共同探索功率半導體暨玻璃基板與先進封裝產(chǎn)業(yè)的無限可能，推動產(chǎn)業(yè)向更廣闊、更高效的未來邁進！

會議信息

會議主辦：半導體芯鏈 ?全國功率半導體大會組織委員會

承辦單位：安徽富邦通會展服務(wù)限公司

會議時間：2026年6月25-26日(25日報到）

會議地點：中國 蘇州

贊助形式：獨家總冠名、晚宴贊助、聯(lián)合主辦、協(xié)辦單位、贊助單位、支持單位、展臺等其他贊助合作方案，詳情聯(lián)系組委會！

支持單位：蔚來汽車（禮品贊助）、薩震壓縮機（上海）有限公司（晚宴抽獎）、
中國科學院半導體研究所、中國科學院微電子研究所、中國科學院物理研究所、全國半導體產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新平臺、高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟、無錫市集成電路學會、先進半導體產(chǎn)業(yè)集群、中國科學技術(shù)大學、中車時代、英飛凌中國、合肥中創(chuàng)時代科技有限公司、江蘇安德信加速器有限公司、山東聯(lián)盛電子設(shè)備有限公司、惠然微電子技術(shù)(無錫)有限公司、沈芯科技(上海)有限公司、阿基米德半導體(合肥)有限公司、京東方科技集團股份有限公司、湖北通格微電路科技有限公司、芯和半導體科技（上海）股份有限公司、平湖實驗室、甬江實驗室、泛半導體行業(yè)聯(lián)盟（芯盟）、半導體俱樂部semicon.com.cn 、初芯半導體、集邦化合物半導體、電子與封裝

議題方向（包括但不限于）

一、功率半導體大會

1.2026功率半導體產(chǎn)業(yè)格局與“十五五”發(fā)展規(guī)劃解讀；

2.碳化硅（SiC）功率器件技術(shù)突破；

3.氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用拓展；

4.硅基功率器件持續(xù)優(yōu)化；

5.氧化鎵（Ga?O?）、金剛石功率器件研究進展；

6.車規(guī)級功率模塊先進封裝技術(shù)；

7.功率半導體核心裝備與材料國產(chǎn)化；

8.精密陶瓷關(guān)鍵技術(shù)與功率半導體器件創(chuàng)新應(yīng)用；

9.功率半導體陶瓷材料與熱管理技術(shù)進展；

10.功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進封裝技術(shù)與封裝可靠性；

11.功率半導體晶圓減薄、劃片與背面工藝關(guān)鍵技術(shù)；

12.功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)；

13.PCB嵌埋封裝與集成技術(shù)；

14.功率模塊熱管理解決方案；

15.多物理場協(xié)同設(shè)計與仿真；

16.800V高壓平臺與電驅(qū)系統(tǒng)集成；

17.小三電系統(tǒng)（OBC/DCDC/PDU）創(chuàng)新；

18.電池管理系統(tǒng)（BMS）與功率半導體；

19.光伏逆變與儲能系統(tǒng)應(yīng)用；

20.AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)等。

二、玻璃基板TGV與先進封裝論壇

1.高深寬比玻璃通孔（TGV）制備關(guān)鍵技術(shù)；

2.TGV金屬填充與電鍍技術(shù)；

3.玻璃基板材料開發(fā)與性能優(yōu)化；

4.TGV全流程檢測與AOI技術(shù)；

5.玻璃基板的平坦化與減薄技術(shù)；

6.玻璃基板核心裝備（激光鉆孔/蝕刻/檢測）國產(chǎn)化突破與量產(chǎn)；

7.多層玻璃堆疊架構(gòu)設(shè)計；

8.多層重布線層（RDL）制備技術(shù)；

9.層間互連與TGV疊孔技術(shù)；

10.玻璃-玻璃鍵合技術(shù)；

11.埋入式橋接與異構(gòu)集成；

12.玻璃基板在2.5D/3D封裝中的應(yīng)用；

13.玻璃基板與Chiplet異構(gòu)集成；

14.光電共封裝（CPO）中的玻璃基板技術(shù)；

15.面板級封裝（FO-PLP）中的玻璃基板應(yīng)用；

16.射頻前端與毫米波封裝應(yīng)用；

17.玻璃基先進封裝的技術(shù)創(chuàng)新與挑戰(zhàn)；

18.新技術(shù)、新裝備、新產(chǎn)品、新成果展覽展示。

申請報告：倪老師 19032945806（同微）

部分重磅嘉賓報告

會議日程

會議注冊及繳費

會議注冊報名二維碼

會議注冊費：2600元/人；學生1600元/人（含會議期間提供午、晚餐及茶歇、會議資料）住宿統(tǒng)一安排，費用自理。

注：本次會議提供電子普票，并發(fā)送至參會代表的郵箱或微信，發(fā)票內(nèi)容為“會議費”。

*所有參會人員需提前報名并繳費，會議期間憑參會證進出!付款請注明：“蘇州會議+單位+姓名”，并將付款憑證保留，便于報到時查驗。

展位預(yù)定:會議同期設(shè)有“功率半導體&玻璃基板TGV與先進封裝全產(chǎn)業(yè)鏈展覽區(qū)”，

限量展位：（往屆展商九折優(yōu)惠）包括2位名額，用餐、展臺搭建、資料費等。

另外還有企業(yè)演講、茶歇視頻、行架廣告、椅背廣告、代表證廣告、資料袋廣告贊助等，歡迎來電咨詢。

參展/贊助：19032945806 倪老師

演講&贊助&參會

王老師：19276486107（微同）

郵 ? 箱：nikai010@163.com

往屆風采

往屆參會名單

A&D 愛安德、ABB（中國）有限公司、Borer Chemie AG、COMSOL中國、GaN Systems、Navitas、ROHM半導體(上海)有限公司、SK海力士半導體（無錫）有限公司、Wolfspeed、阿基米德半導體(合肥)有限公司、阿利昂斯汽車研發(fā)(上海)有限公司、阿特拉斯科普柯工業(yè)技術(shù)(上海)有限公司蘇州分公司、艾德康科技有限公司、艾德克斯電子(南京)有限公司、艾邁斯歐司朗、艾瑞森表面技術(shù)(蘇州)股份有限公司、愛安特（常州）精密機械有限公司、愛德萬測試（中國）管理有限公司、愛發(fā)科真空技術(shù)（蘇州）有限公司、愛合發(fā)工業(yè)科技（蘇州）有限公司、愛極樂智能科技（上海）有限責任公司、愛美克空氣過濾器（蘇州）有限公司、愛佩克斯（合肥）科技有限公司、愛芯元智半導體(寧波)有限公司、安徽芯塔電子科技有限公司、安徽長飛先進半導體有限公司、安靠封裝測試（上海）有限公司、安世半導體、北京青禾晶元半導體科技有限責任公司、北京三安光電有限公司、北京天科合達半導體股份有限公司、北京亦盛精密半導體有限公司、北京中科格勵微科技有限公司、北京中科同志科技股份有限公司、比亞迪半導體股份有限公司、比亞迪汽車工程研究院、常州銀河世紀微電子股份有限公司、常州臻晶半導體有限公司、超威半導體（中國）有限公司、東風汽車集團、佛山市國星光電股份有限公司、福州鎵谷半導體有限公司、格羅方德半導體股份有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、姑蘇實驗室、光華科學技術(shù)研究院（廣東）有限公司、廣東風華芯電科技股份有限公司、廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司、廣東佛智芯微電子有限公司、廣東工業(yè)大學、廣東匯成真空科技股份有限公司、廣東瑞樂半導體科技有限公司、廣東天域半導體股份有限公司、廣東芯聚能半導體有限公司、廣東致能科技有限公司、廣西華芯振邦半導體有限公司、廣州南砂晶圓半導體技術(shù)有限公司、廣州粵芯半導體技術(shù)有限公司、國家新能源汽車技術(shù)創(chuàng)新中心、哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司、瀚天天成電子科技(廈門)有限公司、瀚天天成電子科技（廈門）有限公司、杭州乾晶半導體有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司、合肥皓宇芯光科技有限公司、合肥杰發(fā)科技有限公司、合肥晶合集成電路有限公司、合肥開悅半導體科技有限公司、合肥科晶材料技術(shù)有限公司、合肥露笑半導體材料有限公司、合肥沛頓存儲科技有限公司、合肥世紀金芯半導體有限公司、合肥市拓仕達電子科技有限公司、合肥矽邁微電子科技有限公司、合肥矽普半導體科技有限公司、合肥芯碁微電子裝備股份有限公司、合肥新匯成微電子股份有限公司、和艦科技（蘇州）有限公司、河北普興電子科技股份有限公司、河北同光半導體股份有限公司、湖南三安半導體有限責任公司、湖南越摩先進半導體有限公司、華燦光電股份有限公司、華大半導體有限公司、華東光電集成器件研究所、華海清科股份有限公司、華虹半導體有限公司、華進半導體封裝先導技術(shù)研發(fā)中心有限公司、華僑大學、華潤微電子有限公司、華天科技（昆山）電子有限公司、華昕科技（蘇州）有限公司、吉利汽車、嘉盛半導體（蘇州）有限公司、嘉興斯達半導體股份有限公司、江蘇愛矽半導體科技有限公司、江蘇奧崎電氣科技有限公司、江蘇超芯星半導體有限公司、江蘇馳耐特防腐科技有限公司、江蘇熾芯微電子有限公司、江蘇大摩半導體科技有限公司、江蘇帝奧微電子股份有限公司、江蘇第三代半導體研究院有限公司、江蘇東方四通科技股份有限公司、江蘇東海半導體股份有限公司、江蘇恩微電子有限公司、江蘇福拉特半導體設(shè)備有限公司、江蘇富樂華半導體科技股份有限公司、江蘇宏微科技股份有限公司、江蘇華興激光科技有限公司、江蘇鎵宏半導體有限公司、江蘇捷捷微電子股份有限公司、江蘇納沛斯半導體、江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司、江蘇西勵科技有限公司、江蘇希爾半導體有限公司、江蘇芯創(chuàng)微半導體技術(shù)有限公司、江蘇芯德半導體科技股份有限公司、江蘇芯旺電子科技有限公司、江蘇鑫華半導體科技股份有限公司、江蘇長電科技有限公司、京東方科技集團股份有限公司、晶方半導體科技（蘇州）有限公司、晶通半導體（天津）有限公司、九峰山實驗室、聚擘國際貿(mào)易（上海）有限公司、聚力成半導體（重慶）有限公司、俊杰機械(深圳)有限公司、卡爾蔡司(上海)管理有限公司、老鷹半導體鐳昱光電科技(蘇州)有限公司、理想汽車、力成科技股份有限公司、力晶積成電子制造股份有限公司、聯(lián)測優(yōu)特半導體（東莞）有限公司、聯(lián)芯集成電路制造(廈門)有限公司、羅姆半導體(中國)有限公司、南京百識電子科技有限公司、南京矽邦半導體有限公司、南茂科技股份有限公司、南通越亞半導體有限公司、寧波永恩半導體科技有限公司、頎邦科技股份有限公司、氣派科技股份有限公司、清純半導體（寧波）有限公司、清華海峽研究院、全磊光電股份有限公司、日月光半導體（昆山）有限公司、瑞薩電子株式會社、賽意法微電子有限公司、廈門安捷利美維科技有限公司、廈門乾照光電股份有限公司、廈門柔性電子研究院有限公司、廈門三安光電股份有限公司、廈門云天半導體科技有限公司、山東天岳先進科技股份有限公司、山西爍科晶體有限公司、上海復旦微電子集團股份有限公司、上海瀚薪科技有限公司、上海華力微電子有限公司、上海林眾電子科技有限公司、上海上斯電子有限公司、上海勝芯微電子有限公司、上海蔚來汽車有限公司、上海新微半導體有限公司、深圳佰維存儲科技股份有限公司、深圳基本半導體有限公司、深圳市海思半導體有限公司、深圳市重投天科半導體有限公司、盛合晶微半導體（江陰）有限公司、四川遂寧市利普芯微電子有限公司、蘇州碧宇重光半導體有限公司、蘇州固锝電子股份有限公司、蘇州漢驊半導體有限公司、蘇州匯川聯(lián)合動力系統(tǒng)股份有限公司、蘇州晶湛半導體有限公司、蘇州科陽半導體有限公司、蘇州納維科技有限公司、蘇州能訊高能半導體有限公司、蘇州全磊光電有限公司、蘇州銳杰微科技集團有限公司、蘇州瑞霏光電科技有限公司、蘇州盛拓半導體科技有限公司、蘇州首鐳激光科技有限公司、蘇州思普微電子科技有限公司、蘇州通富超威半導體有限公司、蘇州希盟科技股份有限公司、蘇州新施諾半導體設(shè)備有限公司、蘇州長光華芯光電技術(shù)股份有限公司、蘇州幀觀傳感科技有限公司、蘇州尊恒半導體科技有限公司、拓荊鍵科（海寧）半導體設(shè)備有限公司、拓科達科技(深圳）有限公司、臺積電(南京)有限公司、太極半導體(蘇州)有限公司、天馬微電子股份有限公司、通富微電子股份有限公司、聞泰科技股份有限公司、無錫市太極實業(yè)股份有限公司、無錫芯動半導體科技有限公司、無錫新潔能股份有限公司、無錫中微高科電子有限公司、無錫中芯國際集成電路制造有限公司、蕪湖予秦半導體科技有限公司、吾拾微電子（蘇州）有限公司、武漢工程科技大學、武漢光迅科技股份有限公司、武漢華景康光電科技有限公司、武漢精測電子集團股份有限公司、武漢理工大學、武漢羅博半導體科技有限公司、武漢敏芯半導體股份有限公司、武漢歐雙光電科技股份有限公司、武漢市聚芯微電子有限責任公司、武漢芯力科技術(shù)有限公司、武漢新芯集成電路股份有限公司、武漢新芯集成電路制造有限公司、西安微電子技術(shù)研究所、西安微電子技術(shù)研究所(航天771所)、西安紫光國芯半導體有限責任公司、矽磐微電子（重慶）有限公司、矽品電子（福建）有限公司、小米汽車、小鵬汽車、肖特玻璃科技（蘇州）有限公司、芯達半導體設(shè)備（蘇州）有限公司、芯動科技有限公司、芯恩(青島)集成電路有限公司、芯干線科技有限公司、芯?？萍?深圳)股份有限公司、芯和半導體科技（上海）股份有限公司、芯愷半導體設(shè)備(徐州)有限責任公司、芯率智能科技(蘇州)有限公司、新恒匯電子股份有限公司、信息產(chǎn)業(yè)電子第十一設(shè)計研究院科技工程股份有限公司、瑤芯微電子科技(上海)有限公司、英飛凌科技有限公司、英諾賽科(蘇州)半導體有限公司、甬矽電子（寧波）股份有限公司、長電科技股份有限公司、長飛光纖光纜股份有限公司、長江存儲科技有限責任公司、長沙安牧泉智能科技有限公司、長沙景嘉微電子股份有限公司、浙江東尼電子股份有限公司、浙江和睿半導體科技有限公司、浙江晶越半導體有限公司、中車時代電動汽車股份有限公司、中電二建、中電化合物半導體有限公司、中電科13所、中電科23所、中電科46所、中電科55所、中電科58所、中電科48所、中電科45所、中電科風華信息裝備股份有限公司、中電科思儀科技股份有限公司、中電鵬程智能裝備有限公司深圳分公司、中電智維（上海）科技有限公司、中國電科二所、中國電子科技集團公司第二研究所、中國電子系統(tǒng)工程第二建設(shè)有限公司、中國電子系統(tǒng)工程第三建設(shè)有限公司、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院、中國機械總院集團海西（福建）分院有限公司、中國建筑材料科學研究總院、中國科學院半導體研究所、中國科學院化學研究所、中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所、中國科學院山西煤炭化學研究所、中國科學院上海光學精密機械研究所、中國科學院蘇州納米所南昌研究院、中國科學院微電子研究所、中國科學院物理研究所、中科院上海硅酸鹽所、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所、中科院蘇州納米所、中科院西安光機所、中科長光精拓智能裝備（蘇州）有限公司、中汽創(chuàng)智科技有限公司、中微半導體、中芯國際、中業(yè)智禾研究院、中正拓源技術(shù)（無錫）有限公司、重慶超硅半導體有限公司、重慶鑫景特種玻璃有限公司、珠海博杰電子股份有限公司、珠海昊玻光電科技有限公司、珠海鎵未來科技有限公司、珠海晶通科技有限公司、珠海越亞半導體股份有限公司、株洲中車時代電氣股份有限公司

會議信息

會議主辦：半導體芯鏈 ?全國功率半導體大會組織委員會

承辦單位：安徽富邦通會展服務(wù)限公司

會議時間：2026年6月25-26日(25日報到）

會議地點：中國 蘇州

贊助形式：獨家總冠名、晚宴贊助、聯(lián)合主辦、協(xié)辦單位、贊助單位、支持單位、展臺等其他贊助合作方案，詳情聯(lián)系組委會！

支持單位：

蔚來汽車（禮品贊助）

薩震壓縮機（上海）有限公司（晚宴抽獎）

中國科學院半導體研究所

中國科學院微電子研究所

中國科學院物理研究所

全國半導體產(chǎn)學研協(xié)同創(chuàng)新平臺

高端芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展聯(lián)盟

無錫市集成電路學會

先進半導體產(chǎn)業(yè)集群

中國科學技術(shù)大學

中車時代

英飛凌中國

合肥中創(chuàng)時代科技有限公司

江蘇安德信加速器有限公司

山東聯(lián)盛電子設(shè)備有限公司

惠然微電子技術(shù)(無錫)有限公司

沈芯科技(上海)有限公司

阿基米德半導體(合肥)有限公司

京東方科技集團股份有限公司

湖北通格微電路科技有限公司

芯和半導體科技（上海）股份有限公司

平湖實驗室

甬江實驗室

泛半導體行業(yè)聯(lián)盟（芯盟）

半導體俱樂部semicon.com.cn?

初芯半導體

集邦化合物半導體

電子與封裝

議題方向（包括但不限于）

一、功率半導體大會

1.2026功率半導體產(chǎn)業(yè)格局與“十五五”發(fā)展規(guī)劃解讀；

2.碳化硅（SiC）功率器件技術(shù)突破；

3.氮化鎵（GaN）功率器件應(yīng)用拓展；

4.硅基功率器件持續(xù)優(yōu)化；

5.氧化鎵（Ga?O?）、金剛石功率器件研究進展；

6.車規(guī)級功率模塊先進封裝技術(shù)；

7.功率半導體核心裝備與材料國產(chǎn)化；

8.精密陶瓷關(guān)鍵技術(shù)與功率半導體器件創(chuàng)新應(yīng)用；

9.功率半導體陶瓷材料與熱管理技術(shù)進展；

10.功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進封裝技術(shù)與封裝可靠性；

11.功率半導體晶圓減薄、劃片與背面工藝關(guān)鍵技術(shù)；

12.功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)；

13.PCB嵌埋封裝與集成技術(shù)；

14.功率模塊熱管理解決方案；

15.多物理場協(xié)同設(shè)計與仿真；

16.800V高壓平臺與電驅(qū)系統(tǒng)集成；

17.小三電系統(tǒng)（OBC/DCDC/PDU）創(chuàng)新；

18.電池管理系統(tǒng)（BMS）與功率半導體；

19.光伏逆變與儲能系統(tǒng)應(yīng)用；

20.AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)等。

二、玻璃基板TGV與先進封裝論壇

1.高深寬比玻璃通孔（TGV）制備關(guān)鍵技術(shù)；

2.TGV金屬填充與電鍍技術(shù)；

3.玻璃基板材料開發(fā)與性能優(yōu)化；

4.TGV全流程檢測與AOI技術(shù)；

5.玻璃基板的平坦化與減薄技術(shù)；

6.玻璃基板核心裝備（激光鉆孔/蝕刻/檢測）國產(chǎn)化突破與量產(chǎn)；

7.多層玻璃堆疊架構(gòu)設(shè)計；

8.多層重布線層（RDL）制備技術(shù)；

9.層間互連與TGV疊孔技術(shù)；

10.玻璃-玻璃鍵合技術(shù)；

11.埋入式橋接與異構(gòu)集成；

12.玻璃基板在2.5D/3D封裝中的應(yīng)用；

13.玻璃基板與Chiplet異構(gòu)集成；

14.光電共封裝（CPO）中的玻璃基板技術(shù)；

15.面板級封裝（FO-PLP）中的玻璃基板應(yīng)用；

16.射頻前端與毫米波封裝應(yīng)用；

17.玻璃基先進封裝的技術(shù)創(chuàng)新與挑戰(zhàn)；

18.新技術(shù)、新裝備、新產(chǎn)品、新成果展覽展示。

申請報告：倪老師 19032945806（同微）

部分重磅嘉賓報告

2026年6月23日，TrendForce集邦咨詢將在深圳舉辦“TSS2026集邦咨詢半導體產(chǎn)業(yè)高層論壇”。

屆時，集邦咨詢多位重量級資深分析師將聚焦晶圓代工、存儲器、AI服務(wù)器、CPO、具身智能等熱門議題，全方位剖析半導體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀與未來。本次會議為主要面向集邦咨詢付費會員和產(chǎn)業(yè)鏈高層的定向邀請精品會議，行業(yè)精英云集，全程干貨分享交流，敬請期待！

會議亮點解析

01、7+場市場洞察分享

會議聚焦半導體和AI領(lǐng)域，緊扣“周期與變革”這一核心主軸，圍繞晶圓代工、內(nèi)存、閃存、服務(wù)器等產(chǎn)業(yè)鏈熱門議題，開展7+場主題分享。

02、資深分析師團隊

26+年產(chǎn)業(yè)研究沉淀，資深專業(yè)分析師團隊剖析行業(yè)格局，帶來最具前瞻性的深度解析。

03、全方位產(chǎn)融合作網(wǎng)絡(luò)

300+產(chǎn)業(yè)鏈高層齊聚，聯(lián)動核心資本，深化產(chǎn)融對接，更邀主流投行券商參與，創(chuàng)造深度業(yè)務(wù)與投融資對接機會。

04、高質(zhì)量戰(zhàn)略交流

會議采取定向邀約制，參會嘉賓為全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈核心企業(yè)高層，確?，F(xiàn)場高質(zhì)量的戰(zhàn)略交流。

05、分析師1V1交流

與分析師一對一深入交流，討論您的業(yè)務(wù)需求，獲取針對性的解決方案和戰(zhàn)略建議。(提前預(yù)約）

06、精品報告分享

獲取集邦咨詢內(nèi)部一手產(chǎn)業(yè)資訊，實時掌握半導體產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵脈動與發(fā)展先機！

會議詳細信息

（集邦化合物半導體整理）

更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。

作為全球氧化鎵產(chǎn)業(yè)領(lǐng)軍者，杭州鎵仁2025年成功研制全球首顆8英寸氧化鎵單晶，貫通單晶生長、精密加工及外延制備等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，技術(shù)實力位居國際前列。兩極溫域則深耕氧化鋯隔熱材料領(lǐng)域，其產(chǎn)品具備高溫穩(wěn)定性強、熱場一致性好、熱導率極低等優(yōu)勢，已在半導體高溫熱場領(lǐng)域完成應(yīng)用驗證。

根據(jù)協(xié)議，雙方將共建“材料—熱場”協(xié)同研發(fā)體系，圍繞材料研發(fā)、熱場設(shè)計、工藝優(yōu)化及產(chǎn)業(yè)協(xié)同等維度展開深度合作。兩極溫域?qū)膯我粺釄龉?yīng)商升級為技術(shù)共生伙伴，以一線工藝數(shù)據(jù)反哺材料研發(fā)，針對性解決氧化鎵單晶生長過程中的溫場適配痛點，助力提升晶體質(zhì)量與量產(chǎn)穩(wěn)定性。

氧化鎵作為超寬禁帶半導體材料，具備高耐壓、低損耗等特性，在新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域前景廣闊。業(yè)內(nèi)認為，隨著氧化鎵向大尺寸、量產(chǎn)化加速推進，熱場與材料的協(xié)同創(chuàng)新已成為產(chǎn)業(yè)突破關(guān)鍵。

（集邦化合物半導體整理）

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