該項目代號為SiCnature，將打造歐洲首創(chuàng)的專業(yè)化SiC外延晶圓制造產線。SiC外延晶圓是在碳化硅襯底上生長高質量薄膜，是制造SiC功率器件的核心基礎材料。公告信息顯示，項目將采用創(chuàng)新制備工藝，對比傳統(tǒng)熱壁CVD方案，能夠提升生產能效、工藝良率與整體制造效率。產出的SiC外延晶圓計劃供給汽車電子、工業(yè)設備、通信及新能源等領域。

本次補貼資金由德國聯(lián)邦政府與北萊茵-威斯特法倫州地方財政共同出資。歐盟委員會認定，四座半導體項目均屬于歐洲首創(chuàng)生產線，補貼安排符合《歐洲芯片法案》發(fā)展目標，有助于增強歐盟半導體產業(yè)鏈自主供給能力。

同期獲得補貼的企業(yè)還有三家：Vishay Siliconix Itzehoe GmbH獲得2.14億歐元，用于建設硅基功率MOSFET產線；KLA-Tencor MIE拿到7440萬歐元，布局先進光學套刻與薄膜量測設備生產線；KETEK GmbH獲得1790萬歐元，建設硅漂移探測器及特種芯片產線。

公開資料顯示，Element 3-5總部坐落于巴斯韋勒，聚焦寬禁帶半導體設備與外延工藝研發(fā)，主打面向SiC、氮化鋁、氮化鎵的外延量產系統(tǒng)。其外延設備方案支持垂直放置晶圓生產，追求薄膜均勻性與低顆粒污染，適配第三代半導體單晶外延量產需求。

從歐洲本土SiC產業(yè)現(xiàn)狀來看，區(qū)域內英飛凌、意法半導體等IDM大廠大多采用垂直整合模式，配套自用SiC外延產能，面向外部市場的獨立商業(yè)化SiC外延晶圓供給較為稀缺，大量外延材料依賴海外廠商進口。

近年依托歐盟芯片法案配套資金，歐洲持續(xù)加碼碳化硅全鏈條布局，安森美正在捷克建設覆蓋襯底、外延、器件制造的一體化8英寸SiC工廠，意法半導體在意大利打造集襯底、外延、晶圓制造于一體的碳化硅園區(qū)。但專門面向第三方客戶、獨立運營的專業(yè)化SiC外延產線數(shù)量較少，Element 3-5新項目建成后，將補齊歐洲第三方SiC外延產能短板。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：深圳平湖實驗室

該成果全部基于深圳平湖實驗室自主搭建的8英寸碳化硅中試平臺，實現(xiàn)了國內少有的8英寸大尺寸溝槽型SiC JFET完整工藝閉環(huán)。這一平臺也是全球首個集科研和中試于一體的8英寸第三代功率半導體開放共享平臺，為技術從實驗室向產業(yè)化過渡提供了關鍵驗證載體。在電學性能方面，器件擊穿電壓超過920V，為750V主流高壓直流應用預留了充足的耐壓冗余；比導通電阻低至0.75mΩ·cm2，導通損耗顯著降低，功率密度得到有效提升。上述指標均達到國際先進水平。

此次技術突破的核心在于對傳統(tǒng)工藝路線的關鍵改良。在傳統(tǒng)傾角注入工藝中，溝槽刻蝕的微小尺寸波動即會直接導致器件閾值電壓離散分布，量產一致性難以保障。研究團隊創(chuàng)新性地將器件溝道分解為閾值調節(jié)區(qū)與耐壓調節(jié)區(qū)，并引入淺溝槽自對準注入工藝，使閾值電壓獲得獨立調控能力，成功將刻蝕均勻性與閾值一致性解耦。這一技術路徑大幅拓寬了生產工藝窗口，從底層提升了晶圓級一致性與量產良率。該成果已獲得國家發(fā)明專利授權（專利號：CN202411938192.0）。

為滿足多元化的產業(yè)應用需求，研究團隊同步規(guī)劃了四款導通電阻規(guī)格的產品——16mΩ、35mΩ、80mΩ及165mΩ，可靈活適配從中小功率到高功率場景的不同設備方案?？煽啃则炞C方面，器件在500小時的持續(xù)考核中表現(xiàn)出優(yōu)異的長期穩(wěn)定性，基本性能未出現(xiàn)退化，為后續(xù)規(guī)模化應用奠定了堅實基礎。

此次750V溝槽型SiC JFET的成功推出，標志著我國在該細分賽道實現(xiàn)了從工藝、器件到知識產權的全方位自主突破，填補了國內8英寸碳化硅器件領域的關鍵能力短板。下一步，深圳平湖實驗室第三代躍升團隊將擴充產品規(guī)格體系，依托開放共享的中試平臺加速產業(yè)化落地，推動國產碳化硅器件在AI算力基礎設施、智能電網(wǎng)、工業(yè)電力等關鍵領域的規(guī)?；瘧?，以自主半導體技術支撐我國數(shù)字基礎設施與新型電力系統(tǒng)的高質量發(fā)展。

（集邦化合物半導體整理）

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公司子公司浙江晶瑞電子材料有限公司正加快推進年產60萬片8英寸SiC襯底項目投產工作，同時啟動配套新一期基礎設施建設，匹配下游新能源、AI、AR等市場長期增長需求。

該8英寸碳化硅襯底生產基地落地杭州灣上虞經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)，產線采用無人化自動運行與數(shù)字化管控體系，能夠實現(xiàn)車規(guī)級碳化硅晶片品質穩(wěn)定控制與全流程追溯，目標打造全自動智能化工廠。行業(yè)趨勢方面，晶盛機電判斷，8英寸SiC襯底將逐步成為全球功率半導體產業(yè)主流尺寸。

產能布局上，晶盛機電同步推進海內外雙基地建設。海外馬來西亞8英寸SiC襯底工廠建設有序推進，項目預計2026年底實現(xiàn)通線投產，一期規(guī)劃年產能24萬片8英寸碳化硅襯底。國內上虞基地疊加海外檳城工廠，將形成國內、海外協(xié)同的供應體系，面向全球客戶提供多元化材料保障。

技術研發(fā)層面，依托自研碳化硅單晶生長設備與成套工藝，晶盛機電已實現(xiàn)8英寸SiC襯底穩(wěn)定規(guī)模化量產，相關產品取得海內外客戶批量訂單，并實現(xiàn)海外批量出貨。同時公司攻克12英寸碳化硅晶體生長溫場不均、晶體開裂等技術難點，建成12英寸碳化硅襯底加工中試線，12英寸光學級碳化硅襯底已進入小批量生產階段。

從產業(yè)鏈配套來看，晶盛機電同步布局上游晶體配套項目，寧夏銀川8英寸碳化硅襯底配套晶體項目已投產，保障襯底制造環(huán)節(jié)原材料穩(wěn)定供給。依托設備自研優(yōu)勢，公司實現(xiàn)碳化硅晶體生長、切割、拋光、清洗、檢測全流程設備自主可控。

（集邦化合物半導體整理）

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這一趨勢不僅直接拉動了GPU的出貨需求，更從根本上改變了數(shù)據(jù)中心的能源管理邏輯——當系統(tǒng)功率密度急劇升高，電流與電壓隨之同步提升，電能的精準控制變得至關重要。若無法有效管理電力轉換過程，不僅會造成可觀的能源損耗，更可能因過熱、突波或電壓波動影響系統(tǒng)穩(wěn)定性，甚至損壞GPU、電源供應器及其他關鍵設備。在這一背景下，負責電力轉換與控制的功率半導體已從幕后走向臺前，成為AI電力系統(tǒng)的核心元件。

與僅負責傳輸電流的導體不同，功率半導體的價值在于其主動控制能力——透過精密的開關控制及電壓轉換，將電能以更高效率、更高穩(wěn)定度地輸送至GPU、CPU及其他計算組件。正是這種“轉化”而非“傳導”的特性，使其在AI數(shù)據(jù)中心的供電鏈路中扮演著不可替代的角色。而在功率半導體家族中，第三代半導體——即寬能隙半導體——正憑借其材料物理優(yōu)勢脫穎而出。這類器件具備更高耐壓、更快切換速度及更低功率損耗的特性，能夠顯著提升電源轉換效率，因此成為高壓、高頻應用場景下的理想選擇。

具體而言，碳化硅與氮化鎵雖然同屬第三代半導體，卻在應用定位上形成清晰的分工。碳化硅更擅長高電壓、大功率場景，可承受更高的工作溫度與電壓應力，因而在800V電動車、高壓電源、再生能源變流器以及AI數(shù)據(jù)中心的高壓直流系統(tǒng)中擁有廣泛應用。氮化鎵則以其高速切換與高頻運作的優(yōu)勢見長，能夠在縮小電源體積的同時提升功率密度，更加適配電源供應器、GPU電源模塊及高頻DC-DC轉換器等對空間與響應速度要求嚴苛的環(huán)節(jié)。兩者各擅勝場，共同覆蓋了從電網(wǎng)接入到芯片供電的完整電力鏈路。

產業(yè)鏈分析人士指出，AI帶動的遠不止GPU出貨量的增長，而是整個電力基礎設施的同步升級。從Power Rack機柜、電源供應器，到電壓調節(jié)模塊，再到GPU板卡本身，每一個環(huán)節(jié)都需要大量功率半導體完成交流與直流之間、不同電壓等級之間的多次電能轉換。這意味著MOSFET、功率IC、碳化硅元件、氮化鎵元件及功率模組的需求均呈現(xiàn)同步上升態(tài)勢，為整個功率半導體產業(yè)打開了新的成長空間。

值得注意的是，AI數(shù)據(jù)中心的爆發(fā)式增長并非功率半導體市場唯一的驅動力。電動車滲透率的持續(xù)提升、再生能源裝機容量的快速擴張，同樣在消耗著大量的第三代半導體晶圓產能。多重需求疊加之下，市場普遍看好高端碳化硅晶圓供需格局趨緊，價格獲得有力支撐。
根據(jù)市場研究機構的統(tǒng)計，全球功率半導體市場規(guī)模預計將從2024年的357億美元增長至2030年的615億美元，年復合增長率約為9.5%。目前，汽車與工業(yè)應用仍占據(jù)最大的市場份額，但AI數(shù)據(jù)中心、高壓電網(wǎng)及再生能源正迅速崛起為下一波增長的核心引擎，帶動第三代半導體的應用邊界從電動車市場進一步延伸至AI基礎設施這一全新戰(zhàn)場。

（集邦化合物半導體整理）

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雙方于今年4月正式簽署SiC MOSFET晶圓代工產品開發(fā)協(xié)議，啟動聯(lián)合研發(fā)項目；5月完成這款高壓碳化硅器件首次流片（Tape Out），6月29日實現(xiàn)晶圓下線（Fab Out），隨后順利完成首輪工程批次性能與良率驗證。業(yè)內普遍認為，大尺寸高壓SiC MOSFET制造工藝難度較高，項目在開發(fā)初期便實現(xiàn)80%平均良率，印證芯片設計方案與代工制造工藝具備較高成熟度。

公開資料顯示，RootSemicon專注碳化硅功率半導體芯片設計，持續(xù)布局高壓SiC器件研發(fā)；SK Powertec是韓國本土具備SiC器件量產能力的專業(yè)晶圓代工廠。本次合作整合雙方設計與制造優(yōu)勢，意在搭建韓國本土高性能碳化硅器件開發(fā)鏈條，降低當?shù)禺a業(yè)對海外晶圓代工渠道的依賴，推進SiC功率器件本土化發(fā)展。

該款1200V SiC MOSFET面向800V平臺電動汽車車載電驅系統(tǒng)、儲能變流器、大功率工業(yè)電源、直流快充樁等主流場景。相較于傳統(tǒng)硅基功率器件，碳化硅器件具備低開關損耗、耐高溫、高功率密度等優(yōu)勢，是新能源產業(yè)升級的核心元器件。

按照現(xiàn)有規(guī)劃，兩家企業(yè)后續(xù)將持續(xù)開展器件長期可靠性測試，持續(xù)優(yōu)化工藝進一步抬升良率，并穩(wěn)步推進樣品送樣與商業(yè)化籌備工作。依托本次研發(fā)成果，雙方后續(xù)計劃拓展更多規(guī)格碳化硅功率器件，持續(xù)完善本土SiC產品矩陣。

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圖片來源：芯聚能

芯聚能與芯粵能共同構建了從芯片設計、晶圓制造到模塊封裝測試的全產業(yè)鏈垂直整合能力，是國內少數(shù)在車規(guī)主驅應用領域完整打通碳化硅全流程的本土產業(yè)聯(lián)合體。兩家企業(yè)已在廣州南沙形成第三代半導體產業(yè)集群閉環(huán)，在服務芯片設計公司的同時，為光儲充、AI數(shù)據(jù)中心及工業(yè)控制等領域提供國產碳化硅產品、服務及解決方案。

在車規(guī)應用方面，芯聚能主驅模塊已廣泛應用于吉利多系列車型（包括極氪、Smart、銀河、沃爾沃及吉利商用車等）、零跑、紅旗、東風日產等品牌，車規(guī)產品良率、質量及累計出貨量位居國內前列。產品矩陣覆蓋400V至1000V電壓平臺，峰值電流能力橫跨300A至800A，可適配不同功率等級的電驅系統(tǒng)。搭載芯粵能芯片的碳化硅主驅模塊也已通過吉利多個車型量產驗證，并已實現(xiàn)大批量上車交付。

芯聚能推出的搭載自產1400V車規(guī)碳化硅芯片的系列主驅模塊已實現(xiàn)批量上車，并獲得多家主流車企定點訂單，目前在國內第三方碳化硅主驅模塊供應商中處于第一梯隊。與此同時，芯聚能的模塊產品已在工業(yè)領域實現(xiàn)量產交付，業(yè)務結構呈現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢。

在晶圓制造端，芯粵能的簽約流片客戶已覆蓋全國絕大部分碳化硅設計企業(yè)，目前已有超過250款Foundry客戶的新產品工程批樣品投入流片，良率和一致性獲得客戶認可。搭載芯粵能芯片的產品已進入批量生產階段，應用場景涵蓋工業(yè)電源、光伏逆變器、充電樁等多個終端領域。

芯粵能車規(guī)級芯片已通過芯片級AEC-Q101認證、模塊級AQG324認證及電驅系統(tǒng)級整車驗證，全流程滿足車規(guī)級可靠性要求，目前已進入主流車企供應鏈。受益于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制乃至消費類應用場景對碳化硅芯片需求的增長，芯粵能產能利用率快速上升。

從市場前景來看，碳化硅功率器件市場正受到新能源汽車、光儲充、AI數(shù)據(jù)中心、軌道交通及高壓電網(wǎng)多領域需求驅動。其中，新能源汽車800V平臺滲透加速，光儲充逆變器效率突破99%，AI數(shù)據(jù)中心供電架構向高壓直流升級，軌交與電網(wǎng)領域已實現(xiàn)工程驗證。預計到2030年，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將超過百億美元，年復合增長率超過20%。隨著8英寸量產推進與國產替代進程加快，碳化硅產業(yè)正進入高速成長期。

本輪融資完成，標志著芯聚能與芯粵能一體化垂直整合戰(zhàn)略進入新的發(fā)展階段。未來，兩家企業(yè)計劃持續(xù)深化全產業(yè)鏈協(xié)同，加大研發(fā)投入，并依托投資方在產業(yè)、科研、資本方面的資源，推進碳化硅功率器件產品的技術升級與市場拓展。

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圖片來源：公示名單截圖

實驗室面向能源轉型、集成電路自主可控需求，瞄準新型功率半導體共性技術瓶頸，規(guī)劃四大核心攻關方向：高性能SGT器件及先進封裝技術、極致CSP晶圓級功率器件研究、高功率密度IGBT產品開發(fā)、第二代1200V SiC MOSFET關鍵技術與產業(yè)化落地。平臺構建“器件理論創(chuàng)新—芯片研發(fā)—設計方法迭代—系統(tǒng)集成應用”完整創(chuàng)新鏈條，推動基礎研究成果快速向量產產品轉化。

依托長晶科技IDM垂直一體化布局優(yōu)勢，疊加南京郵電大學在功率器件物理、先進封測領域科研與人才儲備，實驗室采用企業(yè)主導、高校協(xié)同的產學研模式。長晶科技擁有從芯片設計、晶圓制造到封裝測試全鏈條能力，主營MOSFET、IGBT、電源管理IC等產品，廣泛應用于消費電子、工業(yè)控制、新能源汽車等賽道；本次省級重點實驗室落地，將進一步補齊前沿技術預研平臺。

放眼國內功率半導體產業(yè)，新能源、儲能、車載電子持續(xù)拉動硅基高端功率器件與碳化硅器件需求。傳統(tǒng)硅基MOSFET持續(xù)向低內阻、小型化CSP封裝演進；SiC器件逐步從車規(guī)主驅拓展至儲能、工控場景，但第二代SiC MOSFET在可靠性、成本層面仍存在諸多工程難題。國內廠商普遍面臨前沿基礎研發(fā)投入不足、實驗室成果難以規(guī)?；慨a等痛點。

江蘇省近期啟動首批企業(yè)牽頭省重點實驗室建設，鼓勵龍頭企業(yè)作為創(chuàng)新主體，直面產業(yè)真實技術難題。同期省內多家功率半導體企業(yè)相繼啟動創(chuàng)新平臺建設，推動江蘇形成硅基功率器件與第三代半導體協(xié)同發(fā)展格局。長晶科技實驗室兼顧硅基高端分立器件與碳化硅寬禁帶器件研發(fā)，和省內其他功率半導體創(chuàng)新平臺形成差異化互補。

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隨著碳化硅器件成本逐年下降，加之功率變換場景對效率的苛求不斷升級，白色家電與工業(yè)電機領域對碳化硅方案的接受度正在快速升溫。瞄準這一趨勢，芯朋微近日推出PN719XS、PN729XS、PN739XS三大系列碳化硅半橋智能功率模塊（SiC HB-IPM），瞄準工業(yè)機器人關節(jié)伺服、協(xié)作機械臂、高頻變頻器、電主軸，以及變頻風機、壓縮機、洗碗機、烘干機、煙機等家電場景，功率段覆蓋30W至1kW。

在產品特性上，該系列模塊圍繞簡潔與可靠展開設計：支持10至20V寬輸入電壓，內置自舉二極管，相比分立方案可省去6至8顆外圍元件，板級面積壓縮三成以上；死區(qū)時間設定在200至500ns區(qū)間，CMTI超過100V/ns，從底層保證系統(tǒng)安全；內置過溫、過流及欠壓保護，輔以FO異常輸出和SD外部關斷功能，ESD防護能力超過4KV（HBM模型）。尤為值得關注的是，該系列實現(xiàn)了與硅基方案的Pin-to-Pin兼容，客戶可在不改變整體設計框架的前提下完成從硅到碳化硅的平臺切換，降低了技術升級的門檻。

從更長的視角來看，芯朋微此舉并非一次孤立的產品發(fā)布，而是其功率半導體戰(zhàn)略在寬禁帶時代的一次系統(tǒng)化落地。從高壓驅動平臺的持續(xù)迭代，到碳化硅器件工藝的自主可控，再到模塊級封裝的整合能力，該公司正在圍繞“驅動芯片+功率器件+模塊封裝”構建起完整的技術閉環(huán)。

隨著新能源、工業(yè)自動化和高端家電對電能轉換效率的要求仍在走高，碳化硅器件的市場空間正從早期試用向規(guī)模化應用過渡。芯朋微此次推出的全系列SiC HB-IPM產品，以完善的保護機制、靈活的兼容性設計和精簡的外圍電路，為電機驅動市場提供了一套覆蓋消費與工業(yè)等級的寬禁帶方案，在硅基向碳化硅遷移的產業(yè)進程中占據(jù)了有利身位。

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圖片來源：上交所信息截圖

天科合達是國內較早實現(xiàn)碳化硅襯底產業(yè)化布局的企業(yè)，聚焦第三代半導體碳化硅襯底、外延片研發(fā)、生產與銷售，打造覆蓋單晶爐制造、晶體生長、晶片加工、外延制備的完整技術鏈條，形成“襯底+外延”一體化供給能力。公司主力產品涵蓋6英寸導電型碳化硅襯底，8英寸襯底已實現(xiàn)小批量供貨，同步推進12英寸碳化硅襯底技術研發(fā)；產品面向新能源汽車、光伏儲能、智能電網(wǎng)、工業(yè)控制等領域。股權層面，國家集成電路產業(yè)投資基金、華為哈勃、寧德時代等機構均為公司投資方。

招股書披露報告期經(jīng)營數(shù)據(jù)，2023至2025年，行業(yè)供給擴張疊加產品價格下行，企業(yè)營收連續(xù)下滑，2025年營業(yè)收入9.56億元，持續(xù)處于虧損狀態(tài)。行業(yè)下行周期內，國內外廠商持續(xù)擴產碳化硅襯底，6英寸產品競爭加劇、價格承壓；產業(yè)趨勢逐步向更大尺寸迭代，8英寸碳化硅襯底成為各家廠商重點攻堅方向。更大尺寸襯底能夠提升單片晶圓芯片產出、攤薄單位制造成本，適配下一代車規(guī)功率器件量產需求。

放眼全球碳化硅產業(yè)鏈，碳化硅襯底是功率半導體芯片核心基材，長期由海外廠商占據(jù)主要市場份額。國內企業(yè)持續(xù)推進技術突破與產能建設，加速國產替代進程。伴隨新能源汽車電驅、車載快充、儲能逆變器需求穩(wěn)步增長，碳化硅器件滲透率持續(xù)上行；同時AI算力硬件、低空經(jīng)濟、光通信等新興場景，不斷打開碳化硅材料增量空間。

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河北博威集成電路有限公司副總經(jīng)理段磊表示，目前正集中資源加快工程進度，力保項目在年內竣工并實現(xiàn)投產。公司總經(jīng)理郭躍偉此前透露，該項目于2024年11月動工，建設周期約為一年，預計2025年完工、2026年正式投入運營。

該項目總規(guī)劃占地面積70.4畝，分兩期建設，其中一期工程占地約45畝，建筑面積約5萬平方米，投資規(guī)模約2.5億元，涵蓋科研樓、生產車間及配套設施，預計年底前完成全部建設任務。

作為河北省重點建設項目，博威該項目聚焦第三代半導體氮化鎵技術，圍繞微波領域精密制造展開布局，產品廣泛應用于5G通信、微波通信、衛(wèi)星通信等戰(zhàn)略新興領域。達產后，將主要產出氮化鎵基站功放（面向移動通信）、微波毫米波MMIC芯片及器件（面向點對點通信ODU），并覆蓋衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)、商業(yè)航天及低空經(jīng)濟等前沿產業(yè)所需的核心集成電路，有望進一步強化國內第三代半導體在關鍵領域的自主配套能力。

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