根據(jù)雙方協(xié)議條款，本次授權(quán)核心為納微自研溝槽輔助平面（TAP）專利架構(gòu)，覆蓋電壓等級(jí)包含1200V、2300V、3300V及以上超高壓規(guī)格，對(duì)應(yīng)第四代與第五代兩代GeneSiC平臺(tái)全部工藝專利、器件設(shè)計(jì)方案。除技術(shù)本身外，納微同步開放自身碳化硅供應(yīng)鏈、材料生態(tài)體系資源，支撐MagnaChip快速完成技術(shù)移植、晶圓工藝驗(yàn)證與產(chǎn)線內(nèi)部化落地，產(chǎn)品將在其韓國本土工廠完成流片制造。

公開技術(shù)資料顯示，第五代GeneSiC依托TAP架構(gòu)融合平面結(jié)構(gòu)可靠性與溝槽結(jié)構(gòu)導(dǎo)通損耗優(yōu)勢(shì)，1200V產(chǎn)品品質(zhì)因數(shù)較上代提升35%，開關(guān)損耗、導(dǎo)通損耗同步優(yōu)化，適配AI服務(wù)器高壓電源、儲(chǔ)能變流器、電網(wǎng)固態(tài)變壓器、工業(yè)傳動(dòng)、新能源車車載功率單元等大功率場(chǎng)景，也是當(dāng)前納微布局算力基礎(chǔ)設(shè)施供電方案的主力器件平臺(tái)。

MagnaChip作為韓國老牌模擬與功率半導(dǎo)體廠商，過往主營顯示驅(qū)動(dòng)、電源管理IC，此前并無自研碳化硅MOSFET能力。通過本次專利授權(quán)，企業(yè)無需長期投入前端技術(shù)研發(fā)，即可快速推出自主品牌高壓SiC產(chǎn)品，主攻韓國本土儲(chǔ)能電站、電網(wǎng)基建、工業(yè)設(shè)備、新能源汽車市場(chǎng)，補(bǔ)齊第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品矩陣短板。雙方同時(shí)提及，本次僅為首期合作，后續(xù)還將探索氮化鎵等寬禁帶器件更多協(xié)同空間，具體內(nèi)容另行公布。

從商業(yè)模式來看，此次專利授權(quán)是納微半導(dǎo)體技術(shù)變現(xiàn)與生態(tài)擴(kuò)張的重要落地動(dòng)作。在自有器件銷售之外，通過向海外成熟IDM廠商輸出SiC核心專利，收取授權(quán)費(fèi)用并擴(kuò)大GeneSiC技術(shù)全球滲透率；同時(shí)借助MagnaChip本土制造與客戶渠道，進(jìn)一步滲透韓國電力能源與車載功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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這一整合進(jìn)程始于今年3月27日，三方已簽署諒解備忘錄，初步達(dá)成將各自功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)整合為一家合資企業(yè)的意向，其中三菱電機(jī)將承擔(dān)主導(dǎo)角色。目前，各方正圍繞產(chǎn)品供應(yīng)范圍、股權(quán)分配等核心條款展開深入討論。

不過，在業(yè)務(wù)邊界的界定上，羅姆與東芝希望保留各自的模擬芯片業(yè)務(wù)，而三菱電機(jī)則主張新實(shí)體應(yīng)專注于功率芯片領(lǐng)域，這一分歧使工作層面的談判推進(jìn)較為緩慢，高層管理人員已介入?yún)f(xié)調(diào)以尋求共識(shí)。

業(yè)界指出，從市場(chǎng)前景來看，合并后的新企業(yè)年?duì)I收有望突破80億美元。三方計(jì)劃通過整合研發(fā)資源、共享銷售渠道與制造產(chǎn)能，在AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車及工業(yè)機(jī)器人等快速增長的應(yīng)用領(lǐng)域搶占先機(jī)。日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省也將此次合并視為關(guān)乎國家產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力的重要舉措，認(rèn)為其成敗將對(duì)日本在能源效率提升及工業(yè)擴(kuò)張方面的戰(zhàn)略布局產(chǎn)生深遠(yuǎn)影響。

功率芯片雖非消費(fèi)電子領(lǐng)域中最受矚目的器件，卻承擔(dān)著控制和轉(zhuǎn)換汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)機(jī)器人、家用電器及各類電子設(shè)備中電能的關(guān)鍵功能。其戰(zhàn)略價(jià)值不容低估，一旦供應(yīng)出現(xiàn)短缺，不僅可能影響日本在節(jié)能技術(shù)領(lǐng)域的推進(jìn)節(jié)奏，也可能制約本土工業(yè)企業(yè)面向未來的擴(kuò)張計(jì)劃。

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圖片來源：公示名單截圖

實(shí)驗(yàn)室面向能源轉(zhuǎn)型、集成電路自主可控需求，瞄準(zhǔn)新型功率半導(dǎo)體共性技術(shù)瓶頸，規(guī)劃四大核心攻關(guān)方向：高性能SGT器件及先進(jìn)封裝技術(shù)、極致CSP晶圓級(jí)功率器件研究、高功率密度IGBT產(chǎn)品開發(fā)、第二代1200V SiC MOSFET關(guān)鍵技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化落地。平臺(tái)構(gòu)建“器件理論創(chuàng)新—芯片研發(fā)—設(shè)計(jì)方法迭代—系統(tǒng)集成應(yīng)用”完整創(chuàng)新鏈條，推動(dòng)基礎(chǔ)研究成果快速向量產(chǎn)產(chǎn)品轉(zhuǎn)化。

依托長晶科技IDM垂直一體化布局優(yōu)勢(shì)，疊加南京郵電大學(xué)在功率器件物理、先進(jìn)封測(cè)領(lǐng)域科研與人才儲(chǔ)備，實(shí)驗(yàn)室采用企業(yè)主導(dǎo)、高校協(xié)同的產(chǎn)學(xué)研模式。長晶科技擁有從芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造到封裝測(cè)試全鏈條能力，主營MOSFET、IGBT、電源管理IC等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工業(yè)控制、新能源汽車等賽道；本次省級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室落地，將進(jìn)一步補(bǔ)齊前沿技術(shù)預(yù)研平臺(tái)。

放眼國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，新能源、儲(chǔ)能、車載電子持續(xù)拉動(dòng)硅基高端功率器件與碳化硅器件需求。傳統(tǒng)硅基MOSFET持續(xù)向低內(nèi)阻、小型化CSP封裝演進(jìn)；SiC器件逐步從車規(guī)主驅(qū)拓展至儲(chǔ)能、工控場(chǎng)景，但第二代SiC MOSFET在可靠性、成本層面仍存在諸多工程難題。國內(nèi)廠商普遍面臨前沿基礎(chǔ)研發(fā)投入不足、實(shí)驗(yàn)室成果難以規(guī)模化量產(chǎn)等痛點(diǎn)。

江蘇省近期啟動(dòng)首批企業(yè)牽頭省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室建設(shè)，鼓勵(lì)龍頭企業(yè)作為創(chuàng)新主體，直面產(chǎn)業(yè)真實(shí)技術(shù)難題。同期省內(nèi)多家功率半導(dǎo)體企業(yè)相繼啟動(dòng)創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)，推動(dòng)江蘇形成硅基功率器件與第三代半導(dǎo)體協(xié)同發(fā)展格局。長晶科技實(shí)驗(yàn)室兼顧硅基高端分立器件與碳化硅寬禁帶器件研發(fā)，和省內(nèi)其他功率半導(dǎo)體創(chuàng)新平臺(tái)形成差異化互補(bǔ)。

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圖片來源：柘城縣融媒體中心

官方披露，這顆全新超大單晶尺寸達(dá)到45mm×43mm，整體規(guī)格接近2英寸標(biāo)準(zhǔn)尺寸，依托自研高溫高壓（HPHT）培育工藝成型。借助成熟外延生長技術(shù)，該單晶可作為核心籽晶，用于進(jìn)一步制備更大規(guī)格金剛石功能片材，解決長期制約行業(yè)發(fā)展的大尺寸籽晶制備難題。

公開資料顯示，2025年10月，力量鉆石在第十五屆中國河南國際投資貿(mào)易洽談會(huì)推出156.47克拉單晶，經(jīng)IGI國際寶石研究院鑒定，當(dāng)時(shí)打破海外企業(yè)150.42克拉的原有世界紀(jì)錄，成為全球最大人工培育金剛石單晶，尺寸為36.70mm×32.85mm×15.30mm。時(shí)隔不足一年，企業(yè)完成量級(jí)跨越式技術(shù)升級(jí)，超大顆粒單晶生長工藝穩(wěn)定性、晶體完整度同步實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。

企業(yè)項(xiàng)目負(fù)責(zé)人介紹，大尺寸金剛石籽晶是半導(dǎo)體高端散熱材料的核心基底，海外企業(yè)長期壟斷相關(guān)制備技術(shù)并實(shí)施出口管控。高溫高壓路線產(chǎn)出的金剛石單晶晶格缺陷極低，熱導(dǎo)率性能突出，是AI服務(wù)器、高端GPU芯片的理想散熱基材。本次247.82克拉單晶培育成功，依托國內(nèi)自主六面頂壓機(jī)成套設(shè)備體系，實(shí)現(xiàn)籽晶關(guān)鍵原材料技術(shù)自主可控，為金剛石散熱片規(guī)?；慨a(chǎn)掃清工藝障礙。

產(chǎn)業(yè)信息顯示，力量鉆石是國內(nèi)唯一進(jìn)入海外算力芯片廠商GPU散熱認(rèn)證體系的金剛石材料企業(yè)。隨著AI算力設(shè)備功耗持續(xù)走高，傳統(tǒng)金屬散熱材料性能抵達(dá)物理上限，高導(dǎo)熱單晶金剛石散熱方案需求持續(xù)增長。本次超大單晶技術(shù)突破，除珠寶級(jí)培育原石應(yīng)用外，重點(diǎn)面向半導(dǎo)體熱管理、工業(yè)精密光學(xué)、高壓電子器件等工業(yè)場(chǎng)景拓展落地空間。

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就各子公司具體運(yùn)營情況，民德電子在記錄表中進(jìn)行了說明。

廣芯微電子項(xiàng)目占地150畝，已建設(shè)用地100畝，一期規(guī)劃月產(chǎn)10萬片6英寸硅基晶圓，目前產(chǎn)品良率保持高位，客戶數(shù)量增長，產(chǎn)能及訂單飽滿。公司正通過股權(quán)融資、銀行融資及10億元定增等方式推進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備陸續(xù)進(jìn)場(chǎng)，計(jì)劃加快一期滿產(chǎn)并適時(shí)啟動(dòng)二期。

廣微集成自2024年將核心產(chǎn)品MOS場(chǎng)效應(yīng)二極管（MFER）切換至廣芯微電子代工后，客戶驗(yàn)證通過，銷量持續(xù)增長，同時(shí)在廣芯微電子推進(jìn)多個(gè)新產(chǎn)品工藝平臺(tái)開發(fā)，并在其他代工廠有少量12英寸SGT-MOSFET產(chǎn)品生產(chǎn)。

晶睿電子處于滿產(chǎn)滿銷，產(chǎn)品包括4至8英寸硅基外延片、MEMS傳感器用雙拋片、SiC外延片、SOI等，今年單月營收創(chuàng)歷史新高，毛利率轉(zhuǎn)正。據(jù)披露，晶睿電子已完成約2億元股權(quán)融資，新建單晶棒項(xiàng)目預(yù)計(jì)年底或明年初投產(chǎn)，投產(chǎn)后將成為國內(nèi)少數(shù)實(shí)現(xiàn)“硅單晶棒—拋光片—外延片”全產(chǎn)業(yè)鏈布局的企業(yè)。晶睿電子是國內(nèi)少數(shù)具備自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)并實(shí)現(xiàn)SOI產(chǎn)品量產(chǎn)的半導(dǎo)體材料企業(yè)，產(chǎn)品覆蓋MEMS傳感器、航空航天抗輻照器件、高端功率器件等領(lǐng)域。

關(guān)于募資安排，民德電子于7月5日披露定向募資計(jì)劃，擬募資10億元，其中7億元用于特色高壓功率半導(dǎo)體器件及功率集成電路晶圓代工項(xiàng)目，3億元用于補(bǔ)充流動(dòng)資金及償還銀行借款。

針對(duì)行業(yè)整體走勢(shì)，民德電子在記錄表中回顧稱，2020年至2022年，新能源汽車、光伏需求拉動(dòng)下行業(yè)處于上升周期，國內(nèi)多家晶圓廠新建或擴(kuò)建功率半導(dǎo)體產(chǎn)線。2023年至2025年，前期產(chǎn)能集中釋放，下游需求增速放緩，產(chǎn)品價(jià)格走低，部分產(chǎn)品價(jià)格跌至2022年高位的一半左右。據(jù)公司介紹，2025年底以來，國內(nèi)成熟制程晶圓廠基本滿產(chǎn)，2026年一季度起部分代工廠上調(diào)價(jià)格，二季度上游硅片廠漲價(jià)后漲價(jià)面進(jìn)一步擴(kuò)大。

對(duì)于供需兩側(cè)的現(xiàn)狀，民德電子分析指出，需求端AI帶動(dòng)電力需求增加，儲(chǔ)能、新能源汽車等領(lǐng)域功率器件需求保持增長，此前行業(yè)低迷期下游終端庫存偏低，漲價(jià)后備貨積極。供給端方面，公司表示2023年以來國內(nèi)外成熟制程晶圓產(chǎn)能未有增長，臺(tái)積電、三星等海外大廠減少6英寸、8英寸成熟制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)向先進(jìn)制程，國內(nèi)規(guī)模較大的晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)主要面向先進(jìn)制程和高端模擬芯片，功率半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)能新增較少。民德電子同時(shí)指出，部分此前在海外代工的設(shè)計(jì)公司轉(zhuǎn)向國內(nèi)晶圓廠，進(jìn)一步加劇了國內(nèi)成熟制程代工產(chǎn)能緊張的局面。

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國際大廠方面，英飛凌于5月26日發(fā)布調(diào)價(jià)通知，宣布自7月1日起執(zhí)行年內(nèi)第二次漲價(jià)，主要涉及中低壓MOSFET、車規(guī)級(jí)功率器件、部分IGBT及電源管理IC等產(chǎn)品，現(xiàn)貨及非長協(xié)客戶將全額執(zhí)行新價(jià)格，長協(xié)客戶則需在第三季度重新商談價(jià)格。德州儀器、意法半導(dǎo)體等廠商也已向客戶發(fā)出調(diào)價(jià)函，漲幅普遍在5%至20%之間，部分產(chǎn)品交期拉長至30周以上。

國內(nèi)廠商方面，揚(yáng)杰科技6月宣布自7月1日起對(duì)全系列產(chǎn)品上調(diào)價(jià)格10%至15%，為年內(nèi)第二輪漲價(jià)。立昂微同步跟進(jìn)，全系產(chǎn)品漲幅同樣在10%至15%區(qū)間。宏微科技于6月26日在投資者互動(dòng)平臺(tái)確認(rèn)，公司已啟動(dòng)第二輪產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整，涵蓋IGBT單管及模塊、整流橋和MOSFET器件等核心產(chǎn)品線，漲幅約10%至15%，自6月起生效。宏微科技表示，產(chǎn)品定價(jià)將綜合考量上游原材料成本波動(dòng)、下游市場(chǎng)需求及產(chǎn)能供給等多重因素。

對(duì)于本輪漲價(jià)的原因，多家廠商在調(diào)價(jià)函中提及，上游原材料價(jià)格持續(xù)上漲是直接推動(dòng)因素。銅、錫等大宗金屬價(jià)格攀升，疊加封裝、晶圓制造等環(huán)節(jié)成本上升，企業(yè)已難以通過內(nèi)部優(yōu)化完全消化。英飛凌在調(diào)價(jià)函中指出，地緣政治緊張導(dǎo)致能源、物流及全價(jià)值鏈成本持續(xù)上漲，是促使公司調(diào)價(jià)的重要原因。

需求端方面，AI數(shù)據(jù)中心、新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體的需求激增，特別是AI服務(wù)器電源、高壓IGBT等高端產(chǎn)品供不應(yīng)求。與此同時(shí)，8英寸晶圓產(chǎn)能利用率持續(xù)維持高位，部分熱門型號(hào)交期拉長至半年以上，供需失衡進(jìn)一步推動(dòng)價(jià)格上漲。

此次調(diào)價(jià)是功率半導(dǎo)體行業(yè)年內(nèi)第二波集中漲價(jià)，反映了下游AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)與新能源產(chǎn)業(yè)需求的雙重拉動(dòng)效應(yīng)。業(yè)內(nèi)人士指出，隨著AI算力集群功耗持續(xù)攀升，功率半導(dǎo)體正成為繼存儲(chǔ)芯片之后產(chǎn)業(yè)增長的又一重要引擎。目前主要廠商訂單飽滿，產(chǎn)能利用率維持高位，漲價(jià)暫未對(duì)訂單獲取能力造成明顯影響，行業(yè)景氣度有望延續(xù)。

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圖片來源：廣州白云發(fā)布

項(xiàng)目投資方為韓國STI株式會(huì)社，該公司成立于1997年，是國際知名的碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備和陶瓷基板制造企業(yè)，在AMB陶瓷基板領(lǐng)域處于國際領(lǐng)先水平，長期為三星電子、SK海力士等全球半導(dǎo)體巨頭提供配套。AMB陶瓷基板廣泛應(yīng)用于新能源汽車、智能電網(wǎng)、5G通信、航空航天等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，市場(chǎng)前景廣闊。

對(duì)于選址廣州白云區(qū)，韓國STI株式會(huì)社表示，主要看重白云區(qū)通達(dá)的樞紐條件、清晰的產(chǎn)業(yè)定位、完善的產(chǎn)業(yè)平臺(tái)以及良好的營商環(huán)境。白云區(qū)擁有“空、鐵、水、陸”一體化立體交通網(wǎng)絡(luò)，對(duì)內(nèi)可快速聯(lián)動(dòng)粵港澳大灣區(qū)，對(duì)外高效鏈接全球市場(chǎng)，能夠滿足半導(dǎo)體原材料和成品的跨區(qū)域運(yùn)輸需求。此外，白云區(qū)充足的工業(yè)用地不僅滿足一期建設(shè)需求，也為后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張預(yù)留了空間。項(xiàng)目所在的廣州民營科技園是國家高新區(qū)和國家級(jí)民營科技園，周邊已集聚了一批高端制造和電子信息類企業(yè)，便于技術(shù)交流與供應(yīng)鏈協(xié)作，有助于實(shí)現(xiàn)就近配套和降本增效。

該項(xiàng)目建成后，將推動(dòng)白云區(qū)加速構(gòu)建“設(shè)計(jì)+制造+封測(cè)”完整半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，助力白云區(qū)搶占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新高地。作為重大外資項(xiàng)目和新質(zhì)生產(chǎn)力標(biāo)桿工程，項(xiàng)目投產(chǎn)后將進(jìn)一步完善粵港澳大灣區(qū)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條，吸引高端技術(shù)人才和配套資源加速集聚。

從大灣區(qū)產(chǎn)業(yè)格局看，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近年來發(fā)展迅速。廣州以粵芯半導(dǎo)體為核心，聚焦模擬芯片和功率半導(dǎo)體制造，已建成兩座12英寸晶圓廠，芯粵能半導(dǎo)體專注于車規(guī)級(jí)碳化硅芯片制造；深圳擁有華潤微電子、基本半導(dǎo)體、經(jīng)緯開物等企業(yè)，覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試全產(chǎn)業(yè)鏈；東莞光茂科技等企業(yè)聚焦成熟制程代工，服務(wù)消費(fèi)電子與物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。東韓半導(dǎo)體AMB基板項(xiàng)目的落地，直接為上述企業(yè)提供關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，補(bǔ)強(qiáng)了從材料到封測(cè)的完整鏈條，有助于推動(dòng)大灣區(qū)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向規(guī)模化、高端化、集群化方向發(fā)展，成為國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要增長極。

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功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心中扮演著關(guān)鍵角色，能夠提供穩(wěn)定的供電網(wǎng)絡(luò)、提高能源利用效率、降低電力損耗，從而支撐高密度AI設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。其應(yīng)用范圍遠(yuǎn)不止于此，還廣泛覆蓋能源系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、工業(yè)機(jī)器人和航空航天等領(lǐng)域。當(dāng)前最受關(guān)注的先進(jìn)功率半導(dǎo)體材料包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN），相比傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體，這兩種材料具備耐高溫能力更強(qiáng)、能耗更低、轉(zhuǎn)換效率更高等突出優(yōu)勢(shì)。

據(jù)悉，韓國政府重點(diǎn)鼓勵(lì)和引導(dǎo)本土功率半導(dǎo)體企業(yè)參與此項(xiàng)研發(fā)計(jì)劃，意在構(gòu)建完整的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。若計(jì)劃順利推進(jìn)，韓國的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望實(shí)現(xiàn)顯著發(fā)展。

近年來，韓國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展迅速，政府與企業(yè)的協(xié)同投入正推動(dòng)其從傳統(tǒng)存儲(chǔ)芯片優(yōu)勢(shì)向多元化半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型。韓國政府已將功率半導(dǎo)體提升至國家戰(zhàn)略基礎(chǔ)設(shè)施的高度，明確提出到2030年將功率半導(dǎo)體技術(shù)自主率從10%提升至20%，降低對(duì)進(jìn)口的依賴。在技術(shù)研發(fā)路線圖上，韓國明確以碳化硅和氮化鎵為核心方向，覆蓋材料、工藝、設(shè)計(jì)及代工全產(chǎn)業(yè)鏈。

在企業(yè)布局與產(chǎn)能建設(shè)方面，三星電子計(jì)劃于2026年第三季度生產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體樣品，聚焦車規(guī)級(jí)和工業(yè)級(jí)應(yīng)用，未來將拓展至溝槽型碳化硅MOSFET及功率模塊產(chǎn)品。PowerMaster作為韓國知名功率IDM企業(yè)，擁有硅8英寸和碳化硅6英寸晶圓廠，已實(shí)現(xiàn)1200V碳化硅MOSFET的量產(chǎn)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等領(lǐng)域。

在產(chǎn)業(yè)鏈完善與技術(shù)突破方面，韓國STI公司自主研發(fā)了碳化硅PVT生長爐，實(shí)現(xiàn)5N級(jí)碳化硅錠粉的本地化供應(yīng)；SK Siltron通過收購杜邦碳化硅晶圓事業(yè)部，強(qiáng)化了襯底供應(yīng)能力。在外延與器件制造環(huán)節(jié)，Arché、LX Semicon等企業(yè)已實(shí)現(xiàn)碳化硅外延片的量產(chǎn)，Trinno Technology等公司積極開發(fā)碳化硅JBS和碳化硅MOSFET技術(shù)，推動(dòng)器件國產(chǎn)化進(jìn)程。

在市場(chǎng)應(yīng)用與競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)方面，韓國現(xiàn)代汽車、三星電子等企業(yè)正積極應(yīng)用碳化硅技術(shù)，推動(dòng)電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)電源等領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體需求增長。盡管韓國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得了積極進(jìn)展，但在全球?qū)＠季趾褪袌?chǎng)份額上仍落后于英飛凌、意法半導(dǎo)體等國際巨頭，需進(jìn)一步加強(qiáng)技術(shù)創(chuàng)新和知識(shí)產(chǎn)權(quán)積累?？傮w來看，韓國通過政策引導(dǎo)、企業(yè)協(xié)同和產(chǎn)業(yè)鏈整合，正加速構(gòu)建功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)，未來有望在全球市場(chǎng)中占據(jù)重要地位。

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該基金暫定名為潤科（重慶）股權(quán)投資基金合伙企業(yè)（有限合伙），匯聚了重慶產(chǎn)業(yè)投資母基金、西部（重慶）科學(xué)城高新啟航創(chuàng)業(yè)投資基金、央企戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金等多家國家級(jí)與地方級(jí)國資機(jī)構(gòu)?；鹩扇A潤資本旗下主體管理，重點(diǎn)投向半導(dǎo)體核心設(shè)備、核心零部件、關(guān)鍵耗材及高端芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，核心邏輯鎖定“國產(chǎn)替代”與“技術(shù)自主”，旨在為華潤微的IDM（設(shè)計(jì)、制造、封裝一體化）全產(chǎn)業(yè)鏈注入自主可控的發(fā)展動(dòng)能。

作為華潤集團(tuán)旗下的功率半導(dǎo)體企業(yè)，華潤微長期專注于功率半導(dǎo)體、智能傳感器等產(chǎn)品，并深度布局車規(guī)級(jí)芯片、第三代半導(dǎo)體等前沿賽道。

此次基金設(shè)立之前，華潤微已在重慶深耕多年，構(gòu)筑了堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)。

截至目前，華潤微持續(xù)加碼重慶產(chǎn)線投資與產(chǎn)能擴(kuò)充，其在重慶的晶圓產(chǎn)能已占當(dāng)?shù)匾呀óa(chǎn)能的一半以上，有力支撐重慶功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)規(guī)模穩(wěn)居全國前三。到2025年底，華潤微已在重慶建成涵蓋研發(fā)、制造、封裝測(cè)試及銷售在內(nèi)的完整車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。

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圖片來源：紫光國微公告截圖

目前，該交易尚需經(jīng)過紫光國微董事會(huì)、股東會(huì)審議，并獲得相關(guān)監(jiān)管機(jī)構(gòu)的批準(zhǔn)，審計(jì)與評(píng)估工作正在穩(wěn)步推進(jìn)中。由于審批時(shí)間和結(jié)果存在不確定性，紫光國微表示將及時(shí)披露后續(xù)進(jìn)展。

在業(yè)務(wù)整合方面，公司計(jì)劃在交易完成后將瑞能半導(dǎo)的技術(shù)、客戶資源和制造能力納入自身體系，重點(diǎn)加強(qiáng)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局，尤其是碳化硅（SiC）器件的研發(fā)與生產(chǎn)，以補(bǔ)齊制造環(huán)節(jié)短板，提升在新能源汽車、光伏儲(chǔ)能、工業(yè)控制等市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

業(yè)界指出，從收購動(dòng)因來看，紫光國微長期以來以芯片設(shè)計(jì)為主，瑞能半導(dǎo)專注于功率半導(dǎo)體器件，包括碳化硅二極管、晶閘管、IGBT等，并擁有晶圓制造、封裝測(cè)試的一體化產(chǎn)能。此次收購將幫助紫光國微快速形成“設(shè)計(jì)+制造”的一體化能力，增強(qiáng)供應(yīng)鏈自主可控性。與此同時(shí)，汽車電子已成為紫光國微的第二增長曲線，而功率半導(dǎo)體是汽車電動(dòng)化、智能化的核心組件。瑞能半導(dǎo)的車規(guī)級(jí)功率器件（如碳化硅器件）可與其現(xiàn)有的車規(guī)級(jí)MCU、安全芯片等產(chǎn)品協(xié)同，提供完整的汽車電子解決方案，從而在智能座艙、車載電源管理等領(lǐng)域形成更強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。

在客戶與市場(chǎng)層面，瑞能半導(dǎo)擁有覆蓋消費(fèi)電子、工業(yè)制造、新能源等領(lǐng)域的成熟客戶群，其海外銷售網(wǎng)絡(luò)也有助于紫光國微拓展國際市場(chǎng)，提升全球份額。

技術(shù)方面，瑞能半導(dǎo)繼承了恩智浦的功率半導(dǎo)體技術(shù)積累，具備先進(jìn)的工藝平臺(tái)和研發(fā)能力，收購后雙方可在高端功率器件（如碳化硅MOSFET）的研發(fā)上實(shí)現(xiàn)協(xié)同，進(jìn)一步提高技術(shù)壁壘。整體來看，紫光國微希望通過此次收購整合資源，向綜合性半導(dǎo)體平臺(tái)轉(zhuǎn)型，形成更完整的產(chǎn)品矩陣和產(chǎn)業(yè)鏈布局，以增強(qiáng)綜合競(jìng)爭(zhēng)力，更好地應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化與行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。

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