文章分類： 功率

碳化硅襯底及材料相關項目落地浙江

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 27 日 17:20 |
| 分類: 功率
據(jù)望潮客戶端消息，9月25日，在第三屆全球數(shù)字貿(mào)易博覽會重大項目簽約儀式上，臺州市有4個項目簽約，分別為碳化硅原材料及碳化硅襯底項目、AI數(shù)據(jù)研發(fā)總部及算力中心項目、年產(chǎn)130萬套智能硬件終端設備制造項目、年產(chǎn)260萬噸化學品及新材料一體化項目。 其中，碳化硅原材料及碳化硅襯底項...  [詳內(nèi)文]

6000萬，氮化鎵功率半導體公司完成Pre-A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:31 | | 分類: 功率
近日，晶通半導體（深圳）有限公司（下文簡稱“晶通半導體”）成功完成了6000萬元的Pre-A輪融資，此輪投資人包括了知名投資機構賽富投資基金、天使投資人，以及現(xiàn)有股東GRC富華資本的超額認購。公司未來將持續(xù)拓展產(chǎn)品矩陣，加速客戶方案導入，以滿足不同市場日益增長的需求。 晶通半導...  [詳內(nèi)文]

10億，江蘇新增一座6英寸功率晶圓廠

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:27 |
| 分類: 功率
9月20日，昕感科技宣布，公司位于江蘇江陰的晶圓廠順利完成首批投片。這一重要里程碑標志著昕感科技晶圓廠正式邁入全面運營的新階段。 source：昕感科技 集邦化合物半導體了解到，昕感科技6英寸功率半導體制造項目總計投資超10億元，一期建設6英寸廠房，總建筑面積超4.5萬平，核心...  [詳內(nèi)文]

8英寸碳化硅之爭，正燃

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 20 日 16:14 |
| 分類: 功率
放眼全球，碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立的局面，受下游應用需求推動，碳化硅邁入加速發(fā)展期。目前來看，英飛凌、意法半導體、安森美、天岳先進、三安光電、羅姆等大廠持續(xù)布局碳化硅產(chǎn)能，穩(wěn)固其市場地位，同時，產(chǎn)業(yè)鏈相關環(huán)節(jié)的其他玩家也加入了碳化硅競爭。在此之下，8英寸碳化硅成為各方攻略...  [詳內(nèi)文]

長飛先進武漢基地主體樓全面封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 11 日 15:40 | | 分類: 功率
9月10號晚，長飛先進宣布，公司武漢基地主體樓已全面封頂。 source：長飛先進 據(jù)悉，長飛先進武漢基地主要聚焦于第三代半導體功率器件研發(fā)與生產(chǎn)，致力于打造一個集芯片設計、制造及先進技術研發(fā)于一體的現(xiàn)代化半導體制造基地。項目總投資預計超過200億元，占地面積約22.94萬㎡，...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵，新輔助？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 10 日 14:37 |
| 分類: 功率
第三代半導體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導體材料大廠信越化學為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。 2024年9月3日，信越化學宣布研制出一種用于GaN（氮化鎵）外延生長的300毫米（12英寸）QSTTM襯底，并于近日開始供應樣品。 圖片來源：信越化學 從氮化鎵生產(chǎn)上看，盡管GaN...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術有新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 02 日 17:21 |
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據(jù)南京發(fā)布近日消息，國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（南京）歷時4年自主研發(fā)，成功攻關溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關鍵技術，打破平面型碳化硅MOSFET芯片性能“天花板”。據(jù)悉這是我國在這一領域的首次突破。 source:江寧發(fā)布 公開資料顯示，碳化硅是第三代半導體材料的主要代...  [詳內(nèi)文]

碳化硅爭奪戰(zhàn)：光伏龍頭們已入局

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 29 日 17:29 |
| 分類: 功率
目前，碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢喜人，跨界布局碳化硅業(yè)務的玩家眾多，包括長城汽車、吉利汽車等車企以及三安光電、博藍特等LED廠商，除車企和LED廠商外，部分光伏廠商已成為跨界布局碳化硅的重要力量。 光伏龍頭跨界布局碳化硅 據(jù)集邦化合物半導體觀察，通威集團、合盛硅業(yè)、弘元綠能、高測股份、捷...  [詳內(nèi)文]

第四代半導體氧化鎵蓄勢待發(fā)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 26 日 14:21 |
| 分類: 功率
新能源汽車大勢之下，以碳化硅為代表的第三代半導體發(fā)展風生水起。與此同時，第四代半導體也在蓄勢待發(fā)，其中，氧化鎵（Ga2O3）基于其性能與成本優(yōu)勢，有望成為繼碳化硅之后最具潛力的半導體材料。 鴻海入局氧化鎵 近期媒體報道，鴻海研究院半導體所與陽明交大電子所合作，雙方研究團隊在第四代...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)首套碳化硅晶錠激光剝離設備投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 08 月 23 日 18:10 | | 分類: 功率
據(jù)新聞晨報報道，8月21日，從江蘇通用半導體有限公司（下文簡稱通用半導體）傳來消息，由該公司自主研發(fā)的國內(nèi)首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動剝離設備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領域頭部企業(yè)，并投入生產(chǎn)。 據(jù)了解，該設備可實現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動分片，將極大地提升我國碳化硅芯片...  [詳內(nèi)文]