邦芯半導體2020年成立，為國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，核心聚焦硅基特種工藝設備與化合物半導體加工設備自研，已完整推出6/8/12英寸介質刻蝕機、干法化學刻蝕設備、鎢薄膜沉積設備等前道核心裝備，產品適配碳化硅、氮化鎵等第三代半導體晶圓制造場景，可滿足功率器件、射頻芯片量產制程需求。
產品商業(yè)化層面，公司設備已在多家晶圓廠通過工藝驗證并實現(xiàn)批量出貨，2025年單年設備出貨量突破100臺，歷史累計出貨總量超200臺，在SiC碳化硅刻蝕細分設備領域具備較高國產市占率。
除上海臨港總部研發(fā)與生產基地外，企業(yè)同步布局武漢華中智造基地、青島產業(yè)化項目，青島子公司一期產線規(guī)劃總投資額2億元，將進一步放大北方區(qū)域交付能力，與當?shù)丶呻娐樊a業(yè)鏈形成配套協(xié)同。
本次融資到位后，邦芯半導體將加大干法刻蝕腔體結構、等離子體工藝、高可靠真空傳輸模塊等核心技術投入，針對8英寸、12英寸SiC量產線做設備專項優(yōu)化，同時擴充售后工藝團隊，解決第三代半導體器件制造中的刻蝕形貌、表面缺陷控制等行業(yè)痛點，推進半導體前道設備國產化替代進程。
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]]>01、星鑰半導體數(shù)億元融資落地，加碼硅基GaN功率器件量產
近日，專注硅基氮化鎵功率器件研發(fā)量產的星鑰半導體，完成數(shù)億元新一輪融資，本輪融資由鼎暉香港基金等多家戰(zhàn)略及財務機構聯(lián)合參與。成立以來，星鑰半導體持續(xù)獲得資本青睞，先后落地多輪融資，投資方囊括高瓴創(chuàng)投、紅杉中國、中芯聚源、多地國資產業(yè)基金等頭部機構，產業(yè)與資本認可度持續(xù)提升。
星鑰半導體聚焦第三代半導體硅基GaN技術路線，主打650V–900V全系硅基氮化鎵功率器件，產品核心適配AI服務器高壓電源、高端消費快充、工業(yè)電源等主流高增長場景。
相較于傳統(tǒng)碳化硅基器件，硅基GaN可兼容大尺寸硅晶圓成熟產線，在成本與規(guī)模化量產上具備顯著優(yōu)勢，是當前寬禁帶半導體降本普及、大規(guī)模替代傳統(tǒng)硅基功率器件的核心方向。
本輪融資資金，將主要用于硅基GaN器件工藝迭代、產線升級以及規(guī)模化市場導入，進一步提升國產氮化鎵功率器件的量產能力與市場滲透率。
02、藍河科技B6輪數(shù)億元融資，攻堅國產化合物半導體核心裝備
化合物半導體生長設備廠商藍河科技順利完成數(shù)億元B6輪融資。本輪融資由中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金領投，泰達科創(chuàng)、長江創(chuàng)新等機構跟投。依托多輪持續(xù)融資，公司持續(xù)獲得國家級基金、產業(yè)資本、財務資本的長期加持，產能與研發(fā)投入持續(xù)提速。
圖片來源：企查查信息截圖
藍河科技專注化合物半導體裝備與材料技術研發(fā)、產業(yè)化，核心主打高端MOCVD設備，同時布局高溫CVD（HTCVD）、MOCVD腔體再生清潔設備等配套產品線，形成完整的化合物外延設備配套能力。不同于單一賽道設備廠商，公司設備適配品類廣泛，可服務于氮化鎵功率器件、碳化硅功率器件、氧化鎵超寬禁帶材料、紅黃光LED等多領域量產與研發(fā)。
作為化合物半導體外延生產的核心設備，MOCVD的工藝精度直接決定外延片良率、穩(wěn)定性和器件性能。藍河科技憑借多材料適配能力和設備迭代經(jīng)驗，已經(jīng)進入多家功率半導體、新型超寬禁帶材料企業(yè)供應鏈。
03、晶耀芯輝獲地方專精特新基金投資，補齊磷化銦光芯片產能
在光通信化合物賽道，高端磷化銦外延與芯片領域同樣迎來資本落地。近期，鐘金控集團旗下常州鐘樓專精與特新投資合伙企業(yè)，正式投資南京晶耀芯輝半導體科技有限公司，助力企業(yè)擴產高端光芯片核心產能。
公開資料顯示，晶耀芯輝成立于2023年10月，落戶南京，是一家聚焦高端磷化銦外延材料、高速激光器芯片研發(fā)與生產的科創(chuàng)企業(yè)。磷化銦是第二代化合物半導體核心材料，也是當前AI高速光模塊不可或缺的基礎材料，800G、1.6T高速光通信、數(shù)據(jù)中心高速互連所需的激光芯片，均高度依賴高品質磷化銦外延片支撐。
當前全球AI算力建設持續(xù)提速，高速光模塊迭代節(jié)奏加快，上游磷化銦材料和高速光芯片供需持續(xù)偏緊。但國內高端磷化銦外延、高速EML激光器芯片產能有限，高端產品長期依賴海外廠商，國產化替代空間巨大。晶耀芯輝主要布局100G、200G高速激光芯片及硅光集成配套光源芯片，產品面向高速光通信、算力互連等主流高端場景。
04、結語
本輪三筆融資，分別落地功率器件、核心設備、光芯片三大關鍵環(huán)節(jié)，完整覆蓋了國內化合物半導體兩大核心賽道。目前國內SiC、GaN功率半導體及高速光芯片市場需求持續(xù)旺盛，產業(yè)鏈擴產節(jié)奏提速。在此背景下，資本逐步從下游器件端，向上游設備、材料、外延等核心短板環(huán)節(jié)轉移。整體而言，國內化合物半導體正進入全鏈條補鏈提速階段。隨著更多國產設備、材料與芯片產能落地，產業(yè)鏈自主可控能力將持續(xù)增強，進一步夯實行業(yè)長期發(fā)展基礎。
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圖片來源：芯聚能
芯聚能與芯粵能共同構建了從芯片設計、晶圓制造到模塊封裝測試的全產業(yè)鏈垂直整合能力，是國內少數(shù)在車規(guī)主驅應用領域完整打通碳化硅全流程的本土產業(yè)聯(lián)合體。兩家企業(yè)已在廣州南沙形成第三代半導體產業(yè)集群閉環(huán)，在服務芯片設計公司的同時，為光儲充、AI數(shù)據(jù)中心及工業(yè)控制等領域提供國產碳化硅產品、服務及解決方案。
在車規(guī)應用方面，芯聚能主驅模塊已廣泛應用于吉利多系列車型（包括極氪、Smart、銀河、沃爾沃及吉利商用車等）、零跑、紅旗、東風日產等品牌，車規(guī)產品良率、質量及累計出貨量位居國內前列。產品矩陣覆蓋400V至1000V電壓平臺，峰值電流能力橫跨300A至800A，可適配不同功率等級的電驅系統(tǒng)。搭載芯粵能芯片的碳化硅主驅模塊也已通過吉利多個車型量產驗證，并已實現(xiàn)大批量上車交付。
芯聚能推出的搭載自產1400V車規(guī)碳化硅芯片的系列主驅模塊已實現(xiàn)批量上車，并獲得多家主流車企定點訂單，目前在國內第三方碳化硅主驅模塊供應商中處于第一梯隊。與此同時，芯聚能的模塊產品已在工業(yè)領域實現(xiàn)量產交付，業(yè)務結構呈現(xiàn)多元化發(fā)展趨勢。
在晶圓制造端，芯粵能的簽約流片客戶已覆蓋全國絕大部分碳化硅設計企業(yè)，目前已有超過250款Foundry客戶的新產品工程批樣品投入流片，良率和一致性獲得客戶認可。搭載芯粵能芯片的產品已進入批量生產階段，應用場景涵蓋工業(yè)電源、光伏逆變器、充電樁等多個終端領域。
芯粵能車規(guī)級芯片已通過芯片級AEC-Q101認證、模塊級AQG324認證及電驅系統(tǒng)級整車驗證，全流程滿足車規(guī)級可靠性要求，目前已進入主流車企供應鏈。受益于AI數(shù)據(jù)中心、工業(yè)控制乃至消費類應用場景對碳化硅芯片需求的增長，芯粵能產能利用率快速上升。
從市場前景來看，碳化硅功率器件市場正受到新能源汽車、光儲充、AI數(shù)據(jù)中心、軌道交通及高壓電網(wǎng)多領域需求驅動。其中，新能源汽車800V平臺滲透加速，光儲充逆變器效率突破99%，AI數(shù)據(jù)中心供電架構向高壓直流升級，軌交與電網(wǎng)領域已實現(xiàn)工程驗證。預計到2030年，全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將超過百億美元，年復合增長率超過20%。隨著8英寸量產推進與國產替代進程加快，碳化硅產業(yè)正進入高速成長期。
本輪融資完成，標志著芯聚能與芯粵能一體化垂直整合戰(zhàn)略進入新的發(fā)展階段。未來，兩家企業(yè)計劃持續(xù)深化全產業(yè)鏈協(xié)同，加大研發(fā)投入，并依托投資方在產業(yè)、科研、資本方面的資源，推進碳化硅功率器件產品的技術升級與市場拓展。
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]]>公開報道顯示，本輪為云思半導體首輪機構規(guī)?；谫Y，整體融資規(guī)模為數(shù)千萬元級別，由硬科技投資機構派諾資本獨家領投。根據(jù)企業(yè)官方披露，本輪募集資金將主要用于產線迭代升級、12英寸半導體耗材新品研發(fā)，以及頭部客戶批量交付產能擴充，夯實產品量產交付能力。
云思半導體總部位于湖南長沙，是專注第三代半導體高端石墨耗材的研發(fā)與量產企業(yè)。公司核心產品聚焦碳化硅、氮化鎵制程所需的高端石墨工藝耗材、半導體專用涂層材料，廣泛應用于第三代半導體外延、刻蝕、薄膜沉積等核心制程環(huán)節(jié)，適配功率器件、射頻器件全流程制造場景。
相較于傳統(tǒng)通用耗材，公司產品針對寬禁帶半導體高溫、高壓、高頻的特殊制程環(huán)境定制開發(fā)，契合車規(guī)級、工業(yè)級半導體量產標準，可有效提升晶圓制程良率、降低生產損耗。此前國內高端第三代半導體石墨耗材長期依賴進口，云思半導體相關產品已實現(xiàn)國產化替代落地，填補本土配套缺口。
目前公司已建成完整的研發(fā)、中試與批量供貨體系，配套石墨加工、CVD涂層專業(yè)產線，核心耗材產品已通過國內頭部第三代半導體廠商工藝驗證，實現(xiàn)穩(wěn)定小批量供貨，成功切入國產寬禁帶半導體量產供應鏈。企業(yè)已與行業(yè)兩大龍頭企業(yè)建立長期合作綁定關系，客戶資源持續(xù)穩(wěn)固。
當前國內第三代半導體產能持續(xù)擴張，高端專用耗材國產化替代需求持續(xù)增長。本輪融資落地后，云思半導體將重點攻堅12英寸高端耗材新品研發(fā)，迭代升級現(xiàn)有產線工藝，擴充批量交付產能，精準匹配國內碳化硅、氮化鎵產業(yè)規(guī)?；瘮U產的配套需求。
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]]>這家成立于2023年的企業(yè)，專注于功率半導體模組的研發(fā)、制造與銷售，產品線涵蓋全碳化硅（SiC）功率模組、IGBT+SiC混合模組以及定制化功率解決方案，應用場景覆蓋光伏儲能、數(shù)據(jù)中心電源、固態(tài)變壓器等新興電力電子領域。
核心團隊曾長期任職于臺達電子、AOS、瑞能半導體、艾默生等知名企業(yè)，在功率半導體及電力電子產業(yè)中積累了豐富的研發(fā)與量產經(jīng)驗。得益于團隊的技術沉淀與市場拓展，公司迄今已累計開發(fā)約60款產品，其中近50款進入量產階段，量產主力為碳化硅三電平功率模組，主要面向新型電力、綠色能源和智能終端三大領域，供貨對象覆蓋SST、光伏、儲能及智能充電產業(yè)鏈的相關企業(yè)。
在技術主線上，矽迪半導體將固態(tài)變壓器視為未來新型電力系統(tǒng)的關鍵基礎設備，并集中資源攻克其在高壓、高頻工況下功率轉換效率與系統(tǒng)可靠性的核心難題。由于SST涉及功率半導體、電磁設計、熱管理及控制系統(tǒng)等多學科交叉，相關核心器件長期存在較高技術壁壘。針對這一挑戰(zhàn)，公司開發(fā)出面向SST場景的大功率碳化硅模組，并依托自研仿真平臺開展系統(tǒng)級設計優(yōu)化。據(jù)公司透露，其2MW級SST功率模組已完成頭部企業(yè)的掛網(wǎng)驗證，目前正推進終端客戶的測試工作。
與此同時，矽迪半導體也在儲能賽道積極布局高功率密度方案。隨著587Ah、600Ah及以上大容量儲能電芯逐步進入市場，儲能變流器（PCS）的功率等級持續(xù)攀升。為適配這一趨勢，公司推出了430kW全碳化硅三電平單模塊方案，旨在滿足新一代大容量儲能系統(tǒng)對高效、緊湊功率轉換的迫切需求，進一步拓展其在綠色能源產業(yè)鏈中的市場份額。
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]]>本次是國鎵芯科繼2023年種子輪、2024年天使輪之后的新一輪股權融資。池州產投并非首次布局該企業(yè)，此前已參與公司早期融資，屬于持續(xù)跟投機構。
目前企業(yè)股東名單匯集多家地方國資與產業(yè)基金，包含安徽江南產業(yè)投資、中科（紹興）新興產業(yè)股權投資基金、池州江南新興產業(yè)基金等機構，國有資本持續(xù)為企業(yè)產業(yè)化落地提供資本支撐。
公開資料顯示，國鎵芯科2022年8月注冊成立于安徽池州，是聚焦第三代半導體材料研發(fā)、生產與技術服務的高新技術企業(yè)。公司搭建多層級產業(yè)運營主體，設立國鎵芯科（池州）半導體、雅安國鎵芯科半導體等多家子公司，其中池州子公司為核心生產載體，主營氮化鎵單晶襯底研發(fā)、制造與銷售。當?shù)卣畬⑵髽I(yè)年產8萬片氮化鎵晶體項目列為市級重點產業(yè)項目，相關領導此前實地調研項目建設進度。
產業(yè)端配套方面，企業(yè)近期持續(xù)推進產學研協(xié)同落地，6月初與池州學院簽訂全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，雙方圍繞氮化鎵材料開展聯(lián)合技術攻關、人才聯(lián)合培養(yǎng)、科研成果轉化等合作，同步落地多項定向技術開發(fā)合同，夯實材料研發(fā)底層能力。
按照產業(yè)媒體披露內容，本次A輪融資資金將用于氮化鎵單晶襯底工藝迭代、產線產能擴建、下游市場渠道拓展，完善企業(yè)從晶體生長到襯底成品的全流程配套能力。氮化鎵單晶襯底是射頻、功率半導體、光電器件的核心上游原材料，也是國內第三代半導體產業(yè)鏈重點攻堅環(huán)節(jié)。
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]]>國科半導體長期圍繞III-V族化合物半導體材料開展技術布局，涵蓋GaSb、InP、GaAs三大材料平臺。其中，GaSb支撐中長波紅外探測及相關光電器件，InP適用于光通信、光互聯(lián)和高速光電轉換，GaAs則在激光、探測、射頻等領域具有成熟應用基礎。與傳統(tǒng)硅基材料相比，III-V族化合物在紅外探測、激光發(fā)射、高速光通信和高靈敏傳感等方面具備更優(yōu)的物理性能。
公司在產品開發(fā)上形成了“前端定制+后端共享”的模式：根據(jù)客戶和場景需求對器件結構、材料體系進行定制開發(fā)，同時底層工藝、制造能力、封裝測試等工程化體系可復用，減少重復開發(fā)。目前，公司已建立29個工藝主配方，并可延展至約680個SKU。
基于三大材料平臺，國科半導體的產品主要面向四個產業(yè)化方向：態(tài)勢感知領域，服務于紅外探測、光電識別及復雜環(huán)境感知等場景；量子信息與精密傳感領域，用于高精度測量、弱信號探測和先進傳感；精密加工領域，為激光加工、精密制造提供激光器件和光電控制能力；AI光互聯(lián)領域，針對數(shù)據(jù)中心內部及芯片間高速、低功耗光互聯(lián)需求，利用InP等材料在高速光通信中的優(yōu)勢。
本輪融資完成后，公司計劃進一步強化研發(fā)投入、產能建設、產品工程化和市場交付能力，并深化與產業(yè)客戶、科研機構及資本方的協(xié)同。公司下一輪融資也將啟動，重點用于產業(yè)化加速、核心產品放量、平臺能力升級和重點客戶交付。
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]]>先導極星成立于2025年4月，注冊地位于安徽合肥高新區(qū)，是先導科技集團（先導稀材）旗下專注射頻與太空通信的核心空天業(yè)務平臺，法定代表人為李京振。公司為國內商業(yè)航天領域具備一體化全自主能力的射頻有源分系統(tǒng)一級供應商。
公司聚焦砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、磷化銦（InP）等第二、三代化合物半導體射頻器件及射頻高速ADC研發(fā)與系統(tǒng)化落地，構建“芯片?微組裝?組件模塊?系統(tǒng)”全流程垂直整合能力。產品應用于低軌衛(wèi)星通信、低空經(jīng)濟雷達感知、空天地一體化等核心場景。
本輪資金將用于三大方向：推進星載產品批產，加速砷化鎵、氮化鎵、磷化銦星載T/R組件、相控陣射頻前端等產品批量交付；推進磷化銦（InP）高速ADC直采架構開發(fā)；協(xié)同拓展低空經(jīng)濟場景應用與空天地一體化場景部署。
2025年9月，“先導科技號”低軌衛(wèi)星成功發(fā)射，公司承擔了從射頻芯片到相控陣載荷單元的工程化任務。
2026年1月，先導極星完成5000萬元天使輪融資，由國元股權、國元基金領投，部分資金通過國元基金與合肥高新共建產業(yè)SPV落地。此次Pre?A輪融資落地，將進一步支撐公司產能擴充、良率爬坡與批量交付體系建設。
目前，公司已建成集研發(fā)、制造、測試于一體的產業(yè)化基地，相關產品在商業(yè)衛(wèi)星及防務級應用中實現(xiàn)持續(xù)交付。
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]]>鈞聯(lián)電子成立于2020年，是專注于第三代半導體SiC（碳化硅）功率模塊及電驅動系統(tǒng)研發(fā)、制造與銷售的國家高新技術企業(yè)。公司深耕800V高壓電控、集成電驅總成全棧自研，具備從SiC功率模塊、電機控制器到電驅總成全鏈條自研自制能力。產品覆蓋新能源乘用車、新能源重卡、eVTOL電動垂直起降飛行器、電動船舶等領域。
本輪融資資金用途明確，將用于SiC功率模塊產線擴建、多融合動力域控技術研發(fā)及市場拓展；同時加速車規(guī)級SiC功率模塊及高壓電控產能提升，強化eVTOL領域動力系統(tǒng)正向研制與適航能力建設。
公開資料顯示，鈞聯(lián)電子注冊資本6739.2萬元，法定代表人、董事長為陳兆銀。公司已積累124項專利，具備車規(guī)級SiC產線規(guī)?；慨a能力；此前2025年6月曾完成近億元A輪融資，由國元股權領投。
投資方表示，本次投資認可鈞聯(lián)電子在SiC高壓電控領域技術積累、量產能力及市場前景。公司將依托本輪融資，進一步完善產能布局、技術迭代，推進新能源汽車及低空經(jīng)濟電動化產品落地。
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]]>中瑞宏芯成立于2021年6月，主要研發(fā)和生產功率芯片和模塊，深耕第三代半導體SiC領域，主要產品包括SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊、SiC外延片等。
資料顯示，中瑞宏芯主要技術覆蓋了3D結構SiC器件技術、高壓SiC MOSFET設計、厚外延/3D外延10kV級高壓二極管技術、車規(guī)級可靠性設計、SiC模塊封裝與集成工藝等。
其中，中瑞宏芯的3D結構SiC器件技術具有提升電流密度、耐壓、雪崩能力，常溫/200℃高溫反向漏電流低于國際同類1-2個數(shù)量級。公司的高壓SiC MOSFET設計具有低導通電阻、高抗干擾、低開關損耗、易驅動等特點，充電樁模塊效率＞97%。
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