雷火体育app官方网站,S14英雄联盟总决赛,雷火电竞官网 http://www.jcgy88.com 集邦化合物半導(dǎo)體是化合物半導(dǎo)體行業(yè)門戶網(wǎng)站,提供SiC、GaN等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資訊、研討會以及分析報告。 Fri, 23 Jan 2026 07:49:14 +0000 zh-CN hourly 1 https://wordpress.org/?v=6.3.1 風(fēng)電能源企業(yè)跨界收購砷化鎵相關(guān)廠商 http://www.jcgy88.com/%e7%a0%b7%e5%8c%96%e9%95%93/newsdetail-74582.html Fri, 23 Jan 2026 07:49:14 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=74582 1月22日,風(fēng)電企業(yè)明陽智能公告擬通過發(fā)行股份及支付現(xiàn)金方式收購德華芯片100%股權(quán)。

據(jù)公告,本次交易發(fā)行價格為14.46元/股,配套募資將用于標(biāo)的項目建設(shè)、償債及補(bǔ)充流動資金。交易完成后,德華芯片將成為明陽智能全資子公司,雖構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易,但不改變公司控制權(quán),亦不構(gòu)成重大資產(chǎn)重組,相關(guān)方案尚待監(jiān)管審批與股東表決。

圖片來源:明陽智能公告截圖

作為廣東省制造業(yè)單項冠軍企業(yè),#德華芯片 深耕電源系統(tǒng)多年,已構(gòu)建覆蓋化合物半導(dǎo)體外延片、高效砷化鎵太陽電池芯片到電源系統(tǒng)的完整產(chǎn)業(yè)鏈。

根據(jù)公告,明陽智能主營業(yè)務(wù)聚焦于新能源整體解決方案、新能源電站開發(fā)運(yùn)營及配售電業(yè)務(wù),圍繞風(fēng)電、光伏、儲能、氫氨醇等多個領(lǐng)域形成戰(zhàn)略布局。

明陽智能表示,本次收購旨在拓展能源賽道戰(zhàn)略空間,依托德華芯片化合物半導(dǎo)體技術(shù),實現(xiàn)從地面風(fēng)光儲向空間能源的延伸,同時強(qiáng)化光伏業(yè)務(wù)協(xié)同,提升抗周期能力。

業(yè)內(nèi)認(rèn)為,此次跨界為新能源企業(yè)與化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)融合提供了范本,隨著商業(yè)航天市場爆發(fā),明陽智能有望憑借標(biāo)的技術(shù)壁壘,在高端能源領(lǐng)域開辟新增長曲線,同時推動國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體在空間應(yīng)用場景的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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云南鍺業(yè)設(shè)立孫公司推進(jìn)砷化鎵晶片項目 http://www.jcgy88.com/%e7%a0%b7%e5%8c%96%e9%95%93/newsdetail-73674.html Fri, 07 Nov 2025 06:11:07 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=73674 11月6日,云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司(以下簡稱“云南鍺業(yè)”)發(fā)布《關(guān)于設(shè)立孫公司實施高品質(zhì)砷化鎵晶片建設(shè)項目的公告》。

圖片來源:云南鍺業(yè)公告截圖

公告顯示,同意控股子公司云南鑫耀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡稱“云南鑫耀”)與自然人劉廣政共同出資5,000萬元設(shè)立湖北鑫耀半導(dǎo)體材料科技有限公司(暫定名,以下簡稱“湖北鑫耀”),并同意以控股孫公司湖北鑫耀為主體實施“高品質(zhì)砷化鎵晶片建設(shè)項目”。

砷化鎵是一種Ⅲ-V族半導(dǎo)體先進(jìn)材料,使用砷化鎵晶片制造的半導(dǎo)體器件具備高功率密度、低能耗、抗高溫、高發(fā)光效率、抗輻射、高擊穿電壓等特性,被廣泛用于射頻器件、激光器等產(chǎn)品。

云南鍺業(yè)表示,本項目實施完成后,子公司將具備年產(chǎn)70萬片6英寸高品質(zhì)砷化鎵晶片、3萬套半導(dǎo)體級4-6英寸石英管的產(chǎn)能。項目的實施能夠滿足當(dāng)前客戶需求并緊跟未來下游需求的趨勢。

資料顯示,云南鍺業(yè)成立于1998年,是國內(nèi)鍺業(yè)頭部企業(yè),主要業(yè)務(wù)為鍺礦開采、火法富集、濕法提純、區(qū)熔精煉、精深加工及研究開發(fā)。

其控股子公司云南鑫耀成立于2013年,主營業(yè)務(wù)為砷化鎵晶片、磷化銦晶片的生產(chǎn)和銷售,擁有從單晶生長、晶片加工、測試檢驗完整的工藝線。

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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新微半導(dǎo)體突破:砷化鎵光電探測器工藝平臺亮相 http://www.jcgy88.com/Company/newsdetail-72040.html Tue, 17 Jun 2025 06:07:11 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=72040 6月17日,上海新微半導(dǎo)體有限公司(簡稱“新微半導(dǎo)體”)宣布正式發(fā)布基于砷化鎵(GaAs)的高速和陣列光電探測器(PD, Photodetector)工藝平臺。該平臺的推出,標(biāo)志著新微半導(dǎo)體在高速數(shù)據(jù)通信與光通信領(lǐng)域業(yè)務(wù)板塊的進(jìn)一步拓展,可以為客戶提供更豐富、更高效和更可靠的光電解決方案。

圖片來源:新微半導(dǎo)體

據(jù)介紹,該平臺采用了4英寸GaAs/AlGaAs異質(zhì)結(jié)外延技術(shù),結(jié)合深臺面刻蝕、側(cè)壁鈍化及BCB/PBO平坦化等關(guān)鍵工藝,具備低暗電流、低電容、高響應(yīng)度、高帶寬及高可靠性等優(yōu)越性能。其代工產(chǎn)品能夠在-40℃到85℃的寬溫范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行,確保設(shè)備在嚴(yán)寒、高溫等嚴(yán)苛環(huán)境下的性能一致性,保障終端設(shè)備可靠運(yùn)行。

在可靠性驗證上,其代工產(chǎn)品已通過Telcordia GR468可靠性標(biāo)準(zhǔn)測試,涵蓋HTOL(高溫工作壽命)、ESD(靜電放電)、T/C(溫度循環(huán))及THB(高溫高濕壽命)等關(guān)鍵測試項目。在175℃的HTOL測試以及THB(溫度85℃、濕度85%RH)測試環(huán)境中,施加-5V偏置電壓條件,三批產(chǎn)品(抽樣標(biāo)準(zhǔn)77顆樣品)經(jīng)過2000小時老化后,均實現(xiàn)零失效,產(chǎn)品可靠性滿足通信級標(biāo)準(zhǔn)。

作為先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體晶圓代工企業(yè),新微半導(dǎo)體自成立以來,一直專注于為功率和光電兩大應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供多元化的晶圓代工及配套服務(wù)。除了此次推出的砷化鎵光電探測器工藝平臺,公司還擁有基于3/4吋磷化銦(InP)材料的全系列光電工藝解決方案,以及氮化鎵(GaN)功率器件制造平臺等,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于通信、新能源、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)和生物醫(yī)療等多個終端應(yīng)用領(lǐng)域。

新微半導(dǎo)體總經(jīng)理王慶宇博士表示:“新微半導(dǎo)體始終致力于為客戶提供最先進(jìn)的化合物半導(dǎo)體工藝解決方案。此次高速和陣列砷化鎵光電探測器工藝平臺的推出,是我們在光電領(lǐng)域的又一重大突破。我們相信,憑借該平臺的卓越性能,將幫助客戶在市場競爭中取得優(yōu)勢,推動行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步和應(yīng)用拓展?!?/p>

(集邦化合物半導(dǎo)體整理)

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又一批第三代半導(dǎo)體項目刷新進(jìn)度:封頂、試運(yùn)行、沖刺生產(chǎn)! http://www.jcgy88.com/SiC/newsdetail-71988.html Thu, 12 Jun 2025 07:20:21 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=71988 在全球科技競爭日益激烈的當(dāng)下,第三代半導(dǎo)體憑借其卓越的性能,成為推動電子信息產(chǎn)業(yè)變革的關(guān)鍵力量。近期,第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域多個項目取得重要進(jìn)展,為該行業(yè)的發(fā)展注入了新的活力。

01奧通碳素半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目:設(shè)備調(diào)試收官+試生產(chǎn)并行

6月9日,據(jù)“最內(nèi)江”公眾號消息,奧通碳素(內(nèi)江)科技有限公司的半導(dǎo)體級等靜壓石墨項目目前已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試收官與試生產(chǎn)并行階段。該項目位于成渝地區(qū)雙城經(jīng)濟(jì)圈的東興經(jīng)開區(qū),是東興區(qū)布局產(chǎn)業(yè)鏈高端環(huán)節(jié)的關(guān)鍵項目。其瞄準(zhǔn)半導(dǎo)體芯片、光伏新能源、高端模具制造等 “卡脖子” 領(lǐng)域,所生產(chǎn)的高端等靜壓石墨主要應(yīng)用于碳化硅半導(dǎo)體制造行業(yè)、高端電火花加工行業(yè)以及3C產(chǎn)品模具行業(yè),同時兼顧光伏產(chǎn)業(yè)。

項目分三期建設(shè),一期工程總投資1.5億元,新建了年產(chǎn)2000噸石墨粉、配料、混捏生產(chǎn)線,目前大型設(shè)備已全部安裝完畢,調(diào)試工作進(jìn)入最后階段,預(yù)計9月可全面投產(chǎn)。二期工程計劃總投資4億元,將建設(shè)8.7萬平方米廠房,新建年產(chǎn)5000噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨全工藝流程生產(chǎn)線,目前前期工作已啟動,計劃于2026年建成投產(chǎn)。

三期工程規(guī)劃投資4.5億元,將建設(shè)11.3萬平方米廠房及配套生產(chǎn)線,將在二期投產(chǎn)當(dāng)年同步啟動。項目整體建成后,可形成年產(chǎn)1萬噸半導(dǎo)體級等靜壓石墨產(chǎn)能,預(yù)計實現(xiàn)年營收15億元,帶動當(dāng)?shù)?00余人就業(yè)。

02全磊光電化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目:順利封頂

6月8日,全磊光電的化合物半導(dǎo)體外延片/芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目也披露最新進(jìn)展,該項目順利封頂。項目位于火炬(翔安)產(chǎn)業(yè)區(qū),由全磊光電股份有限公司投建,計劃采購金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備等主要生產(chǎn)工藝設(shè)備、測試設(shè)備和配套設(shè)備設(shè)施,用于生產(chǎn)化合物半導(dǎo)體外延片/芯片產(chǎn)品。

圖片來源:天映投資集團(tuán)有限公司

建成投產(chǎn)后,全磊光電將從現(xiàn)有的砷化鎵(GaAs)和磷化銦(InP)基外延片產(chǎn)品,逐步拓展至氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品,并應(yīng)用于光通信、智能傳感、微波射頻、功率器件等領(lǐng)域。

項目建設(shè)期為兩年,其中一期建設(shè)內(nèi)容為生產(chǎn)車間、綜合樓以及動力車間等,計劃于2026年1月份投產(chǎn);二期主要建設(shè)3號樓和4號樓的研發(fā)車間,將于2027年2月份投產(chǎn),投產(chǎn)后產(chǎn)能是年產(chǎn)40萬片化合物半導(dǎo)體的外延片和芯片。該項目的推進(jìn)將進(jìn)一步完善廈門市化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心環(huán)節(jié),填補(bǔ)國內(nèi)光通信領(lǐng)域高端產(chǎn)品的空白。

03晶旭半導(dǎo)體超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線:沖刺試產(chǎn)

據(jù)“上杭融媒”6月9日消息,全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線進(jìn)入沖刺試產(chǎn)階段。該項目由福建#晶旭半導(dǎo)體?科技有限公司投資建設(shè),總投資16.8億元,建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū)。目前,項目土建部分以及主體的封頂工程已經(jīng)完成,正在進(jìn)行雨污管網(wǎng)和路面的建設(shè),內(nèi)部裝修也全面進(jìn)入精裝修工程,動力站機(jī)房的建設(shè)以及廠房的裝修工程預(yù)計在9月份可完成初步試產(chǎn)動作。

圖片來源:上杭融媒

福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司是一家擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán)的高新技術(shù)企業(yè),面向5G通信中高頻聲波濾波器晶圓及芯片材料。其技術(shù)團(tuán)隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備,擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項,特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術(shù)上處于國際領(lǐng)先地位。該生產(chǎn)線建成后,不僅將填補(bǔ)國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白,同時也對上杭縣新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要推動作用 。

隨著這些項目的逐步推進(jìn)和落地,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來更快速的發(fā)展,有望在能源、通信、汽車等多個領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用,為相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級和創(chuàng)新發(fā)展提供有力支撐 。

(集邦化合物半導(dǎo)體 妮蔻 整理)

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總投資11億,合肥芯谷微砷化鎵晶圓項目成功搬入設(shè)備 http://www.jcgy88.com/Company/newsdetail-71768.html Wed, 21 May 2025 07:26:56 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=71768 據(jù)合肥芯谷微電子官微消息,5月19日,合肥芯谷微電子有限公司(以下簡稱“芯谷微”)砷化鎵晶圓制造線項目迎來關(guān)鍵進(jìn)展,首臺核心設(shè)備高溫離子注入機(jī)順利搬入產(chǎn)線。此舉標(biāo)志著該產(chǎn)線正式進(jìn)入設(shè)備安裝調(diào)試階段,全部設(shè)備計劃于5月底完成搬入,為后續(xù)通線達(dá)產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

圖片來源:合肥芯谷微電子

芯谷微砷化鎵晶圓制造線項目于2023年啟動建設(shè),規(guī)劃為6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線,旨在完善公司從芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試到微波組件生產(chǎn)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力,推動其向IDM(垂直整合制造)模式轉(zhuǎn)型。項目投產(chǎn)后,將進(jìn)一步提升芯谷微在半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭力,助力國產(chǎn)半導(dǎo)體制造技術(shù)的突破與應(yīng)用落地。

芯谷微成立于2014年,總部位于合肥高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū),核心技術(shù)團(tuán)隊源自美國Excelics公司及國內(nèi)外知名企業(yè),具備近30年微波集成電路設(shè)計經(jīng)驗。芯谷微專注于微波、毫米波單片集成電路的研發(fā)與生產(chǎn),基于砷化鎵(GaAs)和氮化鎵(GaN)工藝技術(shù),其產(chǎn)品覆蓋DC-110GHz頻段的低噪聲放大器、功率放大器、多功能芯片等,廣泛應(yīng)用于電子對抗、雷達(dá)探測、軍用通信等國防軍工領(lǐng)域,并逐步拓展至5G毫米波通信、衛(wèi)星互聯(lián)網(wǎng)及醫(yī)療設(shè)備等民用市場。

2022年,芯谷微完成C輪4億元融資,由廣發(fā)乾和領(lǐng)投,基石資本等跟投,主要用于推動公司向IDM(垂直整合制造)模式轉(zhuǎn)型,支持技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)能擴(kuò)張。

值得注意的是,芯谷微曾在2023年5月5日正式向科創(chuàng)板提交上市申請,2023年5月至2024年4月期間經(jīng)歷多輪問詢,因財報更新兩次中止審核,此后在2024年4月17日,芯谷微及保薦人國元證券主動撤回上市申請,上交所終止審核。

(集邦化合物半導(dǎo)體 niko 整理)

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深圳這家射頻企業(yè)重啟IPO! http://www.jcgy88.com/RF/newsdetail-70927.html Mon, 03 Mar 2025 07:54:21 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=70927 2月26日,據(jù)證監(jiān)會披露,深圳飛驤科技股份有限公司(以下簡稱“飛驤科技”)已辦理輔導(dǎo)備案登記,正式啟動A股上市進(jìn)程,輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為招商證券。

值得注意的是,這并不是該公司首次開啟IPO。早在2022年10月,飛驤科技科創(chuàng)板IPO申請文件曾獲上海證券交易所受理,該公司當(dāng)時擬募資15.22億元。2024 年 9 月,公司及保薦機(jī)構(gòu)向上海證券交易所撤回發(fā)行上市申請,上海證券交易所于2024年10月終止公司的發(fā)行上市審核。

公開資料顯示,飛驤科技成立于2015年,前身為深圳國民飛驤科技有限公司。該公司法定代表人是公司創(chuàng)始人龍華,其控股股東上海上驤企業(yè)管理中心(有限合伙),直接持股14.30%,通過特別表決權(quán)股份安排實際享有37.34%的表決權(quán)。

飛驤科技是一家專注于射頻前端芯片研發(fā)、設(shè)計和銷售的公司,核心業(yè)務(wù)覆蓋2G – 5G全品類射頻前端芯片,產(chǎn)品包括射頻功率放大器、射頻開關(guān)、濾波器等。

2020年6月,飛驤科技發(fā)布了第一套完整支持所有5G頻段的國產(chǎn)射頻前端解決方案和第一套采用國產(chǎn)工藝實現(xiàn)5G性能的射頻前端模塊,提供5G/4G/3G/2G射頻方案、IoT射頻方案、Wi-Fi射頻方案?,F(xiàn)在該公司已量產(chǎn)出貨L-PAMiF、PAMiF、L-FEM等高集成度5G模組,技術(shù)難度更大的高集成度5G模組L-PAMiD和L-DiFEM已完成設(shè)計并開始樣品驗證。

其核心終端客戶涵蓋傳音、聯(lián)想(摩托羅拉)、聞泰科技、天瓏移動、華勤技術(shù)、中諾通訊、龍旗科技、榮耀等知名品牌,并且成功進(jìn)入這些知名ODM廠商的供應(yīng)鏈體系。

據(jù)飛驤科技公布財報,其在2019-2024年上半年分別實現(xiàn)營業(yè)收入為1.16億元、3.65億元、9.16億元、10.22億元、17.17億元和11.31億元。2019-2023年五年復(fù)合增長率為96.19%,其中2023年營收同比增長68.08%,2024年上半年同比增長107.25%。

具體來看,2019-2023年飛驤科技處于虧損狀態(tài),其中2019年到2022年分別虧損1.2億元、1.75億元、3.41億元、3.62億元,2023年則大幅縮窄到虧損1.93億元。五年累計虧損額約為11.91億元。在2024年上半年。飛驤科技持續(xù)大幅扭虧,至凈利潤在1327.99萬元至1827.99萬元的區(qū)間,實現(xiàn)扭虧為盈。

官方表示,業(yè)績轉(zhuǎn)好主要得益于5G模組及泛連接等產(chǎn)品的良好表現(xiàn)。自從銷售5G產(chǎn)品以來,飛驤科技5G產(chǎn)品營收從2020年的不足億元增長至2023年的4億元,毛利率達(dá)22.19%。該公司泛連接產(chǎn)品營收也從2021年的418萬元增長至2023年的1.17億元。此外,飛驤科技還披露其高技術(shù)門檻的L-PAMiD產(chǎn)品已實現(xiàn)突破并放量出貨。

飛驤科技表示,2024年至2025年,預(yù)計公司將綜合受益于Wi-Fi、L-PAMiD、車載、衛(wèi)星通信等高附加值產(chǎn)品的導(dǎo)入帶來的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化以及客戶結(jié)構(gòu)優(yōu)化(A 公司、榮耀、vivo)等品牌客戶占比提升,以及期間費(fèi)用將趨于穩(wěn)定或緩增,預(yù)計會迎來盈利拐點。

另外,公開資料顯示,從2015年至今,飛驤科技共計完成14輪融資,引入招商證券、聞泰科技等戰(zhàn)略投資者,研發(fā)投入累計超10億元,公司專利206項。

值得注意的是,飛驤科技自2015年起便錨定國產(chǎn)砷化鎵(GaAs)工藝替代,其5G模組采用自主設(shè)計的國產(chǎn)GaAs工藝平臺量產(chǎn),較進(jìn)口方案成本降低30%,并率先進(jìn)入三星Galaxy系列供應(yīng)鏈。(集邦化合物半導(dǎo)體竹子整理)

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120億元化合物半導(dǎo)體基地項目正在加速崛起! http://www.jcgy88.com/SiC/newsdetail-70818.html Wed, 19 Feb 2025 02:29:24 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=70818 據(jù)長江日報消息,近日,先導(dǎo)化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地項目四座生產(chǎn)廠房中,兩座已封頂,另兩座正加緊澆筑。

source:先導(dǎo)科技集團(tuán)

消息稱,該項目位于高新六路以南、光谷五路以東,建筑面積26萬平方米,共19棟建筑,包括研發(fā)中心、生產(chǎn)調(diào)度中心、辦公大樓等,整個項目力爭2025年年底實現(xiàn)投產(chǎn)運(yùn)營。未來,半導(dǎo)體襯底、外延材料就將自這4座生產(chǎn)廠房下線,有力補(bǔ)強(qiáng)光谷光通信及激光產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈。

此次封頂?shù)?棟生產(chǎn)廠房將承擔(dān)核心材料制造,具體來看:

M1廠房?? 砷化鎵襯底生產(chǎn)線(應(yīng)用于5G射頻芯片)
M2廠房?? 磷化銦襯底生產(chǎn)線(光通信激光器核心材料)
M3廠房?? 可調(diào)諧激光器量產(chǎn)線
M4廠房?? 鍺片生產(chǎn)基地(紅外探測器關(guān)鍵材料)

資料顯示,先導(dǎo)科技集團(tuán)有限公司是全球稀散金屬龍頭企業(yè)。2024年3月,該項目落戶光谷,投資120億元建設(shè)高端化合物半導(dǎo)體材料及芯片產(chǎn)業(yè)化基地項目。項目投產(chǎn)后具備砷化鎵襯底、磷化銦襯底、鍺片、可調(diào)諧激光器及其他產(chǎn)品等生產(chǎn)能力。

“這相當(dāng)于在光谷建造了一個‘化合物半導(dǎo)體超市’。”項目總工程師李明透露,項目達(dá)產(chǎn)后可年產(chǎn)8英寸襯底材料50萬片,滿足全球15%的高端需求。

化合物半導(dǎo)體呈現(xiàn)多元化態(tài)勢化合物半導(dǎo)體被視為“后摩爾時代”的戰(zhàn)略材料。行業(yè)數(shù)據(jù)顯示,我國砷化鎵襯底進(jìn)口依存度仍高達(dá)83%,磷化銦更是超過90%。

化合物半導(dǎo)體行業(yè)正處于蓬勃發(fā)展與關(guān)鍵變革的重要節(jié)點。從市場規(guī)模來看,隨著5G通信、光通信、汽車電子、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域?qū)Ω咝阅馨雽?dǎo)體材料需求的持續(xù)攀升,化合物半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)出增長態(tài)勢。業(yè)界預(yù)測,未來幾年全球化合物半導(dǎo)體市場規(guī)模有望保持兩位數(shù)的年增長率,市場前景極為廣闊。

在技術(shù)創(chuàng)新層面,各國科研團(tuán)隊與企業(yè)不斷加大研發(fā)投入,致力于攻克技術(shù)難題。在材料生長工藝上,分子束外延(MBE)和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)等先進(jìn)技術(shù)持續(xù)優(yōu)化,能夠生長出更高質(zhì)量、更大尺寸的化合物半導(dǎo)體材料,為后續(xù)芯片制造奠定堅實基礎(chǔ)。在芯片設(shè)計與制造工藝方面,也取得了諸多突破,例如新型器件結(jié)構(gòu)的研發(fā),有效提升了化合物半導(dǎo)體芯片的性能與集成度。

競爭格局呈現(xiàn)多元化態(tài)勢。國際上,歐美日等發(fā)達(dá)國家和地區(qū)的企業(yè)憑借長期積累的技術(shù)、品牌和市場優(yōu)勢,在高端產(chǎn)品領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位。

美國的Wolfspeed在碳化硅(SiC)領(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)先,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于新能源汽車、工業(yè)電源等對功率器件要求嚴(yán)苛的高端領(lǐng)域,為提升系統(tǒng)效率與可靠性發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

博通有限公司在砷化鎵(GaAs)等化合物半導(dǎo)體產(chǎn)品方面技術(shù)成熟,產(chǎn)品在5G通信、航空航天等領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用,例如其生產(chǎn)的射頻芯片為眾多通信設(shè)備提供了穩(wěn)定高效的信號處理能力。

同時,韓國的三星、LG等企業(yè)依托自身在半導(dǎo)體領(lǐng)域的深厚積淀與大規(guī)模生產(chǎn)能力,積極布局化合物半導(dǎo)體業(yè)務(wù),在中低端市場通過成本控制與產(chǎn)能優(yōu)勢具備較強(qiáng)競爭力。

隨著中國政策的大力扶持以及企業(yè)自身的努力,近年來取得了顯著進(jìn)展。

source:穩(wěn)懋半導(dǎo)體

穩(wěn)懋半導(dǎo)體等企業(yè)專注于化合物半導(dǎo)體代工領(lǐng)域,憑借豐富的代工經(jīng)驗與較高的生產(chǎn)效率,在全球化合物半導(dǎo)體代工市場占據(jù)重要份額,為全球眾多設(shè)計公司提供生產(chǎn)制造服務(wù)。

而上述提到的先導(dǎo)科技集團(tuán)在光谷投資建設(shè)的120億元化合物半導(dǎo)體基地,更是國內(nèi)行業(yè)發(fā)展的一個重要縮影。

越來越多的國內(nèi)企業(yè)開始涉足化合物半導(dǎo)體領(lǐng)域,在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了從無到有的突破,逐步縮小與國際先進(jìn)水平的差距。但整體而言,國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)實力、高端人才儲備以及產(chǎn)業(yè)生態(tài)完善程度等方面,與國際領(lǐng)先水平仍存在一定差距。

從應(yīng)用領(lǐng)域拓展來看,除了傳統(tǒng)的通信、電子領(lǐng)域,化合物半導(dǎo)體在新能源汽車的功率器件、光伏的高效逆變器、醫(yī)療的高靈敏度探測器等新興領(lǐng)域的應(yīng)用也日益廣泛。業(yè)界表示,可預(yù)見的是,隨著技術(shù)的不斷成熟和成本的逐步降低,化合物半導(dǎo)體將在更多領(lǐng)域大放異彩,成為推動全球科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要力量。(集邦化合物半導(dǎo)體南清整理)

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總投資近34億,格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目竣工 http://www.jcgy88.com/info/newsdetail-70561.html Fri, 10 Jan 2025 09:33:15 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=70561 1月9日,據(jù)珠海建安消息,由珠海建安承建的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目近日通過竣工驗收。

格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地

source:珠海建安

據(jù)悉,由華芯微電子主導(dǎo)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目是廣東省重點項目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項目,格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。

該項目于2023年7月正式開工建設(shè)。2024年8月,華芯微電子將首批設(shè)備移入園區(qū)。同年11月,華芯微電子首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式調(diào)通,并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓,預(yù)計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

據(jù)介紹,該晶圓具備高增益、高效能的特性,可應(yīng)用于先進(jìn)5G Phase 7/8手機(jī)功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。

資料顯示,華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立,是華芯(珠海)半導(dǎo)體有限公司全資子公司,專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù),面向手機(jī)、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)等高中低頻射頻應(yīng)用終端市場。

格力集團(tuán)此前消息顯示,2023年3月,格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體,助力華芯珠海核心團(tuán)隊完成數(shù)億元融資,推動華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項目落戶珠海,并在珠海投資建設(shè)產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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5億,兆馳股份投建化合物半導(dǎo)體激光晶圓產(chǎn)線 http://www.jcgy88.com/Company/newsdetail-70439.html Mon, 23 Dec 2024 10:00:35 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=70439 12月21日,兆馳股份發(fā)布公告,擬投資新建光通信半導(dǎo)體激光芯片項目并建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線。

兆馳股份化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線

根據(jù)公告,兆馳股份擬通過全資子公司兆馳半導(dǎo)體或其下屬子公司以自有資金或自籌資金投資建設(shè)“年產(chǎn)1億顆光通信半導(dǎo)體激光芯片項目(一期)”,并建設(shè)砷化鎵、磷化銦化合物半導(dǎo)體激光晶圓制造生產(chǎn)線,主要應(yīng)用為光芯片技術(shù)領(lǐng)域的VCSEL激光芯片及光通信半導(dǎo)體激光芯片。本次投資為項目一期,項目一期建設(shè)擬投資金額不超過5億元。

資料顯示,兆馳半導(dǎo)體目前專注于氮化鎵和砷化鎵LED外延及芯片的研發(fā)、生產(chǎn)及銷售,產(chǎn)品線涵蓋全色系LED芯片,廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體照明、背光、超高清顯示等多個領(lǐng)域。自2023年起,兆馳半導(dǎo)體進(jìn)一步布局光通信領(lǐng)域,已初步建立起涵蓋終端光通訊器件、模塊及核心原材料芯片的垂直產(chǎn)業(yè)鏈。

近期,國內(nèi)還有多個砷化鎵、磷化銦芯片相關(guān)項目披露了最新進(jìn)展,分別由縱慧芯光、芯辰半導(dǎo)體等廠商主導(dǎo)建設(shè)。

10月23日,縱慧芯光正式宣布,旗下“3英寸化合物半導(dǎo)體芯片制造項目”已完成封頂。該項目總投資5.5億元,規(guī)劃用地40畝,預(yù)計明年1月投產(chǎn),達(dá)產(chǎn)后將形成年產(chǎn)3英寸砷化鎵芯片和3英寸磷化銦芯片合計約5000萬顆的生產(chǎn)能力。

另據(jù)“勢能資本”消息,芯辰半導(dǎo)體外延設(shè)備已于近日投產(chǎn),覆蓋砷化鎵及磷化銦光芯片四元化合物全材料體系。芯辰半導(dǎo)體專注于生產(chǎn)VCSEL和EEL激光器芯片,致力于在江蘇太倉打造砷化鎵和磷化銦系光芯片自主制造基地,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、激光雷達(dá)等領(lǐng)域。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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華芯微電子6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線正式通線 http://www.jcgy88.com/RF/newsdetail-70125.html Tue, 19 Nov 2024 10:00:29 +0000 http://www.jcgy88.com/?p=70125 11月18日,據(jù)“珠海高新區(qū)”官微消息,珠海華芯微電子有限公司(以下簡稱:華芯微電子)首條6英寸砷化鎵晶圓生產(chǎn)線近日正式調(diào)通,并生產(chǎn)出第一片6英寸2um砷化鎵HBT晶圓,預(yù)計將于2025年上半年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

據(jù)介紹,該晶圓具備高增益、高效能的特性,可應(yīng)用于先進(jìn)5G Phase 7/8手機(jī)功率放大器模組以及Wi-Fi 6/7等設(shè)備。

資料顯示,華芯微電子于2023年2月在珠海高新區(qū)成立,是華芯(珠海)半導(dǎo)體有限公司全資子公司,專注于化合物半導(dǎo)體晶圓代工業(yè)務(wù),面向手機(jī)、Wi-Fi路由器、基站、衛(wèi)星通訊、雷達(dá)等高中低頻射頻應(yīng)用終端市場。

華芯(珠海)半導(dǎo)體有限公司主營數(shù)通VCSEL芯片,是以IDM模式實現(xiàn)25G&56G PAM4 VCSEL芯片大規(guī)模出貨的廠商,產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于光通信、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)、移動穿戴裝置、光傳感裝置等新興產(chǎn)業(yè)場景。

據(jù)悉,華芯微電子主導(dǎo)的格創(chuàng)·華芯砷化鎵晶圓生產(chǎn)基地項目是廣東省重點項目、珠海市產(chǎn)業(yè)立柱項目,格創(chuàng)·華芯半導(dǎo)體園區(qū)總投資33.87億元。

格力集團(tuán)此前消息顯示,2023年3月,格力金投與中芯聚源聯(lián)合領(lǐng)投華芯半導(dǎo)體,助力華芯珠海核心團(tuán)隊完成數(shù)億元融資,推動華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項目落戶珠海,并在珠海投資建設(shè)總投資約34億元、產(chǎn)能達(dá)1.5萬片/月的6英寸砷化鎵晶圓代工廠。

隨后在2023年8月17日,珠海高新區(qū)25個重點項目集中開工建設(shè),其中包括由格力集團(tuán)投資打造的華芯(珠海)半導(dǎo)體砷化鎵總部研產(chǎn)基地項目。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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