圖片來源：云南鍺業(yè)公告截圖?

公告數(shù)據(jù)顯示，本次合同金額對應(yīng)占公司2025年度經(jīng)審計營業(yè)收入比重為53.48%至80.23%，訂單體量對公司未來兩年營收具備較強拉動作用。出于商業(yè)保密約定，上市公司未披露采購方具體名稱，僅說明合作客戶經(jīng)營信譽良好、履約能力充足，與公司不存在關(guān)聯(lián)關(guān)系，交易履約風險整體可控。

磷化銦襯底是高速光模塊、光通信激光器與探測器的核心上游化合物半導體材料，伴隨AI算力拉動800G/1.6T光模塊需求爆發(fā)，行業(yè)磷化銦晶片供需持續(xù)偏緊。本次長單落地，是客戶對云南鍺業(yè)產(chǎn)品良率、批量交付能力的認可，也直接鎖定了未來一年多核心產(chǎn)品的出貨量。

產(chǎn)能端配套規(guī)劃同步推進，公司在2026年4月啟動高品質(zhì)磷化銦單晶片擴產(chǎn)項目，計劃新建年產(chǎn)30萬片（折合4英寸）產(chǎn)線，項目建設(shè)期18個月，全部達產(chǎn)后磷化銦襯底總產(chǎn)能將提升至45萬片/年。公司管理層在投資者溝通中表示，在建擴產(chǎn)產(chǎn)能進度可完全覆蓋本次大額訂單交付需求，保障長期供貨穩(wěn)定性。

（集邦化合物半導體整理）

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近期國內(nèi)三個差異化化合物半導體項目相繼迎來落地、建設(shè)關(guān)鍵節(jié)點：

• 上海九東半導體磷化銦襯底制造項目簽約落戶云南曲靖
• 湖北碳六科技CVD金剛石半導體材料生產(chǎn)基地落地青海西寧
• 安徽四象半導體合肥基地推進建設(shè)，將量產(chǎn)碳化硅環(huán)等刻蝕核心部件

1、上海九東半導體磷化銦襯底項目落地曲靖

7月22日，據(jù)曲靖發(fā)布消息，曲靖方面與國內(nèi)化合物半導體領(lǐng)先企業(yè)上海九東半導體股份有限公司完成深度洽談，并正式簽訂《磷化銦襯底制造項目投資協(xié)議》。

自簽約落地之后，短短一個月內(nèi)，項目同步推進工商注冊、廠房規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同等各項工作，多個關(guān)鍵節(jié)點提前落地。目前項目運營主體云南九東半導體科技有限公司已經(jīng)完成工商注冊。企業(yè)計劃7月下旬將公司主體由昆明遷移至曲靖經(jīng)開區(qū)，完成遷址手續(xù)后，立刻全面啟動項目立項相關(guān)流程。

公開資料顯示，上海九東半導體聚焦磷化銦襯底研發(fā)與量產(chǎn)，具備3英寸、4英寸、6英寸磷化銦單晶片穩(wěn)定制造能力。磷化銦襯底是高速光芯片核心基材，廣泛應(yīng)用于800G、1.6T光模塊，伴隨AI算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，市場需求持續(xù)增長。曲靖擁有磷、銦稀貴金屬資源以及綠色電力配套優(yōu)勢，契合磷化銦材料生產(chǎn)的要素需求。

2、四象半導體項目轉(zhuǎn)入地上施工，布局碳化硅刻蝕部件

7月20日，據(jù)合肥高新發(fā)布消息，安徽四象半導體材料科技有限公司半導體部件總部生產(chǎn)基地項目取得重要建設(shè)進展，項目順利實現(xiàn)“正負零”節(jié)點目標，工程正式由地下結(jié)構(gòu)施工階段切換至地上主體結(jié)構(gòu)施工。

該項目坐落于合肥高新區(qū)習友路與大龍山路交口西南角，總投資額7.5億元，用地面積約40畝，總建筑面積4.6萬平方米，規(guī)劃建設(shè)Fab生產(chǎn)車間、動力及廢水處理設(shè)施、綜合樓、甲類倉庫等配套單體?，F(xiàn)階段各工區(qū)同步推進建設(shè)，F(xiàn)ab車間北區(qū)開展屋面主體結(jié)構(gòu)施工，南區(qū)持續(xù)進行基礎(chǔ)承臺開挖；動力站、廢水處理站、綜合樓地下室結(jié)構(gòu)施工全部完成，啟動地上施工工序。按照建設(shè)計劃，項目預(yù)計2026年底實現(xiàn)竣工投產(chǎn)。

產(chǎn)能規(guī)劃方面，基地全面達產(chǎn)后，可形成年產(chǎn)27.6萬片硅電極、硅環(huán)、碳化硅環(huán)、石英環(huán)等半導體刻蝕關(guān)鍵部件的生產(chǎn)能力。企業(yè)主營刻蝕設(shè)備耗材零部件，相關(guān)產(chǎn)品適配邏輯芯片、存儲芯片制造流程，目前已經(jīng)導入多家頭部晶圓制造企業(yè)。

公開信息顯示，四象半導體成立于2022年，聚焦半導體蝕刻核心耗材研發(fā)制造，持續(xù)推進高純硅加工、碳化硅涂層等技術(shù)國產(chǎn)化。2025年12月，該基地舉行開工儀式；2026年企業(yè)完成超2億元A輪融資，資本將持續(xù)助力產(chǎn)線建設(shè)與產(chǎn)品迭代。

3、金剛石半導體材料項目落戶西寧

7月15日，湖北碳六科技有限公司與西寧東川工業(yè)園區(qū)管委會簽約，總投資2億元的金剛石半導體材料生產(chǎn)項目正式落地。

項目由湖北碳六科技有限公司投資建設(shè)，基地將圍繞CVD（化學氣相沉積）金剛石半導體材料搭建產(chǎn)線，持續(xù)擴充金剛石材料產(chǎn)業(yè)化規(guī)模。青海具備充沛風電、光伏綠色電力資源，能夠匹配CVD金剛石生產(chǎn)高能耗需求，為項目長期穩(wěn)定生產(chǎn)提供要素支撐。

公開資料顯示，湖北碳六科技深耕CVD金剛石研發(fā)制造，企業(yè)自研生產(chǎn)設(shè)備，核心配件國產(chǎn)化，可穩(wěn)定產(chǎn)出最大8英寸金剛石產(chǎn)品。金剛石憑借超高導熱性能，是AI芯片、高功率半導體器件下一代關(guān)鍵熱管理材料，廣泛用于算力硬件散熱場景。

4、結(jié)語

隨著算力產(chǎn)業(yè)鏈不斷延伸，化合物半導體不再局限于功率芯片、光芯片賽道，上游襯底、散熱材料、工藝耗材等細分環(huán)節(jié)持續(xù)釋放機會。上述項目后續(xù)的廠房建設(shè)、設(shè)備進場、樣品驗證與客戶導入進展，將持續(xù)反映國內(nèi)新型半導體材料國產(chǎn)化推進節(jié)奏。

（集邦化合物半導體 林曉 整理）

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住友電工是全球綜合型材料龍頭企業(yè)，在化合物半導體襯底、通信線纜、電子元器件領(lǐng)域具備領(lǐng)先產(chǎn)能與工藝壁壘。磷化銦基板為高速光模塊、光收發(fā)芯片的核心基底材料，是AI算力機房800G/1.6T光模塊不可或缺的上游原料；住友電工與JX金屬長期占據(jù)全球磷化銦基板主要供給份額，高端光通信用襯底產(chǎn)能高度集中于日本廠商。

報道顯示，本次擴產(chǎn)計劃相比此前規(guī)劃大幅上調(diào)產(chǎn)能目標。公司早在2025年11月原定方案僅計劃將磷化銦產(chǎn)能擴至2023財年的2.4倍，伴隨全球AI服務(wù)器建設(shè)提速，高速光器件需求增速顯著超出企業(yè)前期預(yù)判，因此追加投資、放大擴產(chǎn)幅度。落地載體為公司位于日本兵庫縣伊丹市的伊丹制作所，本次資金將全部用于廠區(qū)現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備升級改造，不新增獨立廠房，依托成熟產(chǎn)線快速釋放增量產(chǎn)能。

從產(chǎn)業(yè)邏輯來看，AI大模型訓練、推理服務(wù)器對高速光互聯(lián)需求持續(xù)爆發(fā)，光模塊廠商持續(xù)鎖定上游磷化銦襯底長單，當前行業(yè)襯底交付周期拉長、現(xiàn)貨價格持續(xù)上行。磷化銦單晶生長工藝門檻高、產(chǎn)線建設(shè)與驗證周期長達數(shù)年，短期新增供給有限，頭部襯底廠商集中落地中長期大額擴產(chǎn)計劃緩解供需缺口。

本次住友電工180億日元專項投資僅針對磷化銦基板業(yè)務(wù)，不包含光纖、連接器等其他通信產(chǎn)品產(chǎn)能擴建。截至報道發(fā)布，企業(yè)尚未披露分年度資金投放節(jié)奏、產(chǎn)線分階段產(chǎn)能釋放時間表，也未拆分180億日元在設(shè)備采購、工藝研發(fā)、產(chǎn)線調(diào)試等環(huán)節(jié)的細分投入比例。

行業(yè)同步擴產(chǎn)動作顯現(xiàn)，同賽道日本企業(yè)JX金屬此前已公布千億級投資方案，計劃大幅拉升磷化銦襯底產(chǎn)能；海內(nèi)外光芯片、光模塊廠商均在提前鎖定頭部襯底企業(yè)長期供貨份額，上游化合物半導體材料進入長周期高景氣階段。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：四川經(jīng)濟網(wǎng)信息截圖

根據(jù)公示文件，該項目選址位于成都市彭州市成都新材料產(chǎn)業(yè)化工園區(qū)，總投資3500萬元，規(guī)劃建設(shè)大尺寸先進化合物半導體襯底及高純材料制備中試平臺。項目核心研發(fā)內(nèi)容為6英寸級別銻化鎵、磷化銦、氧化鎵襯底材料，以及高純硒、碲、鎘金屬材料的中試研發(fā)，明確不涉及碳化硅、氮化鎵兩種化合物半導體相關(guān)產(chǎn)能。

磷化銦（Indium Phosphide，化學式 InP）是由銦（In）與磷（P）構(gòu)成的 Ⅲ-Ⅴ 族化合物半導體，屬于第二代半導體材料，常溫下呈銀灰色固體。

作為光通信領(lǐng)域不可替代的戰(zhàn)略材料，磷化銦是 800G/1.6T/3.2T 高速光模塊中 EML（電吸收調(diào)制激光器）、DFB（分布式反饋激光器）芯片的核心襯底，廣泛應(yīng)用于AI數(shù)據(jù)中心光互聯(lián)、長距離光纖通信、自動駕駛 1550nm 激光雷達及低軌衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。當前，6英寸磷化銦襯底已成為行業(yè)主流，大尺寸、低缺陷、高均勻性是產(chǎn)業(yè)發(fā)展核心方向。

建設(shè)規(guī)劃顯示，該項目計劃于2026年12月建成并投入運行，建成后將形成化合物半導體襯底與高純金屬材料的中試研發(fā)能力，填補區(qū)域相關(guān)領(lǐng)域中試環(huán)節(jié)空白。

公開資料顯示，中鋁乾星為中鋁集團旗下專注稀有/稀散金屬（鎵、鍺、銦、硒、碲等）的高端材料平臺，2026年2月，中鋁乾星已與成都市、中鋁科學院簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，圍繞稀有金屬材料產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展，在蓉布局“兩基地一中心”，推進有色金屬產(chǎn)業(yè)鏈項目合作。

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根據(jù)公告，合資公司注冊資本1000萬元，宿遷聯(lián)盛出資700萬元，持股70%；朱蓉輝出資200萬元，持股20%；匯智光芯出資100萬元，持股10%。項目后續(xù)總投資預(yù)計達3億元，各股東按持股比例同步出資，資金來源為股東自有資金、上市公司借款及銀行貸款。

項目規(guī)劃分兩期建設(shè)。一期固定投資1億元，涵蓋廠房建設(shè)、裝修、生產(chǎn)環(huán)境搭建、設(shè)備采購、人員組建及生產(chǎn)手續(xù)辦理等工作，建設(shè)周期10個月，預(yù)計建成后年產(chǎn)12萬片4-6英寸磷化銦襯底。二期將依據(jù)一期進展及市場行情，追加投資2億元，將產(chǎn)能擴充至40萬片/年。

圖片來源：宿遷聯(lián)盛公告截圖

宿遷聯(lián)盛表示，本次投資系公司結(jié)合市場新形勢做出的戰(zhàn)略延伸與布局補充，不會對現(xiàn)有精細化工主營業(yè)務(wù)產(chǎn)生影響，旨在整合各方資源、拓展新業(yè)務(wù)曲線、提升綜合競爭力。

磷化銦襯底作為高速光模塊、射頻芯片及AI算力網(wǎng)絡(luò)的核心基材，具備硅材料無法比擬的光電性能，當前全球供需缺口顯著，國內(nèi)規(guī)?；慨a(chǎn)企業(yè)稀缺。

資料顯示，宿遷聯(lián)盛專注高分子材料防老化助劑及中間體研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，產(chǎn)品覆蓋農(nóng)膜、塑編、涂料等領(lǐng)域。此次跨界標志著公司正式切入化合物半導體材料賽道。

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彌爾光半導體成立于2021年5月，法定代表人為楊展予，是一家聚焦磷化銦（InP）基高速光芯片研發(fā)與生產(chǎn)的硬科技企業(yè)。公司核心產(chǎn)品為單載流子光電探測器，主要應(yīng)用于800G/1.6T高速光模塊、6G全光子無線基站、激光雷達/毫米波雷達融合等場景，同時適配AI數(shù)據(jù)中心高速互連需求，是下一代“光電融合”通信技術(shù)的關(guān)鍵元器件供應(yīng)商。

本輪融資由信科資本（中國信科集團旗下）、元禾控股聯(lián)合華為哈勃等產(chǎn)業(yè)方共同參與，資金將重點用于磷化銦光芯片研發(fā)迭代、核心團隊擴充及小批量產(chǎn)線建設(shè)，加速推進6G全光子無線技術(shù)與高速光互聯(lián)產(chǎn)品的落地進程。

當前，全球AI算力集群與智算中心建設(shè)持續(xù)提速，800G/1.6T高速光模塊需求爆發(fā)，而磷化銦基高速光芯片長期被海外廠商壟斷。彌爾光深耕的磷化銦材料屬于第二代半導體，在高頻、光電領(lǐng)域具備不可替代的性能優(yōu)勢，是6G通信、高速光模塊的核心襯底材料。

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公告顯示，星沅光電本輪總增資2400萬元，除研究院外，另有3家機構(gòu)合計出資1600萬元。增資前，研究院持有星沅光電20%股權(quán)；增資完成后，其持股比例將提升至23.07%，星沅光電注冊資本將由625萬元增至812.5萬元，其他股東均放棄優(yōu)先認購權(quán)。

圖片來源：長光華芯公告截圖

此次增資的核心關(guān)聯(lián)的是化合物半導體賽道。公告明確，星沅光電核心業(yè)務(wù)為高端磷化銦（InP）激光器芯片、器件及模塊的研發(fā)生產(chǎn)，而磷化銦是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的重要品類，與長光華芯主業(yè)的砷化鎵（GaAs）同屬化合物半導體材料體系。

長光華芯采用IDM模式進行半導體激光芯片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，構(gòu)建了砷化鎵、磷化銦等五大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術(shù)和制造平臺，是全球少數(shù)幾家具備6寸線外延、晶圓制造等關(guān)鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導體激光器企業(yè)之一。

長光華芯表示，公司本次向關(guān)聯(lián)方增資系為了保障星沅光電的產(chǎn)線建設(shè)與日常運營資金需求，加快開發(fā)高端磷化銦激光器芯片、器件及相關(guān)模塊、子系統(tǒng)，提升公司核心競爭力。

據(jù)悉，磷化銦具有優(yōu)異的光電特性，是AI數(shù)據(jù)中心高速光通信、激光雷達等領(lǐng)域的核心材料，屬于當前高景氣的化合物半導體賽道。長光華芯通過本次增資，實現(xiàn)從成熟GaAs激光芯片向高增長InP芯片的延伸，完善化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈布局，助力國產(chǎn)高端光芯片替代。

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01、投資超1.5億歐元，6英寸磷化銦工廠落子歐洲

近期，一座宣稱為“世界首座”的6英寸（150mm）級磷化銦光子芯片工業(yè)晶圓廠在荷蘭埃因霍溫正式動工。這不僅是一座制造廠，更是一條極具戰(zhàn)略意義的工業(yè)級中試線，旨在大幅加速磷化銦芯片從前沿概念邁向商業(yè)化應(yīng)用的整個流程。

該工廠所生產(chǎn)的6英寸光子晶圓是一種薄薄的圓形晶片，其顛覆性在于，晶片上制造的芯片是利用“光”而非傳統(tǒng)的“電”來進行數(shù)據(jù)的處理與傳輸。在算力需求呈指數(shù)級爆炸的今天，這種高能效的晶圓對于建設(shè)節(jié)能型人工智能數(shù)據(jù)中心、部署6G網(wǎng)絡(luò)、推動醫(yī)療創(chuàng)新以及支撐超級計算機的運行都起著至關(guān)重要的作用。

該項目的落地匯聚了歐洲頂級的產(chǎn)學研資源，由荷蘭主要研究機構(gòu)TNO、埃因霍溫理工大學（TU/e）、PhotonDelta、SMART Photonics以及埃因霍溫高科技園區(qū)等多方聯(lián)手合作開展。

在資金注入上，該工廠的投資額超過了1.5億歐元，并且直接獲得了《歐洲芯片法案》的資金資助。按照規(guī)劃時間表，這座承載厚望的工廠將于2028年實現(xiàn)全面投產(chǎn)。屆時，它將具備每年生產(chǎn)多達1萬片晶圓以及1000萬個光子芯片的龐大產(chǎn)能，光子芯片商業(yè)化有望步入發(fā)展快車道。

02、6G利好磷化銦，全球廠商加速布局

除了歐洲的大手筆投資，宏觀政策的定調(diào)與新一代通信技術(shù)的演進，正賦予磷化銦不可替代的產(chǎn)業(yè)使命。

中國對未來產(chǎn)業(yè)的布局正全面提速，2026年政府工作報告中明確提出，要建立未來產(chǎn)業(yè)投入增長和風險分擔機制，并重點培育發(fā)展未來能源、量子科技、具身智能、腦機接口以及6G等極具潛力的未來產(chǎn)業(yè)。

作為繼5G之后的下一代全球通信技術(shù)標準體系，6G被業(yè)界廣泛譽為萬物互聯(lián)的“引擎”和數(shù)字時代的“底座”。未來，6G網(wǎng)絡(luò)將支持峰值速率達到Tbps級、空口時延低至0.1毫秒，連接密度提升至每平方公里千萬級，并通過空天地海一體化架構(gòu)實現(xiàn)從深海到深空的全域覆蓋。

在這一龐大的6G產(chǎn)業(yè)帝國中，處于產(chǎn)業(yè)鏈上游基礎(chǔ)層的化合物半導體材料（如砷化鎵、氮化鎵、磷化銦）、太赫茲射頻器件等構(gòu)筑了產(chǎn)業(yè)基石。

其中，磷化銦憑借其優(yōu)異的高頻、高速及光電轉(zhuǎn)換等性能，將成為6G通信技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵材料之一，推動其在太赫茲通信、光電融合、衛(wèi)星通信及量子技術(shù)等領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，有望在6G產(chǎn)業(yè)發(fā)展浪潮下深度受益。

巨大的市場潛能引發(fā)了全球范圍內(nèi)的激烈角逐。目前的全球磷化銦廠商主要集中在日本、美國和中國，國際廠商憑借深厚的技術(shù)積累依然占據(jù)著主導地位。其中，日本住友電工是全球磷化銦襯底市場的龍頭，其采用垂直布里奇曼法（VB法）生產(chǎn)，可穩(wěn)定供應(yīng)2-6英寸的優(yōu)質(zhì)襯底，產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于光通信與射頻器件領(lǐng)域，并與全球頭部的光模塊廠商保持著深度合作。此外，美國AXT、法國的InPact等公司同樣占據(jù)舉足輕重的地位。

面對國際巨頭的主導地位，中國國內(nèi)廠商在國產(chǎn)替代的進程中加速突破，正成為推動全球磷化銦產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心力量。

其中，云南鍺業(yè)（持股云南鑫耀）作為國內(nèi)磷化銦襯底的領(lǐng)軍企業(yè)，已成功實現(xiàn)6英寸磷化銦襯底的量產(chǎn)，產(chǎn)能規(guī)模在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位，且產(chǎn)品已順利進入國內(nèi)頭部光模塊廠商的供應(yīng)鏈。

有研新材承擔了國家02專項“6英寸磷化銦單晶片制備”項目，其2-4英寸襯底已實現(xiàn)小批量生產(chǎn)，而關(guān)鍵的6英寸襯底已完成技術(shù)攻關(guān)，具備了快速產(chǎn)業(yè)化的能力。

三安光電作為國內(nèi)化合物半導體IDM龍頭，深度布局了磷化銦全產(chǎn)業(yè)鏈，其生產(chǎn)的磷化銦外延片及光芯片產(chǎn)品已實現(xiàn)批量供貨，并被應(yīng)用于800G/1.6T高速光模塊中，規(guī)模優(yōu)勢與技術(shù)迭代能力強勁。
陜西銦杰半導體致力于國產(chǎn)替代，技術(shù)團隊具備扎實的晶體生長和外延工藝研發(fā)能力，產(chǎn)品線覆蓋了2-4英寸襯底及外延片，正聯(lián)合國內(nèi)機構(gòu)全力推動磷化銦技術(shù)國產(chǎn)化進程。

03、結(jié)語

無論是在歐洲斥巨資投建6英寸磷化銦工廠，還是2026年中國政府工作報告將6G列為未來產(chǎn)業(yè)重點，都彰顯了磷化銦在數(shù)字基建中不可替代的戰(zhàn)略地位。盡管美日國際廠商目前占據(jù)主導，但在國產(chǎn)替代浪潮下，中國企業(yè)正憑借技術(shù)攻關(guān)與產(chǎn)能擴張加速突圍。隨著6G商用時代的逼近，全球磷化銦產(chǎn)業(yè)必將迎來新一輪的爆發(fā)與重塑。

（集邦化合物半導 秦妍 整理）

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圖片來源：JX官網(wǎng)新聞稿截圖

此輪追加投資額與該公司7月份宣布的投資合并計算，總投資額約達33億日元（約合2200萬美元），旨在將公司InP襯底的產(chǎn)能提升約50%（相比2025年水平）。此舉明確指向由生成式AI驅(qū)動的全球超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心建設(shè)熱潮。

AI推動光通信材料需求急增
此次大規(guī)模擴產(chǎn)的核心驅(qū)動力是AI算力對高速光通信的爆炸性需求。

磷化銦（InP）襯底是制造高性能光通信器件的關(guān)鍵核心材料。隨著生成式AI的快速普及，全球數(shù)據(jù)中心的建設(shè)正在加速，導致數(shù)據(jù)中心內(nèi)部和之間的數(shù)據(jù)傳輸量呈指數(shù)級增長。InP襯底對于生產(chǎn)光通信中的光發(fā)射器和接收器至關(guān)重要，是保障數(shù)據(jù)在光模塊中實現(xiàn)高速、大容量、低能耗傳輸?shù)幕?/p>

JX金屬在7月份宣布了首輪約15億日元的投資計劃（將產(chǎn)能提高約20%）。然而，鑒于AI持續(xù)演進帶來的InP需求激增速度遠超預(yù)期，公司決定進一步追加投資。

JX金屬在新聞稿中表示，建立一個能應(yīng)對InP襯底需求急劇增加的系統(tǒng)已成為當務(wù)之急。

InP：未來光電融合技術(shù)的關(guān)鍵
作為全球少數(shù)幾家擁有40多年InP襯底制造經(jīng)驗的制造商之一，JX金屬此舉不僅是為了滿足當前光通信市場的需求，更是對未來技術(shù)的戰(zhàn)略布局。

InP襯底除了廣泛應(yīng)用于光通信模塊外，還是光電融合技術(shù)（Photonic-Electronic Convergence Technology）的潛在核心材料。光電融合技術(shù)被視為下一代信息通信基礎(chǔ)設(shè)施的關(guān)鍵，它有望將高速數(shù)據(jù)處理能力和極低的能耗帶入板間、甚至芯片封裝間的通信。

通過此次總額達33億日元的投資，JX金屬將顯著強化其在化合物半導體材料領(lǐng)域的全球競爭力和供應(yīng)鏈地位，為全球AI和高速通信基礎(chǔ)設(shè)施提供強有力的支持。

（集邦化合物半導體整理）

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圖片來源：九峰山實驗室（圖為九峰山實驗室6英寸磷化銦PIN探測器外延片）

該成果不僅將關(guān)鍵性能指標提升至國際領(lǐng)先水平，更是國內(nèi)首次在大尺寸磷化銦材料制備上實現(xiàn)從核心設(shè)備到關(guān)鍵材料的全面國產(chǎn)化，為我國光電子器件產(chǎn)業(yè)的規(guī)模化發(fā)展提供了有力支撐。

作為光通信、量子計算等前沿領(lǐng)域的核心材料，磷化銦（InP）的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用一直受限于大尺寸制備的技術(shù)瓶頸。長期以來，行業(yè)主流停留在3英寸工藝階段，高昂的生產(chǎn)成本難以滿足光通信、激光雷達、太赫茲通信等下游產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)式增長需求。

九峰山實驗室此次的突破在于，依托國產(chǎn)MOCVD設(shè)備和國內(nèi)合作伙伴云南鑫耀的6英寸磷化銦襯底技術(shù)，成功解決了大尺寸外延均勻性控制這一世界性難題。

其自主研發(fā)的6英寸外延生長工藝，使得FP激光器量子阱PL發(fā)光波長片內(nèi)標準差小于1.5nm，組分與厚度均勻性小于1.5%；PIN探測器材料本底濃度小于4×101?cm?3，遷移率大于11000cm2/V·s，這些關(guān)鍵性能指標均達到國際領(lǐng)先水平。

此項技術(shù)突破有望將國產(chǎn)光芯片的制造成本降低至3英寸工藝的60%至70%，顯著增強我國光芯片的市場競爭力。

九峰山實驗室本次技術(shù)突破的另一大亮點是其協(xié)同創(chuàng)新模式。通過聯(lián)合國內(nèi)上下游產(chǎn)業(yè)鏈，實驗室實現(xiàn)了從襯底、外延設(shè)備到關(guān)鍵工藝的“全鏈路”突破。其中，云南鑫耀作為合作方，其6英寸高品質(zhì)磷化銦單晶片的產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)已取得突破，即將進入量產(chǎn)階段。

這一模式對促進我國化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同發(fā)展、奠定產(chǎn)業(yè)自主可控的基礎(chǔ)具有深遠影響。未來，九峰山實驗室將繼續(xù)優(yōu)化6英寸InP外延平臺，并推動下游產(chǎn)品驗證，為我國光電子產(chǎn)業(yè)的升級貢獻力量。

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