文章分類： 企業(yè)

日本住友利用二英寸金剛石襯底制備出氮化鎵器件

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:02 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
日本住友電氣工業(yè)株式會社（Sumitomo Electric）近日宣布，其與大阪公立大學(xué)的研究團隊在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域取得重大突破——成功在直徑兩英寸的多晶金剛石（PCD）基板上研制出高性能氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管。 該創(chuàng)新成果通過革命性散熱架構(gòu)設(shè)計，將器件熱阻降至傳統(tǒng)硅基...  [詳內(nèi)文]

三家碳化硅廠商獲得新一輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 27 日 12:01 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，三家碳化硅相關(guān)公司獲得新一輪融資，分別是優(yōu)睿譜、科瑞爾與芯湛。 其中，優(yōu)睿譜新一輪融資由合肥產(chǎn)投獨家投資，該公司是一家半導(dǎo)體前道量測設(shè)備研發(fā)商，致力于打造高品質(zhì)的半導(dǎo)體前道量測設(shè)備。 碳化硅業(yè)務(wù)方面，優(yōu)睿譜SICD200設(shè)備已成功交付客戶，這是一款碳化硅襯底晶圓位錯及微管檢...  [詳內(nèi)文]

碳化硅和氮化鎵的專利井噴，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進階

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 26 日 13:52 |
| 分類: 企業(yè)
近日，碳化硅和氮化鎵領(lǐng)域頻傳專利突破喜訊，多家企業(yè)和研究機構(gòu)取得關(guān)鍵進展，為半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展注入新動力。 這些專利成果聚焦于材料制備、器件制造以及應(yīng)用拓展等核心環(huán)節(jié)，有望推動相關(guān)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，提升產(chǎn)業(yè)競爭力。 1、材料制備革新 3 月 24 日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，成都天...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、西湖儀器12英寸碳化硅領(lǐng)域新動態(tài)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 26 日 13:47 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
在全球新能源汽車、光伏儲能、軌道交通等產(chǎn)業(yè)需求爆發(fā)的背景下，第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）正成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的新主角。當前，12英寸碳化硅領(lǐng)域的研發(fā)與量產(chǎn)能力，已成為衡量第三代半導(dǎo)體行業(yè)競爭力的重要標尺，吸引多家廠商布局。近期，西湖儀器、天岳先進傳出新動態(tài)。 1、西湖儀器率先實現(xiàn)...  [詳內(nèi)文]

涉及碳化硅，總投資3億元的半導(dǎo)體智能制造項目落戶湖北

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 26 日 13:43 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月24日上午，湖北陽新縣人民政府與江蘇卓遠半導(dǎo)體有限公司在江蘇省如皋市隆重舉行項目簽約儀式，總投資3億元的“卓遠半導(dǎo)體項目”正式簽約落戶陽新經(jīng)濟開發(fā)區(qū)。 根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，江蘇卓遠半導(dǎo)體將在陽新設(shè)立全資子公司，重點布局三代半導(dǎo)體核心裝備研發(fā)制造，涵蓋MPCVD金剛石長晶設(shè)備、碳化硅...  [詳內(nèi)文]

EV不振、產(chǎn)能過剩，日美歐功率半導(dǎo)體廠抑制投資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 25 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
近期，外媒報道，因電動汽車市場成長較預(yù)期放緩，功率半導(dǎo)體產(chǎn)能過剩，這一背景下，日美歐功率半導(dǎo)體廠抑制投資， 其中，日本瑞薩電子（Renesas Electronics）調(diào)降稼動率（產(chǎn)能利用率），上季（2024年10-12月）稼動率降至3成左右。而瑞薩原先計劃在2025年初期利用甲...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)又一碳化硅廠商“上車”，清純半導(dǎo)體通過大眾集團POT審核

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 25 日 13:38 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
3月24日消息，清純半導(dǎo)體繼2024年12月與大眾汽車（中國）科技有限公司簽署SiC合作開發(fā)框架協(xié)議后，2025年3月19日通過大眾集團POT審核，進入大眾集團全球供應(yīng)商體系。 清純半導(dǎo)體表示，大眾汽車深耕中國市場，始終秉持“In China, For China”的理念，與中國...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)兩項碳化硅相關(guān)技術(shù)迎來新突破！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 25 日 13:37 | | 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
受益于新能源汽車等應(yīng)用推動，近年我國碳化硅市場需求持續(xù)上升，國內(nèi)廠商碳化硅技術(shù)突破捷報頻傳。近期，又有兩家公司傳出新進展：晶馳機電成功開發(fā)出電阻法12寸碳化硅晶體生長設(shè)備，實現(xiàn)碳化硅晶體生長技術(shù)新突破；臻晶半導(dǎo)體自主研發(fā)液相法碳化硅電阻爐技術(shù)，突破行業(yè)瓶頸。 1、晶馳機電成功開發(fā)...  [詳內(nèi)文]

全球首創(chuàng)！我國九峰山實驗室在氮化鎵材料新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 24 日 14:17 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
據(jù)九峰山實驗室3月22日消息，九峰山實驗室的科研團隊在全球首創(chuàng)性地實現(xiàn)了8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）高電子遷移率材料的制備，這一成果不僅標志著我國在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的重大進步，更為未來諸多前沿技術(shù)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。 1、技術(shù)突破：氮極性氮化鎵材料的制備 ...  [詳內(nèi)文]

山西天成12英寸碳化硅長晶爐即將投放市場

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 03 月 24 日 14:10 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，太原新聞報道，第一季度，山西天成已經(jīng)收到了500萬訂單。目前，山西天成正沖刺首季訂單交付“開門紅”。 資料顯示，山西天成業(yè)務(wù)聚焦碳化硅晶片的生產(chǎn)和長晶裝備制造，具備完整的自主研發(fā)能力，從設(shè)備研制、粉料、籽晶、熱場設(shè)計到襯底制備全鏈條自主可控。 2024年山西天成組合營收達到...  [詳內(nèi)文]