文章分類: 氮化鎵GaN

半導體大廠強強合作,氮化鎵產(chǎn)業(yè)迎變局

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 29 日 15:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著全球AI浪潮洶涌而至以及綠色能源轉型的迫切需求,第三代半導體氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)正迎來關鍵的黃金發(fā)展期。根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預估,全球GaN功率元件市場規(guī)模將以高達44%的年復合增長率,從2024年的3.9億美元一路攀升至2030年的35.1億美元...  [詳內文]

西電團隊再次取得氮化鎵散熱突破

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 21 日 15:02 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)西安電子科技大學官方消息,近日,郝躍院士張進成教授團隊的最新研究在這一核心難題上實現(xiàn)了歷史性跨越——他們通過將材料間的“島狀”連接轉化為原子級平整的“薄膜”,使芯片的散熱效率與綜合性能獲得了飛躍性提升。 這個問題自2014年相關成核技術獲得諾貝爾獎以來,一直未能徹底解決,成為制...  [詳內文]

三家公司獲新一輪融資,涉及碳化硅、氮化鎵與射頻

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 19 日 15:17 | | 分類: 企業(yè) , 射頻 , 氮化鎵GaN
近日,半導體行業(yè)融資領域動作不斷,上海芯元基半導體科技有限公司完成B+輪融資,蘇州能訊高能半導體有限公司完成D輪融資,北京序輪科技有限公司完成總額超億元的A3、A4輪戰(zhàn)略融資,這三家公司的融資涉及碳化硅、氮化鎵與射頻等熱門領域,在行業(yè)內引發(fā)廣泛關注。 1、芯元基半導體B+輪融資 ...  [詳內文]

英諾賽科GaN芯片累計出貨破20億顆

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 09 日 17:29 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日,英諾賽科通過官方微信公眾號宣布其氮化鎵(GaN)功率芯片累計出貨量已達20億顆。 圖片來源:英諾賽科 據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示,英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量實現(xiàn)了跨越式增長:2019年累計出貨量尚不足500萬顆,到2024年已突破12億顆,2025年便攀升至20億顆,較2024年同比...  [詳內文]

氮化鎵襯底材料廠商IPO申請獲受理

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 04 日 16:08 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2025年12月31日,上海證券交易所官網(wǎng)公示信息顯示,廣東中圖半導體科技股份有限公司(簡稱“中圖科技”)首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的申請已正式獲受理,保薦機構為國泰海通證券股份有限公司,審計機構為天健會計師事務所(特殊普通合伙),律師事務所為北京市中倫律師事務所。 圖片來...  [詳內文]

小批量出貨+戰(zhàn)略合作,又一氮化鎵廠商沖刺機器人賽道!

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 31 日 17:12 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期,國內功率半導體企業(yè)宏微科技在氮化鎵(GaN)領域動作頻頻,先是披露自主研發(fā)的氮化鎵產(chǎn)品已實現(xiàn)小規(guī)模出貨,隨后又與國內傳動領域頭部企業(yè)達成戰(zhàn)略合作,聚焦氮化鎵器件聯(lián)合共研及多領域應用拓展。 與國內傳動領域頭部企業(yè)達成戰(zhàn)略合作 12月29日,宏微科技公告稱,公司與一家國內傳動領...  [詳內文]

兩家頭部大廠合作開發(fā)下一代氮化鎵功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 23 日 14:51 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日,安森美(onsemi)正式宣布,已與全球領先的半導體制造商格芯(GlobalFoundries,GF)簽署合作協(xié)定。雙方將基于格芯先進的200毫米(8英寸)增強型硅基氮化鎵(eMode GaN-on-silicon)制程技術,共同開發(fā)下一代氮化鎵功率元件。 圖片來源:安森...  [詳內文]

氮化鎵監(jiān)測系統(tǒng)成功落地國家能源集團項目

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 18 日 17:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日,美鎵傳感在國家能源集團寧夏煤業(yè)有限責任公司棗泉煤礦順利完成“棗泉煤礦氮化鎵紫外局放監(jiān)測系統(tǒng)”項目的安裝部署與驗收工作。該項目的成功投運,為煤礦電力系統(tǒng)的安全、穩(wěn)定、高效運行注入了科技新動能。 圖片來源:美鎵傳感 美鎵傳感是一家2022年成立的、聚焦氮化鎵相關傳感技術的創(chuàng)新...  [詳內文]

小米手機射頻團隊氮化鎵研究取得重磅進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 16 日 15:37 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近期,小米手機射頻團隊論文成功入選全球半導體與電子器件領域頂會 IEDM 2025。 據(jù)悉,本屆IEDM上,小米集團手機部與蘇州能訊高能半導體有限公司、香港科技大學合作的論文成功入選,率先報道了應用于移動終端的高效率低壓硅基氮化鎵射頻功率放大器,并在GaN and III-V I...  [詳內文]

關閉晶圓廠,巨頭撤場,GaN市場大動蕩?

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 16 日 15:23 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 化合物半導體 , 氮化鎵GaN
12月10日,恩智浦一紙關廠公告,疊加此前臺積電的代工停擺,給火熱的氮化鎵賽道澆了一盆冷水。然而,這種“巨頭離場”的表象之下,實則暗流涌動:英諾賽科在港交所敲鐘上市并大幅擴產(chǎn),全球功率霸主英飛凌砸下50億歐元擴建馬來西亞超級工廠,德州儀器(TI)試圖用12英寸產(chǎn)線將成本殺至地板價...  [詳內文]