文章分類： 氮化鎵GaN

湖南三安：SiC出貨量破億，訂單超65億

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 13 日 16:49 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據湖南三安官方微信公眾號消息，2022年，湖南三安車規(guī)級和工業(yè)級SiC功率半導體出貨突破1億顆，新進訂單及長期供應協議累計金額超65億。從產品應用來看，湖南三安的SiC產品已實現在汽車、工業(yè)、光伏等多個領域應用。 新能源汽車方面，湖南三安的SiC二極管產品已有7款產品通過AE...  [詳內文]

Odyssey宣布Q1開始送樣垂直GaN功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 11 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2022年9月，美國GaN高壓垂直功率開關器件供應商Odyssey Semiconductor Technologies Inc宣布完成1200V垂直GaN功率器件的開發(fā)目標，計劃在第四季度開展樣品開發(fā)等工作。 到了1月9日，Odyssey宣布650V、1200V GaN垂直產品...  [詳內文]

年產10萬片，遼寧將增加10條氮化鎵外延生產線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 10 日 17:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目傳來新進展：該項目已進入產品試生產階段。 據此前披露消息，項目于2019年11月開工建設，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及...  [詳內文]

捷捷微電高端功率半導體器件產業(yè)化項目進展順利

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 06 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
1月6日，捷捷微電在投資者互動平臺表示，公司南通“高端功率半導體器件產業(yè)化項目”一期進度符合預期，主要是針對產能及良率來設定預期，公司生產的產品良率也在預期內，保持在95%以上。 此前，捷捷微電稱，目前公司推出的車規(guī)級SGT MOSFETs產品，部分產品已在新能源車上實現車用，客...  [詳內文]

GaN上車提速，納微、英諾賽科等12大廠商誰跑得更快？

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 06 日 10:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著世界各地脫碳行動加速提上日程，電動汽車行業(yè)發(fā)展如日中升。盡管短期內，電動汽車的銷量仍受疫情、地緣政治等不穩(wěn)定因素的影響，但部分地區(qū)得益于供需關系改善，近期汽車行業(yè)產銷兩旺，如中國市場。 根據中國汽車工業(yè)協會數據顯示，6月中國電動汽車滲透率為23.8%，產量和銷售分別是59萬輛...  [詳內文]

多元化GaN設計，市場進入高速成長期

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 01 月 04 日 16:33 |
| 分類: 氮化鎵GaN
功率半導體市場持續(xù)成長 GaN最具爆發(fā)力 全球電力設備數量與規(guī)格不斷提升，帶動功率半導體需求持續(xù)成長，且在第三類半導體材料導入下，整體市場蓬勃發(fā)展；其中，全球GaN功率半導體市場規(guī)模預計從2021年1.1億美元成長到2025年13.2億美元，CAGR達86%。因基期較低，GaN成...  [詳內文]

第三代半導體作為西部重點，深圳發(fā)展計劃即將發(fā)布

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 30 日 17:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
深圳是中國重要的電子技術中心，多年來十分重視集成電路產業(yè)的發(fā)展，旨在培育產業(yè)集聚區(qū)，打通上下游產業(yè)鏈，形成產業(yè)協同聯動效應。其中，第三代半導體作為近幾年的新興技術，也已經成為政府重點培育的產業(yè)之一，相關利好政策不斷出臺。 近日，深圳舉辦了2022中國（深圳）集成電路峰會，會上透露...  [詳內文]

比亞迪投資了第三代半導體設備廠邑文科技

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 26 日 17:02 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
企查查官網顯示，12月23日，無錫邑文電子科技有限公司（以下簡稱：邑文科技）發(fā)生工商變更，新增比亞迪等新股東，注冊資本變更為1947.6655萬元。 邑文科技成立于2011年3月，專注于半導體前道工藝設備的研發(fā)、制造，主要產品為刻蝕工藝設備和薄膜沉積工藝設備，應用于半導體（IC及...  [詳內文]

應用材料將建下一代半導體設備研發(fā)中心

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 23 日 17:20 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，應用材料宣布，計劃在美國的創(chuàng)新基礎設施上投資數十億美元，并從現在到2030年擴大其全球制造能力。 該公司計劃在加州森尼維爾建立下一代基礎半導體技術和工藝設備研發(fā)中心，其規(guī)模將取決于政府的支持。這項投資計劃于2023年初在硅谷啟動。 此外，該公司還在對其全球各地的基礎設施進行...  [詳內文]

55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批

作者 | 發(fā)布日期: 2022 年 12 月 19 日 17:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國家科技部公布了2022年國家重點研發(fā)計劃立項資助名單。55所牽頭承擔的“寬帶射頻功率放大器”項目成功獲批。 “寬帶射頻功率放大器”項目基于第三代半導體GaN開展超寬帶射頻功率管的設計與制造研究，計劃研究一套寬頻帶射頻功率放大器，實現寬帶射頻功放在超高場磁共振的工程應用，為...  [詳內文]