近日，全球碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體動態(tài)頻頻，國際大廠三菱電機位于日本熊本的8英寸SiC晶圓廠已正式竣工，預(yù)示著其試生產(chǎn)即將啟動，同時也揭示了面對市場波動的彈性產(chǎn)能策略；與此同時，南亞市場亦邁出歷史性一步，SiCSem在印度啟動了該國首個端到端SiC制造設(shè)施的動工儀式。

01、三菱電機：8英寸碳化硅晶圓廠竣工，正加速投產(chǎn)

近日，三菱電機位于日本熊本縣菊池市的8英寸SiC功率半導(dǎo)體制造設(shè)施已于2025年10月1日舉行竣工典禮，正式宣告工廠主體建設(shè)完成。

根據(jù)計劃，該設(shè)施將立即進入準備階段，并預(yù)計于2025年11月啟動運營，采用8英寸SiC襯底開始試生產(chǎn)，為實現(xiàn)2027年正式量產(chǎn)奠定基礎(chǔ)。

該工廠是三菱電機長期戰(zhàn)略的核心體現(xiàn)。該擴產(chǎn)計劃于2023年3月宣布，初期投資約1,000億日圓，旨在應(yīng)對電動車（EV）市場的強勁需求。工廠擁有六層結(jié)構(gòu)，總建筑面積約4.2萬平方米，設(shè)計上專注于8英寸SiC晶圓的前端制程，并全面導(dǎo)入自動化系統(tǒng)。

然而，在工廠竣工的同時，公司對產(chǎn)能投放采取了更為謹慎的彈性策略。鑒于近期電動車市場的需求增長速度略低于原先預(yù)期，三菱電機總裁UrumaKei在竣工典禮上透露，公司已決定將新設(shè)施的部分設(shè)備強化計劃延后到2031財年及之后?？偛帽硎?，公司將透過審查市場條件和其他因素，決定要安裝多少條生產(chǎn)線，這顯示三菱電機將根據(jù)實際的市場需求，靈活調(diào)整產(chǎn)能的爬坡速度和資本支出，以平衡積極擴張與市場風(fēng)險。

在產(chǎn)能與銷售目標方面，三菱電機的目標是到2026財年將SiC產(chǎn)能提升至2022財年的5倍，并設(shè)定了到2030財年將功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中的SiC銷售比例提高到30%以上的遠期目標，顯示出公司在SiC領(lǐng)域全面超越既有6英寸產(chǎn)線（2010年代后期建立）的決心。

02、SiCSem印度建廠：南亞首座端到端SiC芯片制造設(shè)施啟動

在亞洲新興市場中，印度在推動本土半導(dǎo)體制造的進程中邁出了歷史性的一步。11月1日，SiCSem公司在印度奧里薩邦（Odisha）隆重啟動了該國首個端到端（End-to-End）碳化硅半導(dǎo)體制造設(shè)施的動工儀式。

該SiC制造設(shè)施總投資額約2067億盧比，彰顯了對本土高科技制造的巨大信心和支持。在產(chǎn)能方面，該設(shè)施的目標是實現(xiàn)年處理6萬片SiC晶圓的規(guī)模，并預(yù)計在2027年至2028年期間投入正式運營。

作為一家新興的印度本土半導(dǎo)體公司，SiCSem的這一舉措具有高度的戰(zhàn)略意義，將有助于印度減少對外部SiC供應(yīng)鏈的依賴，極大地增強該國在電動汽車（EV）及可再生能源系統(tǒng)等核心產(chǎn)業(yè)的自主可控能力。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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