在新能源汽車、AI算力中心等下游場景需求爆發(fā)驅(qū)動下，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)正迎來技術(shù)迭代與產(chǎn)能擴(kuò)張的雙重突破。
近日，捷捷微電、藍(lán)箭電子、國聯(lián)萬眾、晶升股份、精進(jìn)電動、時(shí)代電氣等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)企業(yè)密集披露最新進(jìn)展，涵蓋8英寸產(chǎn)線升級、核心設(shè)備量產(chǎn)、終端產(chǎn)品出口及先進(jìn)技術(shù)定型等關(guān)鍵領(lǐng)域。
1、藍(lán)箭電子氮化鎵與碳化硅產(chǎn)品送樣，量產(chǎn)節(jié)奏待評估
1月22日，藍(lán)箭電子在互動平臺回答投資者提問時(shí)表示，公司的氮化鎵GaN產(chǎn)品和碳化硅Sic已成功完成了多款相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)和客戶送樣，該業(yè)務(wù)的具體推進(jìn)節(jié)奏與戰(zhàn)略規(guī)劃，將主要依據(jù)市場需求動態(tài)、客戶反饋及后續(xù)訂單情況等因素綜合評估后確定。公司將密切關(guān)注市場情況，保持技術(shù)儲備和產(chǎn)品迭代的靈活性，以穩(wěn)健、務(wù)實(shí)的策略推動相關(guān)業(yè)務(wù)的可持續(xù)發(fā)展。
圖片來源：互動平臺截圖
資料顯示，藍(lán)箭電子主要從事半導(dǎo)體封裝測試業(yè)務(wù)，為半導(dǎo)體行業(yè)及下游領(lǐng)域提供分立器件和集成電路產(chǎn)品。在在碳化硅與氮化鎵領(lǐng)域以封測為核心，同步推進(jìn) SiC/GaN 器件封測技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品送樣與客戶拓展。
2、捷捷微電：與高校合作研發(fā)碳化硅，產(chǎn)品未量產(chǎn)市場待拓展
1月20日，捷捷微電在互動平臺稱，公司與中科院微電子研究所、西安電子科大合作研發(fā)以SiC、GaN為代表第三代半導(dǎo)體材料的半導(dǎo)體器件，截至目前，公司擁有氮化鎵和碳化硅相關(guān)發(fā)明專利5件和實(shí)用新型專利6件，此外，公司還有8個(gè)發(fā)明專利尚在申請受理中。
圖片來源：互動平臺截圖
公司目前有少量碳化硅器件的封測，該系列產(chǎn)品仍在持續(xù)研究推進(jìn)過程中，尚未進(jìn)入量產(chǎn)階段。公司下游客戶眾多并分散，且應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車、光伏及儲能等新能源行業(yè)市場空間巨大，公司重點(diǎn)拓展汽車電子、電源類及工業(yè)類市場，努力提高這幾個(gè)領(lǐng)域的產(chǎn)品占比，目前在新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用的產(chǎn)品銷售占比正逐步提升。
資料顯示，捷捷微電1995年成立、2017年創(chuàng)業(yè)板上市，公司專注功率半導(dǎo)體分立器件，覆蓋芯片到器件全流程，產(chǎn)品分四大類，應(yīng)用于消費(fèi)電子、汽車電子、工業(yè)控制、新能源等領(lǐng)域。
3、國聯(lián)萬眾碳化硅芯片晶圓工藝線升級為8英寸
1月20日，中瓷電子在互動平臺回答投資者提問時(shí)表示，子公司#國聯(lián)萬眾 碳化硅芯片晶圓工藝線經(jīng)過升級改造由6英寸升級為8英寸，目前已通線，處于產(chǎn)品升級及客戶導(dǎo)入階段，今后將有效提升國聯(lián)萬眾碳化硅功率產(chǎn)品的市場競爭力。
圖片來源：互動平臺截圖
中瓷電子是擁有氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、碳化硅功率模塊及其應(yīng)用、電子陶瓷等核心業(yè)務(wù)能力的高科技企業(yè)。
此外，中瓷電子還透露，子公司博威公司正在進(jìn)行兩項(xiàng)募投項(xiàng)目，分別是氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目和通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。這些項(xiàng)目目前處于建設(shè)階段，主要服務(wù)于5G通信、微波通信和衛(wèi)星通信等領(lǐng)域。公司表示，投資者可以通過其指定的信息披露平臺獲取項(xiàng)目的最新進(jìn)展。
4、晶升股份8英寸碳化硅長晶設(shè)備業(yè)務(wù)增長趨勢明確
1月19日，晶升股份在回答投資者提問時(shí)表示，隨著半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇，目前公司業(yè)務(wù)整體情況較去年呈現(xiàn)逐步改善的態(tài)勢。碳化硅方面的新增批量需求已由6英寸轉(zhuǎn)為8英寸，8英寸碳化硅長晶設(shè)備業(yè)務(wù)增長趨勢明確，已簽訂單及意向性訂單均有增加。
同時(shí)，AR眼鏡和先進(jìn)封裝中介層等其他下游新興應(yīng)用為12英寸碳化硅設(shè)備帶來了新的增量需求。另外，半導(dǎo)體硅方面推出多款產(chǎn)品，意向性訂單正與客戶緊密溝通并積極推動中。
圖片來源：互動平臺截圖
資料顯示，晶升股份成立于2012年，2023年科創(chuàng)板上市，專注半導(dǎo)體級晶體生長設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心為半導(dǎo)體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐。
晶升股份自2017年啟動碳化硅單晶爐研發(fā)，2018年首臺產(chǎn)品交付客戶，產(chǎn)品矩陣覆蓋6-12英寸，核心包括JSSD、SCET420、SCMP等系列PVT法碳化硅單晶爐及SCMP/LP系列TSSG法設(shè)備，適配導(dǎo)電型、半絕緣型襯底生長，8英寸SCMP系列已批量供應(yīng)三安光電、天岳先進(jìn)、比亞迪等頭部客戶。
5、精進(jìn)電動已向歐洲批量出口碳化硅控制器
1月19日，精進(jìn)電動在互動平臺回答投資者提問時(shí)表示，公司已向歐洲批量出口碳化硅控制器，用于歐洲重卡市場。另外公司有出口至歐洲的三合一產(chǎn)品配套客戶多個(gè)車型。為歐洲客戶開發(fā)的乘用車緊湊型三合一電驅(qū)動系統(tǒng)的開發(fā)工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)2027年投產(chǎn)。
圖片來源：互動平臺截圖
資料顯示，精進(jìn)電動成立于2008年，專注電驅(qū)動系統(tǒng)研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，自主掌握驅(qū)動電機(jī)、控制器、傳動總成及軟件控制核心技術(shù)，提供“三合一”電驅(qū)動總成等系統(tǒng)級解決方案，覆蓋乘用車、商用車及非汽車新能源領(lǐng)域。
在碳化硅領(lǐng)域，精進(jìn)電動核心聚焦800V高壓平臺SiC控制器研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，自主掌握全棧技術(shù)并采用國產(chǎn)自主可控車規(guī)級芯片，推出功率可達(dá)300kW、最高效率99.6%的SiC控制器及集成化三合一電驅(qū)系統(tǒng)。
產(chǎn)能方面，山東菏澤基地二期年產(chǎn)30萬臺碳化硅及硅基控制器項(xiàng)目于2025年啟動建設(shè)并分階段投產(chǎn)，2025年8月已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
6、時(shí)代電氣：當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型
1月16日，時(shí)代電氣在互動平臺回答投資者提問時(shí)表示，當(dāng)前公司SiC第四代溝槽柵產(chǎn)品已完成設(shè)計(jì)定型，達(dá)行業(yè)先進(jìn)水平，第五代SiC技術(shù)也已完成布局。
目前SiC重點(diǎn)產(chǎn)品包括3300V高壓平面柵SiC MOSFET、1200V精細(xì)平面柵SiC MOSFET，1200V SBD等，1200V溝槽柵SiC MOSFET性能指標(biāo)基本對標(biāo)國際龍頭企業(yè)。
公司SiC MOSFET覆蓋650V-6500V電壓等級，適合高頻/大功率密度系統(tǒng)要求，可廣泛應(yīng)用于新能源汽車、不間斷電源（UPS）、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、鐵路運(yùn)輸、工業(yè)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。
圖片來源：互動平臺截圖
7、結(jié)語
此次國聯(lián)萬眾8英寸碳化硅芯片晶圓工藝線通線、晶升股份8英寸長晶設(shè)備批量供應(yīng)頭部客戶、精進(jìn)電動實(shí)現(xiàn)碳化硅控制器歐洲批量出口，以及時(shí)代電氣第四代溝槽柵產(chǎn)品完成設(shè)計(jì)定型，集中展現(xiàn)了國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈從設(shè)備、芯片到終端應(yīng)用的階段性突破。
未來，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)將逐步夯實(shí)規(guī)?；偁幓A(chǔ)，進(jìn)一步銜接新能源汽車、通信等下游市場需求，推動產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)協(xié)同升級。
（集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理）
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