近期，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)迎來密集且扎實的突破，龍頭企業(yè)三安光電披露12吋碳化硅襯底送樣、產(chǎn)線稼動率提升等多項進展，中電科、晶馳機電、創(chuàng)銳光譜等企業(yè)也在襯底、設備等領域接連突破，全行業(yè)多點開花、協(xié)同發(fā)力，國產(chǎn)化進程全面提速。

三安光電接連披露碳化硅業(yè)務多項重要進展

產(chǎn)線運營層面，三安光電明確表示，公司碳化硅芯片產(chǎn)線稼動率已逐步提升。稼動率的穩(wěn)步回升，標志著公司碳化硅芯片產(chǎn)能利用率持續(xù)優(yōu)化，生產(chǎn)效率與規(guī)?；芰Φ玫竭M一步釋放，能夠更好地匹配下游市場日益增長的需求，為后續(xù)業(yè)務放量奠定堅實基礎。

核心技術(shù)研發(fā)領域，公司12吋碳化硅襯底已正式向客戶送樣驗證。相較于當前主流的6吋、8吋襯底，12吋襯底可顯著提升芯片制造效率、降低單位成本，是碳化硅技術(shù)規(guī)模化應用的關(guān)鍵突破。此次送樣驗證，意味著三安光電在大尺寸碳化硅襯底領域的技術(shù)可達到客戶驗證標準。

三安光電還表示，公司已發(fā)布首代溝槽MOSFET技術(shù)平臺，目前處于送樣階段，該技術(shù)平臺依托溝槽工藝優(yōu)勢，具備開關(guān)速度快、可靠性高、驅(qū)動功率小等特點，可廣泛應用于電機調(diào)速、開關(guān)電源等多個領域。

此外，三安光電提到，公司磷化銦外延和EML產(chǎn)品良率水平處于國內(nèi)領先地位，且正在持續(xù)提升中。其中磷化銦作為光通信、量子計算等領域的核心材料，EML產(chǎn)品則是實現(xiàn)800G、1.6T高速光模塊的核心光源。

下游應用落地方面，三安光電表示，湖南三安主驅(qū)逆變器用SiC MOSFET已在國內(nèi)頭部電動車企客戶處通過驗證，正式成為其合格供應商。SiC MOSFET作為新能源汽車主驅(qū)逆變器的核心器件，具有開關(guān)損耗低、功率密度高、耐高溫性強等顯著優(yōu)勢，是新能源汽車800V高壓平臺的核心適配器件。

國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)多點突破，國產(chǎn)化進程再提速

當前國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)多點突破、協(xié)同發(fā)展的良好態(tài)勢，同行業(yè)企業(yè)亦加速發(fā)力。

山西爍科晶體已成功研制全球首片12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底，打破國際技術(shù)壁壘，目前正推進年產(chǎn)百萬片級碳化硅單晶襯底項目落地。

今年1月，中電科半導體材料有限公司披露，其8英寸碳化硅襯底已通過國內(nèi)外頭部芯片廠家和下游企業(yè)應用驗證，并實現(xiàn)穩(wěn)定供貨，6英寸產(chǎn)品已批量投放市場。

隨后2月，露笑科技也宣布首次制備出12英寸碳化硅單晶樣品，完成從長晶到襯底全流程工藝的開發(fā)測試。

2月27日，揚帆半導體科技有限公司宣布，其自主研發(fā)的12英寸碳化硅（SiC）RCA刷洗一體機正式交付客戶。

在3月1日，據(jù)晶馳機電官方公眾號消息顯示，晶馳機電已陸續(xù)收到多個客戶現(xiàn)場SAT（現(xiàn)場驗收測試）驗收通知。在連續(xù)多輪的SAT工藝驗證中，晶馳機電12英寸晶體長晶爐展現(xiàn)出優(yōu)異的重復性與可靠性，各項數(shù)據(jù)均達到客戶驗收標準，具備快速導入產(chǎn)線量產(chǎn)的能力。

3月3日，創(chuàng)銳光譜宣布，借助Dispec-9000碳化硅襯底位錯缺陷無損檢測設備，公司成功實現(xiàn)了12英寸導電型碳化硅襯底位錯缺陷的無損檢測。

未來，在政策支持與下游新能源汽車、光伏儲能、光通信等領域旺盛需求的驅(qū)動下，我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)有望迎來高質(zhì)量發(fā)展期，持續(xù)賦能各類戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)升級。

（集邦化合物半導體 林曉 整理）

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