近日，珠海鎵未來科技有限公司Gen3技術平臺650/700V系列場效應晶體管（FET）正式宣布全面推廣上市。

圖片來源：鎵未來

鎵未來公司指出，該系列產品將從器件可靠性、效率最大化、應用集成度等方面重新定義功率半導體性能邊界，其核心突破將為消費電子、新能源汽車、光伏逆變器等多領域帶來革命性的能效躍升。

據(jù)悉，Gen3技術平臺采用創(chuàng)新柵極設計，實現(xiàn)所有寬禁帶器件中最強的柵極魯棒性，柵極驅動簡單且與傳統(tǒng)Si MOSFET完全兼容。這一特性使現(xiàn)有產線無需大規(guī)模改造即可實現(xiàn)技術升級，顯著降低客戶導入成本。

Gen3技術平臺實現(xiàn)同規(guī)格產品最低的反向電壓降特性，較行業(yè)平均水平降低25%，顯著減少續(xù)流損耗。在高頻開關應用中，這一優(yōu)勢可使整體系統(tǒng)效率提升0.3-0.5個百分點，特別適用于新能源汽車主逆變器和高頻DC/DC轉換器。

通過引入新工藝設備，Gen3平臺成功攻克了老產線的制造桎梏。公司采用更緊湊的互連結構與低延遲柵極優(yōu)化布線，顯著降低了互連部分占地面積。憑借工藝與結構的協(xié)同創(chuàng)新，平臺DPW相對提升33%，F(xiàn)OM相對優(yōu)化15%，達成了更小尺寸與更強性能的統(tǒng)一。

在最大輸出功率約7700W的嚴苛條件下，相同 Rds(on) 器件實測溫升降低8.6℃，相對降幅高達66%。顯著提升系統(tǒng)在持續(xù)高功率運行時的穩(wěn)定性和壽命。

Gen3技術平臺提供全面的封裝解決方案，覆蓋從消費電子到工業(yè)級應用的全場景需求：

支持包含TO-247-3/4L、TO-220、TO-252-3/4L、DFN8x8-8L、PQFN8x8-2L、TOLL、TOLT、TO-247PLUS-4L、QDPAK等全系列近20種封裝。

Gen3技術平臺已覆蓋多個戰(zhàn)略領域，消費電子領域，鎵未來已與聯(lián)想、大疆、LG、惠普、臺達、小米等多家PD快充適配器頭部企業(yè)達成量產合作，助力多款適配器走進用戶生活。

工業(yè)與能源領域，鎵未來憑借業(yè)界首款3.6kW雙向儲能逆變器及效率高達98%的3kW通訊電源等成果，奠定了在工業(yè)與能源領域的穩(wěn)固地位。

交通電動化領域，鎵未來G3E65R009系列——全球Rdson最小的650V氮化鎵分立器件，IDS (pulse) 實測可達1500A，是全球通流能力最大的GaN分立器件，目前已與多家頭部車廠及供應商開啟研發(fā)驗證。

此外，鎵未來Gen3系列產品的應用已廣泛覆蓋LED照明、高性能計算、家電與電機等多個領域。同時，面對AI等智能化領域的快速發(fā)展，公司正通過持續(xù)的技術迭代與產業(yè)升級，積極開拓新的合作機會與技術切入點。

（集邦化合物半導體整理）

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