近期，國產(chǎn)功率半導體“三線”齊傳捷報：株洲中車53億元8英寸SiC晶圓線正式通線，年增36萬片產(chǎn)能；寧波比亞迪24萬片SiC芯片技改項目通過驗收，1200V溝槽柵MOSFET量產(chǎn)在即；東臺富樂華10億元高導熱陶瓷基板項目主體封頂，180萬片/年封裝材料產(chǎn)線落地。
中車中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設項目通線
12月26日，株洲中車舉行中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設項目通線儀式，標志著國內(nèi)又一條8英寸碳化硅（SiC）功率器件晶圓線進入量產(chǎn)階段，年產(chǎn)能新增36萬片，將顯著緩解電動汽車、光伏逆變器、充電樁等下游市場對國產(chǎn)高端功率半導體的需求缺口。
圖片來源：湖南省半導體行業(yè)協(xié)會
該項目總投資53億元，從2025年1月全面施工，至今僅用11個月完成建設到通線，被湖南省列為2025年“十大產(chǎn)業(yè)項目”之一。其新征用地約266畝，新建生產(chǎn)調(diào)度樓、生產(chǎn)廠房、動力廠房等建筑超8萬平方米，達產(chǎn)后將新增年產(chǎn)36萬片碳化硅功率器件產(chǎn)能（8 英寸等效片）。
該項目重點突破精細光刻、溝槽刻蝕、高溫柵氧、高溫離子注入、大尺寸SiC減薄五大核心工藝技術，不僅可滿足第三代、第四代碳化硅產(chǎn)品的規(guī)?；慨a(chǎn)需求，更前瞻布局第五代、第六代技術研發(fā)，持續(xù)引領行業(yè)技術創(chuàng)新。
公開資料顯示，中車時代電氣是中國中車旗下股份制企業(yè)，成立于2005年，目前已形成了“基礎器件+裝置與系統(tǒng)+整機與工程”的完整產(chǎn)業(yè)鏈結構，產(chǎn)業(yè)涉及軌道交通、新能源發(fā)電、汽車電驅(qū)等領域。
技術層面，公司完成第四代溝槽柵SiC MOSFET定型，11mΩ/7mΩ芯片性能指標達到國際領先水平；首次實現(xiàn)車規(guī)級SiC模塊小批量交付，并突破SiC動態(tài)特性及可靠性底層技術。
市場層面，宜興三期功率半導體基地6月底已達設計產(chǎn)能，中低壓器件出貨量居國內(nèi)新能源車主驅(qū)、光伏逆變器前列；320kW組串式光伏逆變器、2500kW液冷儲能變流器實現(xiàn)批量應用；傳感器業(yè)務接近2023年同期水平，汽車傳感獲得多個新定點。
比亞迪半導體寧波SiC芯片項目通過驗收
近期，寧波比亞迪半導體有限公司對外公示了新型功率半導體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級項目竣工環(huán)境保護驗收相關文件。
圖片來源：公示截圖
“新型功率半導體芯片產(chǎn)業(yè)化及升級項目”已于2025年11月通過竣工環(huán)保驗收。技改后寧波基地形成24萬片/年SiC等新型功率半導體（含TVS、SBD、PD、CMOS等）產(chǎn)能，同時保留7.8萬片IGBT+7.8萬片F(xiàn)RD作為混合產(chǎn)能，總投資7.44億元。
寧波海關披露，公司2月啟動1200V溝槽柵SiC MOSFET晶圓保稅研發(fā)；項目負責人稱“研發(fā)片一旦通過檢測即可迅速轉(zhuǎn)量產(chǎn)”，配套產(chǎn)線升級完成后目標月產(chǎn)1萬片（折合年12萬片）。這意味著寧波廠未來SiC產(chǎn)能仍有翻倍空間。
驗收報告列出已導入的干法刻蝕機、柵氧氧化爐、高溫退火爐等關鍵設備，主材為6英寸SiC晶圓，目前“主體設施和環(huán)保設施運行穩(wěn)定”，標志著6英寸SiC芯片進入常態(tài)化生產(chǎn)。
綜上，寧波比亞迪半導體2025年已完成從“IGBT+FRD”向“SiC為主、硅基補充”的產(chǎn)品結構切換，24萬片/年SiC產(chǎn)能率先釋放，1200V溝槽柵MOSFET有望于2026年進一步放量，為比亞迪全系新能源車型提供主驅(qū)逆變器核心芯片。
江蘇東臺富樂華高導熱陶瓷基板項目主體封頂
據(jù)東臺融媒、富樂華半導體官方消息，12月23日，江蘇富樂華半導體科技股份有限公司在鹽城東臺高新區(qū)投資建設的高導熱大功率濺射陶瓷基板項目主體結構正式封頂。
圖片來源：富樂華半導體
據(jù)悉，該項目規(guī)劃總投資10億元，其中一期項目投資31833.27萬元，新增用地約80.8畝，新增建筑面積約74000平方米，一期項目引進國內(nèi)外先進的磁控濺射機、自動敷膠機、光刻機、全自動顯景機、電鍍銅線、電鍍鎳金線、自動拋光機、自動光學檢測設備、超聲掃描設備等約200臺/套，建設年產(chǎn)180萬片高導熱大功率濺射陶基板自動化生產(chǎn)線。
高導熱大功率濺射陶瓷基板具有優(yōu)良的導熱性、高絕緣性、大電流承載能力、高附著強度等優(yōu)點，正成為高端功率半導體封裝的核心材料。
項目全面建成后，將會大幅優(yōu)化富樂華公司在功率半導體器件領域的產(chǎn)品結構，增強公司盈利能力，進一步提高公司在激光熱沉產(chǎn)品、熱電制冷產(chǎn)品、激光雷達和光通訊等領域的競爭優(yōu)勢。
（集邦化合物半導體 竹子 整理）
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