2月5日，全球功率半導(dǎo)體龍頭英飛凌正式發(fā)布漲價(jià)函，宣布自4月1日起上調(diào)功率開(kāi)關(guān)與集成電路產(chǎn)品價(jià)格，覆蓋當(dāng)日起下達(dá)的所有新訂單，以及4月1日后安排發(fā)貨的未交付訂單。
據(jù)其官方告知函顯示，受人工智能專(zhuān)用數(shù)據(jù)中心落地部署推動(dòng)，公司多款功率開(kāi)關(guān)器件及集成電路產(chǎn)品需求大幅增長(zhǎng)，出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
同時(shí)，為滿足持續(xù)攀升的市場(chǎng)需求，英飛凌需追加巨額投資以提升晶圓廠產(chǎn)能，疊加原材料及基礎(chǔ)設(shè)施成本顯著上漲，內(nèi)部增效已無(wú)法獨(dú)立承擔(dān)此類(lèi)成本壓力，因此決定與客戶共同分擔(dān)，且已將調(diào)價(jià)幅度控制在最低水平。相關(guān)調(diào)價(jià)細(xì)節(jié)將由英飛凌專(zhuān)屬客戶經(jīng)理與客戶逐一溝通說(shuō)明。
圖片來(lái)源：英飛凌
英飛凌的漲價(jià)動(dòng)作，成為全球功率半導(dǎo)體漲價(jià)潮的重要信號(hào)。截至目前，國(guó)內(nèi)外已有多家功率半導(dǎo)體企業(yè)明確發(fā)布漲價(jià)通知或官宣調(diào)價(jià)計(jì)劃，涵蓋國(guó)際大廠與國(guó)內(nèi)本土企業(yè)。
圖片來(lái)源：集邦化合物半導(dǎo)體制圖
01、成本承壓與需求驅(qū)動(dòng)成漲價(jià)核心成因
近期全球功率半導(dǎo)體企業(yè)接連漲價(jià)，并非偶然，而是行業(yè)供需格局、成本壓力及產(chǎn)業(yè)鏈傳導(dǎo)共同作用的結(jié)果，其漲價(jià)邏輯與功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的特性深度綁定。
從漲價(jià)核心成因來(lái)看，首要驅(qū)動(dòng)力是成本端的持續(xù)承壓，這也是貫穿全產(chǎn)業(yè)鏈的共性因素。
一方面，大宗商品價(jià)格上漲直接推高生產(chǎn)成本，如羅姆提及的金價(jià)上漲、芯控源強(qiáng)調(diào)的原材料漲價(jià)，以及封裝環(huán)節(jié)中銅、鋁等金屬材料價(jià)格攀升，其中封裝成本在中小功率器件總成本中占比高達(dá)70%-80%，受沖擊顯著。
另一方面，晶圓代工產(chǎn)能緊張推高代工成本，臺(tái)積電、三星等頭部晶圓廠逐步退出8英寸晶圓成熟制程，中芯國(guó)際、華虹等國(guó)內(nèi)代工企業(yè)則將更多產(chǎn)能傾斜至存儲(chǔ)芯片，導(dǎo)致功率器件代工資源緊張，市場(chǎng)化定價(jià)水漲船高，進(jìn)一步疊加了企業(yè)的成本壓力。
其次，需求端的結(jié)構(gòu)性增長(zhǎng)為漲價(jià)提供了支撐。
隨著AI數(shù)據(jù)中心、新能源車(chē)、儲(chǔ)能、工業(yè)控制等下游領(lǐng)域的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求持續(xù)攀升，尤其是AI服務(wù)器的爆發(fā)式增長(zhǎng)，成為重要的需求增量。
傳統(tǒng)服務(wù)器功率約800W，而AI服務(wù)器已普遍采用5.5kW標(biāo)配，并向12kW演進(jìn)。據(jù)行業(yè)信息，單臺(tái)功率器件價(jià)值從6-7美元躍升至30-50美元，提升近5倍，直接帶動(dòng)功率開(kāi)關(guān)、電源管理芯片等產(chǎn)品的需求激增，部分型號(hào)甚至出現(xiàn)缺貨現(xiàn)象，為企業(yè)漲價(jià)提供了市場(chǎng)基礎(chǔ)。
同時(shí)，汽車(chē)電子、儲(chǔ)能領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展，也進(jìn)一步放大了功率半導(dǎo)體的需求缺口，支撐價(jià)格上行。
02、漲價(jià)聯(lián)動(dòng)，第三代半導(dǎo)體迎發(fā)展新契機(jī)
再進(jìn)一步分析來(lái)看，對(duì)第三代半導(dǎo)體來(lái)說(shuō)，功率半導(dǎo)體大廠的漲價(jià)也會(huì)對(duì)其產(chǎn)生深遠(yuǎn)且多維的影響。
目前第三代半導(dǎo)體普及的最大障礙是其高于傳統(tǒng)硅基（Si）器件的單體成本。當(dāng)英飛凌、TI等巨頭提高傳統(tǒng)硅基功率器件（如IGBT、MOSFET）的價(jià)格時(shí)，原本低廉的硅基產(chǎn)品與昂貴的SiC/GaN之間的價(jià)格差距會(huì)相應(yīng)縮小。
那么對(duì)于下游客戶（如新能源車(chē)企、服務(wù)器廠商）而言，如果硅基器件漲價(jià)，而第三代半導(dǎo)體通過(guò)規(guī)?；a(chǎn)正在降價(jià)，因此切換到高性能SiC/GaN的系統(tǒng)級(jí)性價(jià)比將大幅提升，有望加速市場(chǎng)從第一代向第三代切換。
其次，功率半導(dǎo)體廠商的漲價(jià)也會(huì)促使下游企業(yè)重新審視成本結(jié)構(gòu)。
雖然SiC器件本身較貴，但由于其耐高溫、高壓的特性，可以顯著減小散熱器和被動(dòng)元件的體積。當(dāng)傳統(tǒng)功率器件漲價(jià)時(shí)，車(chē)企或許會(huì)傾向于使用SiC來(lái)通過(guò)減輕車(chē)重、縮減電池包容量來(lái)抵消芯片端的漲價(jià)壓力。
而在AI服務(wù)器電源市場(chǎng)，傳統(tǒng)硅基電源漲價(jià)會(huì)促使廠商轉(zhuǎn)向效率更高的GaN方案，以通過(guò)降低PUE（能耗指標(biāo)）和減少電費(fèi)開(kāi)支來(lái)實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期運(yùn)營(yíng)成本的降低。
03、結(jié)語(yǔ)
綜上，以英飛凌為主的功率半導(dǎo)體漲價(jià)潮，并非單一企業(yè)的成本轉(zhuǎn)嫁行為，而是行業(yè)供需失衡、成本攀升、技術(shù)迭代多重因素共振的必然結(jié)果，更是全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入結(jié)構(gòu)調(diào)整期的重要信號(hào)。
從長(zhǎng)期來(lái)看，此次漲價(jià)潮不僅加速了國(guó)產(chǎn)硅基功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代進(jìn)程，更成為第三代半導(dǎo)體突破成本瓶頸、實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用的重要催化劑，推動(dòng)行業(yè)向高效、節(jié)能、小型化的高端領(lǐng)域轉(zhuǎn)型。
（集邦化合物半導(dǎo)體 林曉 整理）
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