2026年全國(guó)兩會(huì)期間，全國(guó)人大代表、中國(guó)科學(xué)院院士郝躍就集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來(lái)相關(guān)建議。

郝躍聚焦集成電路和半導(dǎo)體芯片的底層技術(shù)與優(yōu)勢(shì)領(lǐng)域。他指出，“十五五”是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)從跟隨轉(zhuǎn)向引領(lǐng)的關(guān)鍵期。我國(guó)在第三代半導(dǎo)體（氮化鎵、碳化硅等）、第四代半導(dǎo)體（氧化鎵、金剛石等）及光子芯片等領(lǐng)域已具備較好國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，極有可能在細(xì)分賽道實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)跑。

郝躍認(rèn)為，第三代半導(dǎo)體（氮化鎵、碳化硅 等）、第四代半導(dǎo)體（如氧化鎵、金剛石、氮化鋁等超寬禁帶半導(dǎo)體）、光子芯片、低維半導(dǎo)體信息材料與器件等領(lǐng)域，目前我國(guó)已具備較好的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力，只要持續(xù)發(fā)力，極有可能在細(xì)分賽道上實(shí)現(xiàn)全球領(lǐng)跑。

郝躍特別強(qiáng)調(diào)，我國(guó)掌握著全球95%以上的鎵資源，這是其他國(guó)家不具備的產(chǎn)業(yè)籌碼。他建議依托這一稀有資源稟賦，推動(dòng)化合物半導(dǎo)體、光電顯示、新型傳感器等產(chǎn)業(yè)形成規(guī)模化的高競(jìng)爭(zhēng)力全球布局。

同時(shí)，郝躍認(rèn)為當(dāng)前產(chǎn)業(yè)支持機(jī)制存在一定短板，比如集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（大基金）的投資風(fēng)格偏謹(jǐn)慎，資金更多流向較成熟期或臨近上市的企業(yè)，屬于“錦上添花”，而新興領(lǐng)域支持不足。比如對(duì)第四代半導(dǎo)體、低維材料和新型存儲(chǔ)器等領(lǐng)域可加大支持力度。對(duì)此，郝躍建議，針對(duì)那些我國(guó)已有技術(shù)優(yōu)勢(shì)的方向，加大投入、加速轉(zhuǎn)化，“既要‘錦上添花’，更需要‘雪中送炭’”。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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