近日，日本廠商Novel Crystal Technology宣布，將于2026年3月開始向全球客戶交付150毫米（6英寸）氧化鎵（β-Ga?O?）單晶襯底樣品。

此前，該領(lǐng)域的商業(yè)供應(yīng)主要局限于100毫米（4英寸）及以下尺寸，而150毫米則是當(dāng)前全球功率半導(dǎo)體主流生產(chǎn)線（如碳化硅產(chǎn)線）的標(biāo)準(zhǔn)物理規(guī)格。

NCT成功實現(xiàn)這一尺寸的跨越，意味著下游功率器件制造商無需進(jìn)行大規(guī)模的設(shè)備更替，即可利用現(xiàn)有的6英寸晶圓加工配套設(shè)施進(jìn)行氧化鎵器件的規(guī)模化試制與量產(chǎn)準(zhǔn)備。

氧化鎵作為一種超寬禁帶材料，其物理特性在電力電子領(lǐng)域極具競爭力。其禁帶寬度約為4.5至4.9eV，遠(yuǎn)超硅（Si）和碳化硅（SiC），這賦予了材料極高的擊穿電場強度和極低的能量損耗。在同等耐壓水平下，氧化鎵器件理論上能實現(xiàn)比碳化硅更小的芯片尺寸和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。

更重要的是，氧化鎵支持從熔體中直接生長（Melt-growth method），相比于生長環(huán)境嚴(yán)苛且極其緩慢的碳化硅，其在大規(guī)模生產(chǎn)中的成本優(yōu)勢和產(chǎn)能擴張潛力被業(yè)界寄予厚望。

根據(jù)NCT公布的最新戰(zhàn)略路線圖，公司在開啟150毫米襯底樣品的交付后，計劃于2027年推出配套的150毫米氧化鎵外延片。

此外，為進(jìn)一步優(yōu)化成本結(jié)構(gòu)，NCT正在研發(fā)更為先進(jìn)的液滴饋入生長法工藝，旨在通過消除對昂貴銥金坩堝的依賴，在2029年實現(xiàn)150毫米晶圓的低成本全面量產(chǎn)。放眼未來，NCT設(shè)定了在2035年左右供應(yīng)200毫米（8英寸）襯底的遠(yuǎn)景目標(biāo)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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