據(jù)上海松江官方消息，位于上海松江綜保區(qū)的尼西半導體科技（上海）有限公司已正式建成全球首條35微米功率半導體超薄晶圓工藝及封裝測試生產(chǎn)線，標志著我國在功率半導體超薄晶圓制造及先進封裝領域?qū)崿F(xiàn)關鍵突破，填補了國內(nèi)相關技術與產(chǎn)能空白。

圖片來源：上海松江

據(jù)悉，該生產(chǎn)線整合了晶圓鍵合、研磨減薄、激光切割、封裝測試全流程環(huán)節(jié)，是全球首個實現(xiàn)35微米功率半導體超薄晶圓規(guī)?；慨a(chǎn)的一體化產(chǎn)線，由尼西半導體主導建設，作為美商#萬國半導體（AOS）在華核心生產(chǎn)基地的重要升級項目，實現(xiàn)了從晶圓加工到成品測試的全鏈條高效協(xié)同生產(chǎn)。

35微米超薄晶圓厚度僅為普通頭發(fā)絲直徑的一半，加工難度極高，晶圓厚度降至50微米以下后易脆易損，對加工精度、應力控制等核心技術提出嚴苛要求。通過與設備供應商聯(lián)合攻關，該產(chǎn)線成功將晶圓加工精度控制在35±1.5微米，采用化學腐蝕工藝消除92%的研磨應力損傷，將碎片率控制在0.1%以內(nèi)；切割環(huán)節(jié)采用定制化激光技術替代傳統(tǒng)刀片，大幅縮小熱影響區(qū)，切割良率達到98.5%，攻克了超薄晶圓加工的行業(yè)核心難題。

產(chǎn)線配備全套專用生產(chǎn)設備，其中鍵合機對位誤差控制在120微米以內(nèi)，單日產(chǎn)能約400片；研磨機加工精度達0.1微米，片內(nèi)厚度偏差小于2微米；激光切割機切縫寬度僅11微米，相較傳統(tǒng)刀片切割可提升約10%的芯片有效面積利用率；測試環(huán)節(jié)單日產(chǎn)出可達12萬顆成品，具備規(guī)模化商業(yè)化生產(chǎn)能力。值得關注的是，產(chǎn)線中的鍵合、研磨、切割及解鍵合等核心裝備，均由尼西半導體與國內(nèi)設備廠商聯(lián)合研發(fā)，實現(xiàn)了核心裝備自主可控，填補了國內(nèi)相關制造領域的應用空白。

該產(chǎn)線的建成投產(chǎn)，將大幅降低功率芯片的導通電阻與熱阻，使載流子通行時間縮短40%，熱阻較傳統(tǒng)100微米標準晶圓下降60%，配合雙面散熱封裝設計，可使模塊熱阻再降30%，功率循環(huán)壽命提升5倍，顯著提升功率器件的能效與散熱性能，主要面向新能源汽車、5G基站等高功率密度應用場景，為國產(chǎn)功率器件進入高壓平臺、快充等市場提供量產(chǎn)底座。

上海松江官方相關信息顯示，該產(chǎn)線的落地不僅打破了國外在超薄晶圓領域的長期技術壟斷，更實現(xiàn)了國產(chǎn)先進封裝工藝的跨越式升級，成為我國半導體產(chǎn)業(yè)攻堅高端領域的關鍵里程碑，將加速國產(chǎn)高端功率芯片替代進程，為國內(nèi)半導體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展注入強勁動力。

公開資料顯示，尼西半導體科技（上海）有限公司成立于2007年，是美商萬國半導體（AOS）在中國設立的主要半導體生產(chǎn)基地之一，由萬國半導體（香港）股份有限公司全資控股，此次產(chǎn)線建成將進一步強化其在功率半導體制造領域的核心競爭力。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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