近日，蘇州晶和半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“晶和半導(dǎo)體”）宣布完成天使輪融資。本輪融資由季華璀璨投資、恒越創(chuàng)投、源慧投資、蘇州納維科技及荷塘創(chuàng)投聯(lián)合投資，具體融資金額未披露。

公開資料顯示，晶和半導(dǎo)體成立于2024年12月24日，是一家專注于半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造與電子專用材料研發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。公司致力于提供先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備解決方案，并開展相關(guān)技術(shù)進(jìn)出口業(yè)務(wù)。其專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料異質(zhì)集成與高丹裝備自主研發(fā)，核心產(chǎn)品聚焦第一至四代半導(dǎo)體的常溫鍵合設(shè)備，致力于打造全球領(lǐng)先的異質(zhì)材料集成技術(shù)平臺(tái)。

公司致力于構(gòu)建“設(shè)備-工藝-服務(wù)”三位一體的商業(yè)模式，通過提供定制化鍵合裝備解決方案和配套工藝開發(fā)技術(shù)服務(wù)，打造異質(zhì)集成國(guó)產(chǎn)裝備標(biāo)桿。

公司自主研發(fā)的金剛石基GaN晶圓常溫鍵合系統(tǒng)，創(chuàng)新性地解決了金剛石、GaN、SiC等高熱導(dǎo)材料鍵合過程中的熱膨脹系數(shù)失配、界面熱阻高和良率低等關(guān)鍵技術(shù)難題，其性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

2025年5月，公司還向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“一種金剛石的拋光方法、低表面粗糙度的金剛石和應(yīng)用”的專利，公開號(hào)為CN120533550A。該專利通過在金剛石的粗糙面上形成硬度小于金剛石的待處理層后再進(jìn)行拋光，突破了傳統(tǒng)金剛石研磨拋光工藝的高難度和高成本瓶頸。

本次融資將主要用于晶和半導(dǎo)體的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品迭代及市場(chǎng)拓展。投資方對(duì)晶和半導(dǎo)體的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)前景表示高度認(rèn)可，并期待通過此次合作，共同推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。