11月4日，環(huán)球晶（GlobalWafers）宣布，公司在核心技術(shù)研發(fā)上取得重大突破：其方形碳化硅（SiC）晶圓以及具有里程碑意義的12英寸碳化硅（SiC）晶圓的原型開發(fā)已成功完成，并已正式進(jìn)入客戶送樣與驗證階段。

環(huán)球晶此次原型產(chǎn)品的成功，旨在迎合電動汽車（EV）、再生能源和高功率工業(yè)電源等市場對高效能功率元件的迫切需求。

圖片來源：環(huán)球晶官網(wǎng)新聞稿截圖

在業(yè)績說明會上，環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，相對于全球多數(shù)SiC廠商仍在努力解決8英寸晶圓的良率和商業(yè)化問題，環(huán)球晶直接挑戰(zhàn)行業(yè)極限，成功研發(fā)出12英寸SiC晶圓原型，具有巨大的戰(zhàn)略意義。

她表示，12英寸晶圓的核心價值在于能夠切割出更多芯片，從而顯著攤薄制造成本，是SiC器件實現(xiàn)大規(guī)模商業(yè)化和成本下降的關(guān)鍵；同時，更大的尺寸也具備優(yōu)異的導(dǎo)熱性，能更好地支持高功率應(yīng)用對高效率、高功率密度的需求。

環(huán)球晶的SiC發(fā)展戰(zhàn)略布局已久，并逐步實現(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點的超越。公司憑借其從晶錠到成品晶圓的垂直整合能力，建立了SiC長晶、切片、研磨到拋光的全套制程。早在2023年，環(huán)球晶就已成功將碳化硅長晶技術(shù)推進(jìn)至8英寸，與國際大廠同步。

環(huán)球晶公司預(yù)計，8英寸SiC產(chǎn)品將于2024年第四季開始小批量出貨，2026年8英寸總出貨量比重將超越6英寸。

圖片來源：環(huán)球晶

該公司正同步加速全球范圍內(nèi)的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)能擴(kuò)張。除了推進(jìn)8英寸SiC的量產(chǎn)進(jìn)程外，環(huán)球晶亦持續(xù)深化切割、研磨與拋光等核心制程技術(shù)。另外，除了碳化硅，氮化鎵技術(shù)也是環(huán)球晶重點聚焦的新材料之一，氮化鎵因其高電子飽和遷移率特性，搭配半絕緣碳化硅基板，在高頻通訊元件上也具備極佳的應(yīng)用優(yōu)勢。

在公布技術(shù)突破的同時，環(huán)球晶亦通過了截至2025年9月30日止的第三季財務(wù)報告。第三季合并營收為新臺幣144.9億元，相較上季季減9.46%、年減8.67%，稅后每股盈余（EPS）為4.12元。

營收下滑主要有兩個原因：一是部分客戶為降低不確定性風(fēng)險而提前在第二季出貨，導(dǎo)致第三季基期偏高；二是今年以來新臺幣兌美元顯著升值，對以新臺幣計價的營收造成明顯的壓抑效應(yīng)。公司強(qiáng)調(diào)，若以美元原幣計算，前三季累計營收達(dá)14.8億美元，較去年同期仍成長2.45%。這表明盡管新臺幣賬面營收承壓，但公司的美元實質(zhì)運(yùn)營仍維持穩(wěn)健。前三季累計來看，公司營收達(dá)461億元，EPS累計為10.68元。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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