3月18日晚間，長光華芯發(fā)布公告稱，公司全資子公司蘇州長光華芯半導體激光創(chuàng)新研究院有限公司（下稱“研究院”）擬出資800萬元，認購關聯(lián)方蘇州星沅光電科技有限公司（下稱“星沅光電”）新增注冊資本62.5萬元。本次增資構成關聯(lián)交易，已履行相關審議程序。

公告顯示，星沅光電本輪總增資2400萬元，除研究院外，另有3家機構合計出資1600萬元。增資前，研究院持有星沅光電20%股權；增資完成后，其持股比例將提升至23.07%，星沅光電注冊資本將由625萬元增至812.5萬元，其他股東均放棄優(yōu)先認購權。

圖片來源：長光華芯公告截圖

此次增資的核心關聯(lián)的是化合物半導體賽道。公告明確，星沅光電核心業(yè)務為高端磷化銦（InP）激光器芯片、器件及模塊的研發(fā)生產(chǎn)，而磷化銦是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的重要品類，與長光華芯主業(yè)的砷化鎵（GaAs）同屬化合物半導體材料體系。

長光華芯采用IDM模式進行半導體激光芯片的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，構建了砷化鎵、磷化銦等五大材料體系，建立了邊發(fā)射和面發(fā)射兩大工藝技術和制造平臺，是全球少數(shù)幾家具備6寸線外延、晶圓制造等關鍵制程生產(chǎn)能力的IDM半導體激光器企業(yè)之一。

長光華芯表示，公司本次向關聯(lián)方增資系為了保障星沅光電的產(chǎn)線建設與日常運營資金需求，加快開發(fā)高端磷化銦激光器芯片、器件及相關模塊、子系統(tǒng)，提升公司核心競爭力。

據(jù)悉，磷化銦具有優(yōu)異的光電特性，是AI數(shù)據(jù)中心高速光通信、激光雷達等領域的核心材料，屬于當前高景氣的化合物半導體賽道。長光華芯通過本次增資，實現(xiàn)從成熟GaAs激光芯片向高增長InP芯片的延伸，完善化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈布局，助力國產(chǎn)高端光芯片替代。

（集邦化合物半導體整理）

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