文章分類： 企業(yè)

京東方華燦擬5500萬(wàn)元向北方華創(chuàng)采購(gòu)Micro LED相關(guān)設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 26 日 16:46 |
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12月22日，京東方華燦發(fā)布公告稱，公司全資子公司華燦光電（廣東）有限公司（以下簡(jiǎn)稱廣東華燦）和華燦光電（浙江）有限公司（以下簡(jiǎn)稱浙江華燦）擬使用募集資金向關(guān)聯(lián)方北方華創(chuàng)購(gòu)買(mǎi)生產(chǎn)設(shè)備，關(guān)聯(lián)交易總額預(yù)計(jì)不超5,500萬(wàn)元。 其中，廣東華燦擬使用募投項(xiàng)目中的“Micro LED晶圓制...  [詳內(nèi)文]

蘇格蘭SiC晶圓廠Clas-SiC開(kāi)展大動(dòng)作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:46 |
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12月19日，據(jù)外媒消息，蘇格蘭碳化硅（SiC）晶圓廠Clas-SiC正在尋求2400萬(wàn)英鎊（折合人民幣約2.18億元）的投資，用來(lái)擴(kuò)大潔凈室空間并購(gòu)買(mǎi)額外的生產(chǎn)設(shè)備，此舉有望將工廠的產(chǎn)能擴(kuò)大至2.5倍，該筆資金還可以用于后續(xù)的工藝開(kāi)發(fā)和彈性運(yùn)營(yíng)。 據(jù)了解， Clas-SiC是英...  [詳內(nèi)文]

韓國(guó)APROSEMICON公司新建GaN生產(chǎn)基地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:45 |
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據(jù)外媒消息，近日，韓國(guó)APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設(shè)以氮化鎵 (GaN) 為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施。 為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Apros...  [詳內(nèi)文]

數(shù)千萬(wàn)！SiC MOSFET廠商至信微電子完成A輪融資

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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近日，深圳市至信微電子有限公司（以下簡(jiǎn)稱至信微電子）宣布完成數(shù)千萬(wàn)元A輪融資，本輪融資由深智城產(chǎn)投、正景資本、揚(yáng)子江基金、太和基金共同投資，融資資金將用于加速公司產(chǎn)品研發(fā)、團(tuán)隊(duì)擴(kuò)建以及市場(chǎng)拓展等。 資料顯示，至信微電子成立于2021年11月，是一家專注于第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)的...  [詳內(nèi)文]

南京國(guó)盛第一枚GaN on Si外延片正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 |
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12月22日，電科材料下屬國(guó)盛公司南京外延材料產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢(shì)，具有較強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力。國(guó)盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內(nèi)文]

斥資50億！光谷打造化合物半導(dǎo)體企業(yè)總部園區(qū)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:45 |
| 分類: 企業(yè)
12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡(jiǎn)稱光谷）宣布投資50億元建設(shè)化合物半導(dǎo)體孵化加速及制造基地，選址九峰山實(shí)驗(yàn)室南面，計(jì)劃明年開(kāi)工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭(zhēng)在3年內(nèi)引育企業(yè)100家。 據(jù)悉，九峰山實(shí)驗(yàn)室是湖北十大實(shí)驗(yàn)室之一，已建成化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)科研及中試平臺(tái)。該總部園區(qū)將利...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電實(shí)現(xiàn)8英寸襯底批量生產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:35 |
| 分類: 企業(yè)
12月21日，晶盛機(jī)電在回答投資者提問(wèn)時(shí)表示，公司8英寸碳化硅（SiC）襯底片已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)，量產(chǎn)晶片的核心位錯(cuò)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。 據(jù)悉，晶盛機(jī)電自2017年開(kāi)始SiC晶體生長(zhǎng)設(shè)備和工藝研發(fā)，經(jīng)過(guò)幾年沉淀，今年已經(jīng)迎來(lái)收獲期。今年2月4日，晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)...  [詳內(nèi)文]

生產(chǎn)率增長(zhǎng)100%！Riber外延設(shè)備獲美系客戶認(rèn)證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:52 |
| 分類: 企業(yè)
昨日（12/19）,美國(guó)分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE）設(shè)備供應(yīng)商Riber宣布，MBE 8000平臺(tái)已獲得美國(guó)外延生產(chǎn)商的最終認(rèn)證通過(guò)。 圖片來(lái)源：Riber 據(jù)介紹，MBE 8000可批量生長(zhǎng)8片6英寸外延或4片8英寸外延，相比市面上現(xiàn)有...  [詳內(nèi)文]

時(shí)代電氣取得高壓SiC電機(jī)控制器專利

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:44 |
| 分類: 企業(yè)
天眼查資料顯示，12月12日，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱時(shí)代電氣）公開(kāi)一項(xiàng)“一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動(dòng)汽車”專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN117220562A，申請(qǐng)日期為2023年8月30日。 該專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種高壓SiC電機(jī)控制器及包含其的電動(dòng)汽車，...  [詳內(nèi)文]

聚焦SiC單晶襯底，世紀(jì)金芯和湖南S公司達(dá)成戰(zhàn)略合作

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:42 |
| 分類: 企業(yè)
近日，合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱世紀(jì)金芯）與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方將圍繞碳化硅（SiC）單晶襯底在業(yè)務(wù)和技術(shù)方面推行戰(zhàn)略合作，年合作不低于5萬(wàn)片，交易金額超過(guò)2億元。 資料顯示，世紀(jì)金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)...  [詳內(nèi)文]