隨著第三代半導體技術的快速迭代，氮化鎵（GaN）憑借高功率密度、低能耗、耐高溫等核心優(yōu)勢，已成為消費電子、新能源、工業(yè)控制等領域技術升級的關鍵支撐。近期，全球多家半導體及能源科技企業(yè)集中發(fā)力，推出多款基于氮化鎵技術的創(chuàng)新產(chǎn)品。

安費諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開辟商用市場新機遇

安費諾能源（Enphase Energy）近日在加州發(fā)布了其最新的三相微型逆變器IQ9N-3P，專為商用光伏項目設計。這款逆變器首次引入氮化鎵（GaN）技術，氮化鎵是一種高效能半導體材料，有助于提升轉換效率和降低功率損耗，具有97.5%的轉換效率。

據(jù)了解，IQ9N-3P適用于480伏的商用項目，能夠承受16安培的直流持續(xù)電流，峰值輸出功率可達427伏安，支持高達600瓦的組件。安費諾表示，該產(chǎn)品不僅適合100千瓦以下的小型商用系統(tǒng)，還能擴展至數(shù)百千瓦的大型系統(tǒng)，具備靈活性，未來擴容時無需重新設計。

公開資料顯示，安費諾能源（Enphase Energy）成立于2006年，2012年在納斯達克上市，總部位于加利福尼亞州弗里蒙特，主要產(chǎn)品包括太陽能微逆變器、電池儲能系統(tǒng)和電動汽車充電站。

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

近日，氮矽科技官微宣布，推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管。

圖片來源：氮矽科技

據(jù)介紹，DX65TA030是一款650V, 30mΩ增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管，采用TOLL封裝與寬禁帶技術，實現(xiàn)高功率密度。具備開爾文連接，抗干擾能力強，符合工業(yè)標準，具備高可靠性，是高性能電力電子應用的優(yōu)選方案。

氮矽科技成立于2019年，是一家專注于氮化鎵功率半導體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的高新技術企業(yè)。公司擁有 “E-mode GaN HEMT、GaN Driver、GaN PIIP?（Power integrated in package）和PWM GaN”四大產(chǎn)品線，其產(chǎn)品廣泛應用于消費電子、工業(yè)市場、新能源汽車、航空航天等領域。

瑞薩發(fā)布用于功率轉換的650V GaN FET

瑞薩電子推出3款新型高壓650V GaN FET，分別為TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS。

圖片來源：Renesas瑞薩電子

這三款產(chǎn)品基于第四代增強型SuperGaN?平臺，該平臺采用經(jīng)實際應用驗證的耗盡型（d-mode）常關斷架構，由Transphorm公司首創(chuàng)，瑞薩電子于2024年6月收購了該公司。與硅基、碳化硅（SiC）和其它GaN產(chǎn)品相比，基于低損耗耗盡型技術的產(chǎn)品具有更高的效率。

這些第四代增強型（Gen IV Plus）器件專為多千瓦級應用而設計，將高效GaN技術與硅兼容柵極驅動輸入相結合，在保留硅FET操作簡便性的同時，顯著降低了開關功率損耗。

新產(chǎn)品適用于人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心和服務器電源（包括新型800V高壓直流架構）、電動汽車充電、不間斷電源電池備份設備、電池儲能和太陽能逆變器等領域。此外，在工業(yè)電機驅動領域，也能提供高可靠性、高效率的功率轉換，支持設備小型化與能效升級。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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