硅谷AI硬件基礎設施迎來一家極具潛力的初創(chuàng)公司。由麻省理工學院（MIT）分拆成立的Vertical Semiconductor Inc.（以下簡稱“Vertical”）10月15日宣布，已成功完成1100萬美元種子輪融資。本輪融資由知名風投機構Playground Global領投，Jimco Technology Ventures、Milemark-Capital和Shin-etsu等機構跟投。

圖片來源：Vertical官網(wǎng)新聞稿截圖

Vertical公司的核心使命是解決日益嚴峻的人工智能數(shù)據(jù)中心電力輸送瓶頸問題，其突破性技術在于開發(fā)并商業(yè)化垂直氮化鎵（Vertical GaN）晶體管。

公開資料顯示，Vertical脫胎于麻省理工學院著名的Palacios Group實驗室，專注于氮化鎵（GaN）晶體管的研究。GaN作為新一代半導體材料，相比傳統(tǒng)的硅基芯片，具備更高的效率、更快的開關速度，以及在更高溫度和電壓下工作的能力，廣泛應用于電動汽車和電力電子領域。

Vertical的技術創(chuàng)新點在于顛覆了傳統(tǒng)的橫向晶體管設計，將GaN晶體管設計成垂直堆疊結構。這種創(chuàng)新設計帶來了多重優(yōu)勢。

首先，它能夠提高密度，在單個芯片內集成更多晶體管。其次，它能支持更高電壓，允許電流流經(jīng)晶體管的更多部分，從而顯著提升性能。更重要的是，垂直結構憑借其卓越的熱管理能力，熱量散逸優(yōu)于橫向設計，支持更高的功率密度。此外，它還能強化可靠性，利用一種名為“雪崩”的自我保護機制，確保晶體管在電壓尖峰期間仍能穩(wěn)定工作。

Vertical的聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Cynthia Liao堅信，垂直氮化鎵晶體管正是AI數(shù)據(jù)中心當前迫切需要的解決方案。她指出：“人工智能硬件最大的瓶頸在于我們向芯片供電的速度。AI的發(fā)展速度不再僅僅受限于算法。”

廖首席執(zhí)行官進一步解釋，現(xiàn)有的芯片設計已難以提供足夠的功率來維持更先進的AI工作負載。Vertical的垂直GaN技術能夠將能量轉換推向更靠近芯片的位置，使其以更少的能量和熱量完成更多計算。

據(jù)公司估算，采用Vertical的解決方案，可以將數(shù)據(jù)中心的效率提高高達30%，同時將功耗降低一半。

Horizontal已在八英寸晶圓上展示了其技術，并利用標準的互補金屬氧化物半導體（CMOS）制造方法，證明其技術能夠無縫集成到現(xiàn)有的半導體制造和數(shù)據(jù)中心生態(tài)中。

領投方Playground Global的Matt Hershenson對此表示高度贊賞：“Vertical破解了困擾半導體行業(yè)多年的難題，即如何提供高壓、高效且可擴展、可制造的電力電子器件。”他認為，Vertical不僅推動了科學進步，更將“改變計算的經(jīng)濟性”。

Vertical表示，本次獲得的1100萬美元資金將用于加速其商業(yè)化進程。目前，垂直GaN晶體管原型已在開發(fā)中，公司計劃在今年年底前開始向早期客戶提供封裝器件樣品。如果一切順利，預計將在2026年底前推出完全集成的解決方案。

（集邦化合物半導體整理）

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