文章分類： 氮化鎵GaN

英諾賽科2023年累計出貨量超5億顆

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 18 日 18:06 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2024年已過去一個半月，第三代半導體領域相關廠商也相繼公布了過去2023年的發(fā)展成果。2月7日，英諾賽科便公布了2023年在出貨量、新品開發(fā)、技術研發(fā)、應用創(chuàng)新、市場開拓、品質保障等取得的成果，各方面表現(xiàn)有些看點。 硅基GaN芯片累計出貨量超5億顆 從出貨量來看，英諾賽科截至2...  [詳內文]

從消費電子到新能源汽車，誰在推動氮化鎵產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 02 月 18 日 10:04 |
| 分類: 氮化鎵GaN
氮化鎵功率器件在C端揚名，始于手機充電器——2019年10月，OPPO正式發(fā)布OPPO Reno Ace。這是氮化鎵首次應用于手機原裝快充充電器，而OPPO也成為全球首家在手機充電器中導入氮化鎵技術的廠商。 經(jīng)過短短幾年時間的發(fā)展，基于氮化鎵材料而研制的功率器件，憑借更高的電流密...  [詳內文]

“移族”獲數(shù)千萬元融資，氮化鎵加速進入儲能領域

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 16 日 16:28 |
| 分類: 氮化鎵GaN
作為第三代半導體材料的“雙雄”之一，氮化鎵能突破硅的理論極限，滿足市場對功率半導體更低功耗、更高功率密度、更環(huán)保的需求，是當下熱門的技術，在資本市場備受青睞。 而隨著技術的成熟，氮化鎵的應用領域早已突破了消費電子，向數(shù)據(jù)中心、儲能、新能源汽車等領域拓展。其中，儲能領域市場廣闊，資...  [詳內文]

GaN模塊方案商QPT首輪融資啟動，GaN Systems聯(lián)合創(chuàng)始人領投

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 21 日 17:59 |
| 分類: 氮化鎵GaN
昨日（12/20），英國GaN模塊解決方案商Quantum Power Transformation (QPT)宣布在英國眾籌平臺Crowdcube啟動首輪融資。 值得注意的是，QPT本輪融資由GaN Systems的聯(lián)合創(chuàng)始人Geoff Haynes領投，其剛于10月中旬以顧問...  [詳內文]

英諾賽科：GaN出貨量突破3億顆，上半年銷售額增長500%！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 16 日 17:32 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，英諾賽科官方宣布，截至8月，8英寸硅基GaN芯片出貨量已成功突破3億顆，目前，InnoGaN產(chǎn)品已在消費類（快充、手機、LED），汽車激光雷達，數(shù)據(jù)中心，新能源與儲能領域的多個應用中大批量交付，幫助客戶實現(xiàn)小體積、高能效、低損耗的產(chǎn)品設計。 出貨量漲勢強勁，上半年銷售額增...  [詳內文]

這個GaN龍頭攜手國企，發(fā)力中國電動車市場

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 03 日 17:10 |
| 分類: 氮化鎵GaN
今日，氮化鎵功率半導體龍頭GaN Systems宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發(fā)展。 據(jù)稱，這次的合作將為電動車市場中笨重、低效率且成本高昂的電力系統(tǒng)帶來本質上的革新。氮化鎵功率晶體管卓越的開關速度，為電動車車載充電器 (On...  [詳內文]

意法半導體量產(chǎn)氮化鎵器件PowerGaN

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 03 日 17:10 | | 分類: 氮化鎵GaN
意法半導體最近宣布，已開始量產(chǎn)能夠簡化高效功率轉換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。 STPOWER? GaN晶體管是基于氮化鎵(GaN)的高效晶體管，提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。...  [詳內文]

西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院揭牌成立

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 01 日 17:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)紹興濱海新區(qū)管委會消息，7月27日，由浙江紹興濱海新區(qū)管委會與西安交通大學合作共建的紹興市通越寬禁帶半導體研究院揭牌成立。 消息稱，西安交通大學紹興市通越寬禁帶半導體研究院依托西安交通大學，致力于解決目前我國寬禁帶半導體器件和先進封裝領域面臨的卡脖子問題，是紹芯實驗室的重要研究...  [詳內文]

又一氧化鎵企業(yè)獲融資！

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 08 月 01 日 17:15 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，北京鎵和半導體有限公司（以下簡稱“鎵和半導體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。 鎵和半導體成立于2021年，是一家超寬禁帶半導體材料氧化鎵襯底及外延制造商，主營氧化鎵單晶襯底及外延晶片、單晶及外延生長設備、高靈敏日盲紫外...  [詳內文]

總投資50億元，華燦光電珠海Micro LED項目正式動工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 07 月 31 日 16:09 |
| 分類: Micro LED , 氮化鎵GaN
今日（7/31），華燦光電Micro LED晶圓制造和封裝測試基地項目開工儀式在珠海金灣區(qū)舉行，據(jù)稱，項目建成后將成為全球領先的Micro LED研發(fā)生產(chǎn)基地，有效填補珠海新型顯示產(chǎn)業(yè)空白，助力珠海搶占“終極顯示技術”發(fā)展先機，打造新型顯示產(chǎn)業(yè)集群。 Micro LED項目確立...  [詳內文]