華為近日公布了兩項涉及碳化硅散熱技術的專利，分別為《導熱組合物及其制備方法和應用》和《一種導熱吸波組合物及其應用》。

前者專利提供了一種導熱組合物及其制備方法和應用。

圖片來源：國家知識產(chǎn)權局專利信息截圖

該導熱組合物包括基體材料和導熱填料；導熱填料包括大粒徑填料和小粒徑填料，所述大粒徑填料與小粒徑填料的平均粒徑的比值在3以上，所述大粒徑填料至少包括平均球形度在0.8以上的碳化硅填料。該導熱組合物的大粒徑填料包括球形度在0.8以上的碳化硅填料，可使得含這樣的導熱填料的導熱組合物的流動性較高，且導熱性能優(yōu)良，便于滿足電子設備領域對綜合性能優(yōu)異的導熱材料的需求。

后者專利提供了一種導熱吸波組合物及其應用。

圖片來源：國家知識產(chǎn)權局專利信息截圖

該組合物包括包括有機基體、導熱填料和吸波填料；導熱填料包括大粒徑導熱粒子和小粒徑導熱粒子，大粒徑導熱粒子包括高球形度高純碳化硅填料；其中，高球形度高純碳化硅填料的球形度在0.8以上，碳化硅的質量含量大于或等于99.0％；吸波填料包括球形羰基鐵和片狀羰基鐵。該組合物中大粒徑導熱粒子包括上述碳化硅填料，使得該組合物的流動性及導熱性能好，再加上該碳化硅填料與球形羰基鐵、片狀羰基鐵的協(xié)同配合，還可使得該組合物的吸波性能良好，能滿足電子設備領域對綜合性能優(yōu)異的導熱和/或吸波功能材料的需求。

碳化硅成為芯片散熱新路線

碳化硅材料以其高達500W/mK的熱導率而聞名，遠超硅的150W/mK和陶瓷基板的200~230W/mK，且其熱膨脹系數(shù)與芯片材料匹配，適合高功率AI芯片的散熱需求。

隨著AI芯片功率的不斷提升，散熱問題日益突出，尤其是英偉達的GPU芯片功率已從700W提升至1400W，未來可能接近2000W。

此前有媒體報道，#英偉達 計劃在其新一代Rubin處理器中將中間基板材料從硅更換為碳化硅，以提高散熱性能，預計將在2027年開始大規(guī)模應用。

針對碳化硅散熱，多家公司在投資者互動平臺有所披露：

天岳先進表示，公司在前瞻性技術創(chuàng)新上繼續(xù)布局，除供應應用于功率器件、射頻器件的碳化硅襯底材料外，公司還廣泛布局了光波導、TF-SAW濾波器、散熱部件等新興領域的碳化硅產(chǎn)品及技術。

三安光電表示，公司持續(xù)推進碳化硅襯底在AI/AR眼鏡、熱沉散熱等方向的應用，熱沉散熱用碳化硅材料早已開始研發(fā)，目前處于送樣階段。

（集邦化合物半導體 Niko 整理）

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