近期，華潤(rùn)微電子功率器件事業(yè)群（以下簡(jiǎn)稱PDBG）SiC主驅(qū)模塊板塊再獲重要進(jìn)展，PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS主驅(qū)模塊成功導(dǎo)入某頭部車企并實(shí)現(xiàn)批量上車。

#PDBG 是華潤(rùn)微電子旗下全面負(fù)責(zé)功率器件設(shè)計(jì)、研發(fā)、制造與銷售服務(wù)的業(yè)務(wù)單元。其下設(shè)有中低壓MOS產(chǎn)品線，高壓MOS產(chǎn)品線，IGBT產(chǎn)品線，特種器件產(chǎn)品線，模塊產(chǎn)品線和汽車電子事業(yè)部。擁有CRMICRO、華晶兩個(gè)功率器件自主品牌。

華潤(rùn)微電子介紹，該類模塊基于PDBG 1200V SiC MOS G4平臺(tái)芯片，采用ValueDual封裝，6/8管并聯(lián)設(shè)計(jì)，最低導(dǎo)通電阻1.6mΩ，兼具SiC器件低損耗、耐高溫特性以及ValueDual模塊的高系統(tǒng)兼容性、高系統(tǒng)效率等性能優(yōu)勢(shì)，在商用車主驅(qū)系統(tǒng)應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

圖片來(lái)源：華潤(rùn)微電子

已批量上車的ValueDual模塊采用了PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS平臺(tái)的1200V 13mΩ芯片。該平臺(tái)在延續(xù)第二代平臺(tái)優(yōu)異的柵極特性的同時(shí)，通過(guò)設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新，進(jìn)一步優(yōu)化了RSP、結(jié)電容、漏電等關(guān)鍵參數(shù)，顯著提升功率密度和運(yùn)行效率，為車載充電機(jī)（OBC）、主驅(qū)、高壓直流輸電（HVDC）等高功率密度、高集成度的應(yīng)用領(lǐng)域提供更高能效的系列化產(chǎn)品。

PDBG已經(jīng)快速完成第四代SiC MOS產(chǎn)品系列化，開發(fā)650V和1200V兩個(gè)電壓平臺(tái)，推出十余個(gè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格產(chǎn)品，同時(shí)搭配公司成熟的插件、貼片封裝，包括QDPAK、TOLT等貼片頂部散熱封裝，產(chǎn)品綜合性能表現(xiàn)優(yōu)異，已成功導(dǎo)入OBC、充電樁、逆變器等領(lǐng)域的頭部客戶，并實(shí)現(xiàn)批量供貨，為產(chǎn)業(yè)升級(jí)提供高效可靠的國(guó)產(chǎn)器件支持。

（集邦化合物半導(dǎo)體 Flora 整理）

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