近日，研微（江蘇）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“研微半導(dǎo)體”）完成數(shù)億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產(chǎn)投等知名投資機(jī)構(gòu)。該公司成立3年已有多臺(tái)設(shè)備通過Fab廠驗(yàn)證，募集資金將用于未來研發(fā)投入及擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)。

公開資料顯示，研微半導(dǎo)體成立于2022年，總部位于無錫，主要專注于高端原子層沉積（ALD）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及特色外延設(shè)備技術(shù)，涵蓋熱原子層沉積（tALD）、等離子體增強(qiáng)原子層沉積（PEALD）、硅外延（SI EPI）、碳化硅外延（SiC EPI）、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）等核心技術(shù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于高端集成電路、功率器件、射頻元件及先進(jìn)封裝領(lǐng)域。

圖片來源：研微半導(dǎo)體官網(wǎng)

研微半導(dǎo)體目前重點(diǎn)突破的tALD、PEALD、低壓EPI等細(xì)分領(lǐng)域，市場份額主要由美日歐廠商占據(jù)，高端薄膜沉積設(shè)備進(jìn)口受限。憑借在金屬柵極、高深寬比溝槽填充等細(xì)分工藝的突破，研微半導(dǎo)體在最前沿半導(dǎo)體技術(shù)競爭中建立優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代。此前11月7日，研微半導(dǎo)體披露，其自主研發(fā)的Spritz系列首臺(tái)新材料原子層沉積（tALD）設(shè)備在無錫完成出廠交付，并同步實(shí)現(xiàn)“雙機(jī)”發(fā)運(yùn)，成功交付國內(nèi)邏輯與存儲(chǔ)芯片雙領(lǐng)域頭部企業(yè)。

圖片來源：研微半導(dǎo)體

該設(shè)備聚焦AI算力芯片制造需求，在HKMG金屬層沉積、NAND WL、DRAM bWL及SN區(qū)域薄膜填充等關(guān)鍵工藝實(shí)現(xiàn)突破，填補(bǔ)國內(nèi)金屬原子層沉積空白，憑借先進(jìn)進(jìn)氣、混氣與勻流系統(tǒng)顯著提升薄膜均勻性和產(chǎn)能穩(wěn)定性，助力先進(jìn)制程國產(chǎn)化。研微半導(dǎo)體自2022年10月在無錫成立以來，短短三年內(nèi)已完成多輪融資：當(dāng)年12月獲天使輪，2023年7月再獲天使+輪，2024年1月完成數(shù)億元Pre-A輪，并于今年內(nèi)連續(xù)完成三輪數(shù)億元融資。

隨著邏輯芯片制程的持續(xù)升級(jí)和3D存儲(chǔ)芯片對(duì)多層高深寬比結(jié)構(gòu)要求的不斷提高，ALD技術(shù)憑借其原子層級(jí)沉積特點(diǎn)，具有薄膜厚度精確度高、均勻性好、極佳的臺(tái)階覆蓋率（Conformal Coverage）、溝槽填充性能極佳等優(yōu)勢(shì)。ALD/PEALD技術(shù)在高深寬比結(jié)構(gòu)（如3D NAND閃存的多層堆疊、先進(jìn)邏輯芯片的接觸孔）中的高保形性是傳統(tǒng)CVD難以比擬的，特別適合在對(duì)薄膜質(zhì)量和臺(tái)階覆蓋率有較高要求的領(lǐng)域應(yīng)用，在45nm以下節(jié)點(diǎn)、先進(jìn)封裝、3D結(jié)構(gòu)等半導(dǎo)體薄膜沉積環(huán)節(jié)有大量需求。

此外，研微半導(dǎo)體的SiC EPI設(shè)備，瞄準(zhǔn)的是第三代半導(dǎo)體功率器件市場。這一特色外延設(shè)備與高端集成電路薄膜沉積設(shè)備同為國家重點(diǎn)鼓勵(lì)的國產(chǎn)替代方向。2025年，除研微半導(dǎo)體外，微導(dǎo)納米、拓荊科技和中微公司等企業(yè)也在高端薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域加速突破：微導(dǎo)納米的ALD批量與單片設(shè)備已通過多家客戶驗(yàn)證，在手訂單超23億元；拓荊科技完成PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD全系列布局，核心指標(biāo)達(dá)國際水平；中微公司LPCVD設(shè)備首臺(tái)銷售后半年收入達(dá)1.99億元，同比增長約6倍，共同推進(jìn)國產(chǎn)設(shè)備進(jìn)程。

（集邦化合物半導(dǎo)體 竹子 整理）

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