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3家SiC襯底加工設備廠商有新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 06 日 17:47 | 分類 企業(yè)
碳化硅（SiC）作為第三代半導體的代表之一，具有寬禁帶、高導熱率和高電子遷移率等特性，依托于自身優(yōu)良物理屬性，SiC功率半導體器件裝車表現(xiàn)優(yōu)異，廣受市場歡迎。 但其作為一種高硬度脆性材料，在襯底加工環(huán)節(jié)存在著不小的挑戰(zhàn)。隨著SiC在國內(nèi)引發(fā)熱潮，下游市場需求增長帶動相關設備出貨大...  [詳內(nèi)文]

6英寸量產(chǎn)，晶盛機電SiC襯底項目又有新進展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 06 日 17:46 | 分類 企業(yè)
11月初傳出的晶盛機電碳化硅（SiC）襯底片項目正式簽約啟動相關消息的熱度還未完全消退，晶盛機電近日披露的新進展再次引發(fā)關注。 晶盛機電SiC襯底項目量產(chǎn) 12月5日，晶盛機電披露最新調(diào)研紀要稱，今年11月，公司正式進入了6英寸SiC襯底項目的量產(chǎn)階段。而在11月初，晶盛機電曾表...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認證
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 06 日 17:45 | 分類 功率
近日，芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權威檢測機構（廣電計量）全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認證。 據(jù)介紹，AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范，目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標志。試驗項目包含...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed射頻業(yè)務正式售出
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 05 日 17:45 | 分類 射頻
12月4日，SiC龍頭Wolfspeed出售旗下射頻業(yè)務的事宜迎來終章。 今年8月22日，Wolfspeed宣布向美國半導體公司MACOM Technology Solutions Holdings, Inc出售其射頻業(yè)務（“Wolfspeed RF”）。 按照交易條款，Wolf...  [詳內(nèi)文]

時代電氣6英寸SiC芯片升級項目預計年底完成
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 05 日 17:43 | 分類 企業(yè)
12月4日，時代電氣在投資者互動平臺表示，公司碳化硅（SiC）芯片生產(chǎn)線技術能力提升建設項目，項目建成達產(chǎn)后，將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸，將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線10000片/...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)SiC檢測設備公司蓋澤科技、優(yōu)睿譜有新動態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 04 日 18:00 | 分類 企業(yè)
隨著國內(nèi)半導體發(fā)展的勢頭越發(fā)旺盛，此前國產(chǎn)化率處于較低水平的半導體檢測設備領域也借勢而起，相關企業(yè)融資、交付產(chǎn)品的消息隨之增多。 蓋澤科技完成新一輪數(shù)千萬級融資 近日，蓋澤精密科技（蘇州）有限公司（下文簡稱：“蓋澤科技”）完成了新一輪融資，該輪融資金額為數(shù)千萬元。本輪融資由蘇創(chuàng)投...  [詳內(nèi)文]

2400萬，SiC襯底公司卓遠半導體獲得投資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 04 日 17:45 | 分類 企業(yè)
近日，江蘇卓遠半導體有限公司（下文簡稱“卓遠半導體”）獲得凱得粵豪2400萬元的財務投資。 據(jù)悉，卓遠半導體自成立以來一直專注于寬禁帶半導體晶體裝備及其材料的研發(fā)生產(chǎn)與制造，主營業(yè)務有寬禁帶半導體晶體生長裝備、金剛石與碳化硅（SiC）晶體工藝及解決方案以及在智慧電網(wǎng)、新能源汽車等...  [詳內(nèi)文]

華辰芯光完成超億元A1輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 04 日 17:39 | 分類 企業(yè)
近日，無錫市華辰芯光半導體科技有限公司（以下簡稱華辰芯光）完成超億元A1輪融資，本輪融資由合創(chuàng)資本領投，賽智伯樂、富春資本等機構跟投，融資資金將主要用于芯片產(chǎn)能擴建。 資料顯示，華辰芯光成立于2021年9月，公司核心業(yè)務聚焦光通信和激光雷達市場，從事高可靠半導體激光芯片的設計、外...  [詳內(nèi)文]

中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 04 日 17:34 | 分類 功率
11月30日，中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結構，自主設計的新型終端結構具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國一汽、東風公司、南方工業(yè)...  [詳內(nèi)文]

長城汽車，SiC兩大新動作
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 04 日 14:11 | 分類 企業(yè)
芯動半導體與博世簽署長期訂單合作協(xié)議 昨日（12月1日），芯動半導體與博世汽車電子就SiC業(yè)務在上海簽署了長期訂單合作協(xié)議。長城汽車高級副總裁趙國慶、博世中國執(zhí)行副總裁徐大全共同見證本次戰(zhàn)略合作。芯動半導體董事長鄭立朋、總經(jīng)理姜佳佳、CTO洪濤，博世汽車電子半導體業(yè)務高級副總裁A...  [詳內(nèi)文]