最新文章

美國射頻芯片巨頭Qorvo出售中國工廠，立訊接盤
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 19 日 14:14 | 分類 射頻
昨日（12/18），美國射頻芯片大廠Qorvo宣布擬將其位于中國北京和德州的組裝和測試工廠出售給代工廠立訊精密，目前雙方已就此達成最終協(xié)議，交易預計2024年上半年完成，最終取決于監(jiān)管機構的批準，以及滿足或免除其他完成條件。 Qorvo x 立訊精密：兩項交易 根據(jù)本次協(xié)議，立訊...  [詳內文]

晶盛機電：SiC生長設備自研自用，外延設備外銷
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 19 日 13:43 | 分類 企業(yè)
12月19日，晶盛機電在投資者互動平臺表示，公司碳化硅（SiC）生長設備為自研自用，對外銷售SiC外延設備。SiC襯底及外延片利潤情況受其市場價格、綜合成本等因素影響，隨著公司長晶及加工技術、成本控制的不斷優(yōu)化，預期未來利潤將因此受益。 source:晶盛機電 在SiC設備方面...  [詳內文]

總投資約15億元，漢軒車規(guī)級SiC功率器件制造項目開工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 19 日 13:40 | 分類 功率
據(jù)徐州高新發(fā)布消息，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設。 漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目規(guī)劃 V...  [詳內文]

總投資近10億，紹興新增SiC項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:46 | 分類 功率
近日，紹興中芯集成電路制造股份有限公司（以下簡稱中芯紹興）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期項目”環(huán)評表。據(jù)悉，該項目位于紹興市越城區(qū)，總投資9.61億元，主要從事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具體來看，該項目實施主體為中芯紹興控股子公司中芯越州集成電路制造（紹興）...  [詳內文]

通用智能交付8英寸SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:45 | 分類 企業(yè)
12月16日，河南通用智能裝備有限公司（以下簡稱通用智能）自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。 據(jù)通用智能介紹，由于SiC高硬度、高脆性特點，在SiC器件制造領域存在一個難點——晶錠分割工藝過程。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低且損耗高。...  [詳內文]

8英寸SiC領域又一強強聯(lián)合！
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:32 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)報道，近日，新加坡科學技術研究局 (A * STAR) 下屬研究機構微電子研究所 (IME) 與德國擴散及退火設備供應商centrotherm International AG就8英寸SiC技術達成合作，IME的8英寸開放式R&D SiC試產(chǎn)線將與centrotherm...  [詳內文]

湖北將建設全國化合物半導體研發(fā)生產(chǎn)基地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 16:34 | 分類 功率
近日，湖北省人民政府印發(fā)《湖北省新材料產(chǎn)業(yè)高質量發(fā)展三年行動方案（2023—2025年）》（以下簡稱“《行動方案》”）。 《行動方案》提出發(fā)展目標，到2025年，湖北全省新材料重點企業(yè)產(chǎn)值超6000億元，其中產(chǎn)值過1000億元企業(yè)超過1家、過500億元企業(yè)超過2家、過100億元企...  [詳內文]

SiC開啟800V新時代，政企雙端發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 15 日 20:36 | 分類 功率
12月14日，全球領先的車用技術企業(yè)采埃孚，宣布其電機產(chǎn)量已突破300萬臺大關。 采埃孚稱，電機量產(chǎn)超過300萬臺顯示出市場對純燃油發(fā)動機的依賴不斷減少，標志著整個行業(yè)朝著電動化出行的成功轉型。 值得一提的是，采埃孚此前推出采用碳化硅（SiC）技術的EVSys800電驅動系統(tǒng)，展...  [詳內文]

CEA-Leti開發(fā)兼容CMOS的8英寸GaN-on-Si射頻工藝
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 15 日 17:49 | 分類 射頻
據(jù)報道，近日，CEA Tech下屬研究所Leti已開發(fā)出一種與CMOS無塵室兼容的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）工藝技術，既能保持半導體材料的高性能，成本又低于現(xiàn)有的碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）技術。 該研究所在IEDM 2023會議的一場演講中表示，目前用于電...  [詳內文]

PI、南瑞半導體透露SiC MOS項目新進展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 14 日 17:46 | 分類 企業(yè)
因搭載高壓平臺的電動汽車在補能、續(xù)航等方面的表現(xiàn)出色，可以大幅提高客戶的使用體驗，大有成為主流之勢。而SiC MOSFET在高壓車載領域的良好表現(xiàn)，受到市場的追捧，新規(guī)格SiC MOSFET和其衍生品也在不斷出新。就SiC MOSFET領域來看，又有兩家企業(yè)有了新動態(tài)。 Powe...  [詳內文]