上交所2026年首單IPO過會,花落功率半導體廠商

作者 | 發(fā)布日期 2026 年 01 月 15 日 15:41 | 分類 企業(yè)

1月14日,上交所上市審核委員會召開2026年第1次上市審核委員會審議會議,審議蘇州聯(lián)訊儀器股份有限公司(以下簡稱“聯(lián)訊儀器”)首發(fā)事項,最終公司順利過會。業(yè)界指出,這是上交所2026年首單IPO過會。

圖片來源:公告截圖

資料顯示,聯(lián)訊儀器是國內高端測試儀器設備企業(yè),主營業(yè)務為電子測量儀器和半導體測試設備的研發(fā)、制造、銷售及服務,專業(yè)為全球高速通信和半導體等領域用戶提供高速率、高精度、高效率的核心測試儀器設備,助力人工智能、新能源、半導體等前沿科技行業(yè)提升產品開發(fā)和量產效率。

2022年至2024年,聯(lián)訊儀器營業(yè)收入從2.14億元跨越式增長至7.89億元;歸母凈利潤成功扭虧為盈,2024年達到1.4億元。2025年度可實現(xiàn)營業(yè)收入約11.5億元至12億元,同比增幅約45.82%至52.16%。

聯(lián)訊儀器計劃募集資金17.11億元,將投資于下一代光通信測試設備研發(fā)及產業(yè)化建設項目、車規(guī)芯片測試設備研發(fā)及產業(yè)化建設項目、存儲測試設備研發(fā)及產業(yè)化建設項目、數(shù)字測試儀器研發(fā)及產業(yè)化建設項目和下一代測試儀表設備研發(fā)中心建設項目。

其中,下一代光通信測試設備研發(fā)及產業(yè)化建設項目將進一步鞏固聯(lián)訊儀器在光通信測試領域的領先地位;車規(guī)芯片測試設備研發(fā)及產業(yè)化建設項目、存儲測試設備研發(fā)及產業(yè)化建設項目將拓展新的增長點;數(shù)字測試儀器研發(fā)及產業(yè)化建設項目和下一代測試儀表設備研發(fā)中心建設項目將提升公司整體研發(fā)能力與技術儲備。

稍早之前,芯邁半導體與威兆半導體兩家功率半導體廠商同樣傳出IPO新進展:

芯邁半導體已經(jīng)更新IPO招股書,正式推進香港主板上市進程,華泰國際擔任本次上市獨家保薦人。

芯邁半導體成立于2019年,總部位于杭州,采用Fab-Lite集成器件制造商(IDM)業(yè)務模式,核心業(yè)務涵蓋電源管理集成電路和功率器件的研發(fā)、銷售,產品覆蓋移動技術、顯示技術和功率器件三大領域,廣泛應用于汽車、電信設備、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)應用及消費電子產品等多個場景。

在功率器件領域,芯邁半導體構建了涵蓋硅基和碳化硅(SiC)基的完備產品組合。公司的核心技術涵蓋了超結MOSFET和屏蔽柵溝槽型MOSFET(SGT MOSFET)。

威兆半導體已向港交所主板遞交上市申請,廣發(fā)證券為其保薦人。

威兆半導體專注于高性能功率半導體器件的研發(fā)、設計與銷售,尤其是WLCSP(晶圓級芯片尺寸封裝)產品,該產品為公司主要產品之一。

功率半導體器件結構而言,威兆半導體的中低壓產品主要包括Trench MOSFET及SGT MOSFET,被廣泛應用于消費電子、汽車電子、電機驅動、工業(yè)電源等。在中低壓產品中,公司的WLCSP產品憑借其產品尺寸小、散熱性能高、抗沖擊性強等特點,是智能手機、平板電腦和可穿戴電子設備等鋰電池保護應用的關鍵元件。公司的高壓產品主要包括IGBT、 SJ MOSFET及Planar MOSFET,專為滿足嚴苛環(huán)境下對高耐壓、高功率密度和可靠性能的需求而設計,被廣泛應用于汽車電子、電機驅動及新能源等應用場景。

(集邦化合物半導體 Flora 整理)

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