近日，晶升股份官微宣布，在2026年春節(jié)前期，晶升股份自主研發(fā)的首臺(tái)CZT（碲鋅鎘）晶體生長(zhǎng)設(shè)備樣機(jī)順利出貨。

據(jù)介紹，此次出貨的CZT晶體生長(zhǎng)設(shè)備，精準(zhǔn)適配CZT晶體生長(zhǎng)核心工藝需求，設(shè)備可穩(wěn)定承受數(shù)MPa高壓，在嚴(yán)苛工況下能完成坩堝高精度升降、旋轉(zhuǎn)等動(dòng)作，搭載多段加熱器，可實(shí)現(xiàn)800-1100℃精準(zhǔn)控溫，其工藝腔體設(shè)計(jì)與熱場(chǎng)控制系統(tǒng)可兼容磷化銦（InP）單晶的生長(zhǎng)條件，可快速應(yīng)用于高頻電子器件襯底的制備。此外，該平臺(tái)還具備向砷化鎵（GaAs）、碲化鎘（CdTe）等化合物半導(dǎo)體材料拓展的潛力。

CZT晶體作為重要的II-VI族化合物半導(dǎo)體材料，擁有優(yōu)異的室溫核輻射探測(cè)性能、高電阻率及良好的能量分辨率，是高端輻射探測(cè)的核心基石，廣泛應(yīng)用于核醫(yī)學(xué)成像、安檢設(shè)備、空間探測(cè)、工業(yè)無(wú)損檢測(cè)及國(guó)防安全等多個(gè)戰(zhàn)略領(lǐng)域。

資料顯示，晶升股份成立于2012年，專注于晶體生長(zhǎng)設(shè)備和材料制備技術(shù)的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，重點(diǎn)攻克大尺寸半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅（SiC）長(zhǎng)晶爐等關(guān)鍵裝備的技術(shù)難題。目前，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體級(jí)單晶硅爐、碳化硅單晶爐等核心產(chǎn)品。

2025年12月29日，公司宣布自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐已完成小批量發(fā)貨并正式交付客戶使用，為12英寸碳化硅在先進(jìn)封裝及AR眼鏡等新興領(lǐng)域的應(yīng)用奠定了堅(jiān)實(shí)的國(guó)產(chǎn)化材料根基。
2026年1月，公司將對(duì)全資子公司南京晶升半導(dǎo)體科技有限公司的20255萬(wàn)元募集資金無(wú)息借款轉(zhuǎn)為增資，用于半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備總裝測(cè)試廠區(qū)建設(shè)項(xiàng)目，近日該子公司已完成工商變更登記手續(xù)，為后續(xù)產(chǎn)能擴(kuò)張奠定基礎(chǔ)。

（集邦化合物半導(dǎo)體整理）

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