文章分類： 氮化鎵GaN

又一半導體廠商獲臺積電氮化鎵技術授權，2027年建產(chǎn)線

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 03 月 03 日 16:26 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，羅姆宣布將整合自身在GaN（氮化鎵）功率器件方面的研發(fā)和制造技術與長期合作伙伴臺積電的工藝技術，計劃于2027年在濱松工廠建立相應生產(chǎn)體系，以滿足AI服務器等應用領域日益增長的需求。 羅姆和臺積電在技術轉讓完成后將友好結束雙方在車用GaN領域的合作關系。同時，兩家公司將繼續(xù)...  [詳內(nèi)文]

GaN賽道持續(xù)升溫，3家企業(yè)斬獲融資

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 03 月 02 日 15:18 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，氮化鎵（GaN）領域迎來密集融資動態(tài)，合肥美鎵傳感、湖州鎵奧科技、安徽先導極星三家企業(yè)先后官宣完成新一輪融資，涵蓋傳感、功率、射頻三大細分方向，國家級及地方國資、產(chǎn)業(yè)資本紛紛入局，彰顯出第三代半導體產(chǎn)業(yè)的強勁發(fā)展活力與投資價值。 01、合肥美鎵傳感獲國新國證領投，加速GaN...  [詳內(nèi)文]

EPC與瑞薩電子達成氮化鎵技術授權協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 14 日 13:57 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，全球增強型氮化鎵（eGaN）功率器件企業(yè)宜普電源轉換公司（EPC）宣布，已與瑞薩電子（Renesas）簽署一項全面的技術許可及第二來源（Second Sourcing）合作協(xié)議。 根據(jù)該協(xié)議，瑞薩將獲得EPC經(jīng)市場驗證的低壓eGaN技術及其成熟供應鏈生態(tài)系統(tǒng)的使用權，旨在通...  [詳內(nèi)文]

英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術展望》：氮化鎵市場進入高速增長爆發(fā)期

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 12 日 16:23 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
全球功率半導體領導者英飛凌（Infineon）近日正式發(fā)布白皮書《2026年GaN技術展望》，深度揭示了氮化鎵（GaN）技術在未來幾年的發(fā)展趨勢、創(chuàng)新突破及其在塑造可持續(xù)未來中的關鍵作用 。 英飛凌指出，氮化鎵（GaN）正作為一種變革性創(chuàng)新技術脫穎而出，在AI數(shù)據(jù)中心、人形機器人...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科GaN產(chǎn)品打入谷歌供應鏈

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 02 月 04 日 16:41 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
2月3日，英諾賽科在官網(wǎng)發(fā)布《有關與谷歌公司重大業(yè)務進展的公告》：公司旗下氮化鎵相關產(chǎn)品已成功完成在谷歌公司相關AI硬件平臺的重要設計導入，并正式簽訂合規(guī)供貨協(xié)議。 圖片來源：英諾賽科公告截圖 作為全球氮化鎵領域的頭部企業(yè)，英諾賽科此次與#谷歌 的合作，聚焦于AI服務器、數(shù)據(jù)中...  [詳內(nèi)文]

半導體大廠強強合作，氮化鎵產(chǎn)業(yè)迎變局

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 29 日 15:25 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著全球AI浪潮洶涌而至以及綠色能源轉型的迫切需求，第三代半導體氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)正迎來關鍵的黃金發(fā)展期。根據(jù)全球市場研究機構TrendForce集邦咨詢預估，全球GaN功率元件市場規(guī)模將以高達44%的年復合增長率，從2024年的3.9億美元一路攀升至2030年的35.1億美元...  [詳內(nèi)文]

西電團隊再次取得氮化鎵散熱突破

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 21 日 15:02 |
| 分類: 氮化鎵GaN
據(jù)西安電子科技大學官方消息，近日，郝躍院士張進成教授團隊的最新研究在這一核心難題上實現(xiàn)了歷史性跨越——他們通過將材料間的“島狀”連接轉化為原子級平整的“薄膜”，使芯片的散熱效率與綜合性能獲得了飛躍性提升。 這個問題自2014年相關成核技術獲得諾貝爾獎以來，一直未能徹底解決，成為制...  [詳內(nèi)文]

三家公司獲新一輪融資，涉及碳化硅、氮化鎵與射頻

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 19 日 15:17 | | 分類: 企業(yè) , 射頻 , 氮化鎵GaN
近日，半導體行業(yè)融資領域動作不斷，上海芯元基半導體科技有限公司完成B+輪融資，蘇州能訊高能半導體有限公司完成D輪融資，北京序輪科技有限公司完成總額超億元的A3、A4輪戰(zhàn)略融資，這三家公司的融資涉及碳化硅、氮化鎵與射頻等熱門領域，在行業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關注。 1、芯元基半導體B+輪融資 ...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科GaN芯片累計出貨破20億顆

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 09 日 17:29 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，英諾賽科通過官方微信公眾號宣布其氮化鎵（GaN）功率芯片累計出貨量已達20億顆。 圖片來源：英諾賽科 據(jù)公開數(shù)據(jù)顯示，英諾賽科的氮化鎵芯片出貨量實現(xiàn)了跨越式增長：2019年累計出貨量尚不足500萬顆，到2024年已突破12億顆，2025年便攀升至20億顆，較2024年同比...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵襯底材料廠商IPO申請獲受理

作者 | 發(fā)布日期: 2026 年 01 月 04 日 16:08 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2025年12月31日，上海證券交易所官網(wǎng)公示信息顯示，廣東中圖半導體科技股份有限公司（簡稱“中圖科技”）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的申請已正式獲受理，保薦機構為國泰海通證券股份有限公司，審計機構為天健會計師事務所(特殊普通合伙)，律師事務所為北京市中倫律師事務所。 圖片來...  [詳內(nèi)文]