文章分類： 氮化鎵GaN

九峰山實驗室氮化鎵新突破！即將中試驗證

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2025年12月4日，九峰山實驗室宣布了一項重大的科技突破——氮化鎵電源模塊的研發(fā)成功。該電源模塊只有拇指大小，100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費。 圖片來源：中國光谷 團隊負責人李...  [詳內文]

新微半導體：氮化鎵功率全工藝平臺年產(chǎn)能突破60,000片

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:40 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，由臨港新片區(qū)管理委員會指導，新微半導體主辦的“氮化鎵驅動AI芯時代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會”成功舉行。 會上，新微半導體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺發(fā)布，同時該公司氮化鎵功率全工藝平臺實現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。 圖片來源：新微半導體 新微半導體指出...  [詳內文]

英諾賽科“朋友圈”+1，攜手安森美劍指200毫米氮化鎵技術

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:29 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過驗證的200毫米氮化鎵對硅工藝，擴大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。 圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖 此次合作將結合Onsemi的系統(tǒng)集成、...  [詳內文]

全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:17 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，廣東致能半導體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地。 圖片來源：廣東致能半導體官微 據(jù)介紹，致能半導體通過導入行業(yè)領先的制造工藝及創(chuàng)新的技術平臺，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學性能、制造一致性等核心指標方面均...  [詳內文]

1.14億港元，LED企業(yè)收購氮化鎵廠商

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 05 日 15:52 | | 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月1日，宏光半導體發(fā)布公告，擬以約1.14億元港元收購深圳鎵宏半導體約12.98%的股權，加碼第三代半導體業(yè)務。 交易方式上，代價A將由宏光半導體通過向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬股股份的方式支付，發(fā)行價為每股0.50港元。代價B將由公司通過向賣方B發(fā)行承兌票...  [詳內文]

9mΩ車規(guī)級GaN FET：打破功率氮化鎵能效天花板？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ車規(guī)級氮化鎵場效應晶體管（GaN FET）。這款符合汽車AEC-Q101標準的650V氮化鎵分立器件，以全球最小的9mΩ導通電阻（Rds(on)），將為新能源汽車、工業(yè)電機、儲能系統(tǒng)、光伏逆變等多領域帶來更多技術突破的...  [詳內文]

累計出貨1億顆！氮化鎵電源芯片廠商啟動IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:53 | | 分類: 氮化鎵GaN
11月21日，東科半導體在安徽證監(jiān)局辦理了IPO輔導備案登記，正式啟動了在A股市場的上市進程，輔導機構為東方證券，隨后在同月23日被證監(jiān)會官網(wǎng)列入已啟動IPO的企業(yè)名單。此舉標志著公司從高速成長的技術創(chuàng)新企業(yè)向資本市場邁出關鍵一步。 圖片來源：中國證監(jiān)會官網(wǎng)截圖 資料顯示，#東...  [詳內文]

Allegro與英諾賽科聯(lián)合，推出全GaN參考設計

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:48 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月25日，全球領先的硅基氮化鎵制造供應商英諾賽科與全球運動控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領導者之一Allegro MicroSystems, Inc.（以下簡稱“Allegro”），宣布達成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的4.2kW全GaN參考設計，該設計采用了Allegro的...  [詳內文]

高瓴創(chuàng)投、紅杉中國等入股氮化鎵相關廠商

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 16:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，工商變更信息顯示，星鑰半導體（武漢）有限公司完成股權融資，新增投資方為高瓴創(chuàng)投、紅杉中國、柏睿資本。 資料顯示，星鑰半導體專注于硅基Micro-LED產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心是把第三代半導體材料氮化鎵的發(fā)光單元微縮至微米級乃至納米級并高度集成陣列，主打高亮度Micro-...  [詳內文]

氮化鎵新突破，中國首個“負壓直驅”千瓦級GaN器件點亮

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 10:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國內氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)迎來新突破。鎵奧科技成功點亮國內首個5000W-7000W級負壓直驅GaN封裝樣機，填補國內千瓦級高壓直驅技術空白；南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610，以高集成、高精度驅動性能適配高端電源場景。 兩項成果分別聚焦大功率工業(yè)級應用與...  [詳內文]