文章分類： 氮化鎵GaN

9mΩ車規(guī)級GaN FET：打破功率氮化鎵能效天花板？

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET）。這款符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的650V氮化鎵分立器件，以全球最小的9mΩ導(dǎo)通電阻（Rds(on)），將為新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、儲能系統(tǒng)、光伏逆變等多領(lǐng)域帶來更多技術(shù)突破的...  [詳內(nèi)文]

累計(jì)出貨1億顆！氮化鎵電源芯片廠商啟動(dòng)IPO

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:53 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月21日，東科半導(dǎo)體在安徽證監(jiān)局辦理了IPO輔導(dǎo)備案登記，正式啟動(dòng)了在A股市場的上市進(jìn)程，輔導(dǎo)機(jī)構(gòu)為東方證券，隨后在同月23日被證監(jiān)會官網(wǎng)列入已啟動(dòng)IPO的企業(yè)名單。此舉標(biāo)志著公司從高速成長的技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)向資本市場邁出關(guān)鍵一步。 圖片來源：中國證監(jiān)會官網(wǎng)截圖 資料顯示，#東...  [詳內(nèi)文]

Allegro與英諾賽科聯(lián)合，推出全GaN參考設(shè)計(jì)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:48 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月25日，全球領(lǐng)先的硅基氮化鎵制造供應(yīng)商英諾賽科與全球運(yùn)動(dòng)控制與節(jié)能系統(tǒng)電源及傳感解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一Allegro MicroSystems, Inc.（以下簡稱“Allegro”），宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作，推出了一款開創(chuàng)性的4.2kW全GaN參考設(shè)計(jì)，該設(shè)計(jì)采用了Allegro的...  [詳內(nèi)文]

高瓴創(chuàng)投、紅杉中國等入股氮化鎵相關(guān)廠商

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 16:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，工商變更信息顯示，星鑰半導(dǎo)體（武漢）有限公司完成股權(quán)融資，新增投資方為高瓴創(chuàng)投、紅杉中國、柏睿資本。 資料顯示，星鑰半導(dǎo)體專注于硅基Micro-LED產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，核心是把第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的發(fā)光單元微縮至微米級乃至納米級并高度集成陣列，主打高亮度Micro-...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵新突破，中國首個(gè)“負(fù)壓直驅(qū)”千瓦級GaN器件點(diǎn)亮

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 12 月 01 日 10:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，國內(nèi)氮化鎵（GaN）產(chǎn)業(yè)迎來新突破。鎵奧科技成功點(diǎn)亮國內(nèi)首個(gè)5000W-7000W級負(fù)壓直驅(qū)GaN封裝樣機(jī)，填補(bǔ)國內(nèi)千瓦級高壓直驅(qū)技術(shù)空白；南芯科技推出700V高壓GaN半橋功率芯片SC3610，以高集成、高精度驅(qū)動(dòng)性能適配高端電源場景。 兩項(xiàng)成果分別聚焦大功率工業(yè)級應(yīng)用與...  [詳內(nèi)文]

6000萬元，氮化鎵相關(guān)廠商布局光刻機(jī)賽道

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 20 日 13:57 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
11月18日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱“賽微電子”）發(fā)布公告，計(jì)劃以不超過6000萬元的交易總價(jià)收購北京芯東來半導(dǎo)體科技有限公司的部分股權(quán)。 賽微電子擬分別購買芯東來原股東海南依邁、智能傳感產(chǎn)業(yè)基金、潯元投資、海創(chuàng)智能裝備持有的4.11%、3.00%、2.80%和1.09%...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵再傳新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 18 日 14:38 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，信越化學(xué)宣布，比利時(shí)微電子研究中心（imec）利用QST襯底[一種300mm氮化鎵(GaN)生長襯底]制造出厚度為5μm的GaN HEMT結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了超過650V的高擊穿電壓。 資料顯示，QST襯底是由美國公司Qromis開發(fā)的專用于GaN生長的復(fù)合材料襯底。信越化學(xué)于20...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進(jìn) GaN/SiC 技術(shù)新進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 18 日 14:33 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要技術(shù)進(jìn)展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]

1億美元，氮化鎵大廠推進(jìn)融資

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 12 日 13:51 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近期，納微半導(dǎo)體在官網(wǎng)宣布，公司已就購買和出售合計(jì)1481.4813萬股A類普通股簽訂最終證券購買協(xié)議，每股購買價(jià)格為6.75美元。本次私募發(fā)行扣除應(yīng)付的承銷商傭金及發(fā)行費(fèi)用后，私募發(fā)行預(yù)計(jì)將帶來約1億美元總募集資金。 納微半導(dǎo)體計(jì)劃將本次發(fā)行凈收益用于營運(yùn)資金及其他一般公司用途...  [詳內(nèi)文]

格芯/英偉達(dá)兩大半導(dǎo)體巨頭“瞄準(zhǔn)”氮化鎵

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 11 月 11 日 14:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
11月10日，格芯（GlobalFoundries）宣布與臺積電（TSMC）簽署技術(shù)授權(quán)協(xié)議，獲準(zhǔn)使用臺積電的650?V與80?V氮化鎵（GaN）技術(shù)。該授權(quán)旨在幫助格芯加速在美國本土推出面向數(shù)據(jù)中心、工業(yè)以及汽車市場的全新GaN電源產(chǎn)品組合，開發(fā)時(shí)間定于2026年初，生產(chǎn)將于今...  [詳內(nèi)文]