這家功率大廠宣布推出垂直GaN半導(dǎo)體!

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 11 月 03 日 14:57 | 分類 氮化鎵GaN

10月31日,安森美官微宣布推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導(dǎo)體,為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。該技術(shù)在安森美紐約錫拉丘茲的工廠研發(fā)和制造,并已獲得涵蓋垂直GaN技術(shù)的基礎(chǔ)工藝、器件設(shè)計(jì)、制造以及系統(tǒng)創(chuàng)新的130多項(xiàng)全球?qū)@?/p>

圖片來源:安森美

據(jù)介紹,安森美的垂直氮化鎵技術(shù)采用單芯片設(shè)計(jì),可應(yīng)對1,200伏及以上高壓,高頻開關(guān)大電流,能效卓越。基于該技術(shù)構(gòu)建的高端電源系統(tǒng)能降低近50%的能量損耗,同時(shí)因其更高的工作頻率,因而電容器和電感等被動(dòng)元件尺寸可縮減約一半。而且,與目前市售的橫向GaN器件相比,垂直氮化鎵器件的體積約為其三分之一。此外,安森美目前已開始向早期客戶提供700V和1200V器件樣品。

安森美是一家專注于推動(dòng)能源效率和創(chuàng)新的半導(dǎo)體供應(yīng)商。作為一家IDM(整合器件制造)公司,安森美在電源管理、傳感和連接等領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。公司致力于通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對全球能源挑戰(zhàn),其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)、通信、醫(yī)療和消費(fèi)電子等市場。近年來,安森美將戰(zhàn)略重心放在了智能化電源和智能化感知上,尤其在第三代半導(dǎo)體(如SiC和GaN)領(lǐng)域持續(xù)投入,是電動(dòng)汽車和可再生能源市場的關(guān)鍵參與者。

垂直氮化鎵:開啟功率半導(dǎo)體新時(shí)代

傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件多采用橫向結(jié)構(gòu)(通常是GaN-on-Si,即在硅襯底上生長氮化鎵),電流沿芯片表面橫向流動(dòng)。這種結(jié)構(gòu)在高頻低壓應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,但在需要處理高電壓和大電流時(shí),會受到限制。

垂直氮化鎵(vGaN)的核心特殊性在于采用了GaN-on-GaN技術(shù),實(shí)現(xiàn)了垂直電流導(dǎo)通。一方面,垂直結(jié)構(gòu)天然適合承受更高的電壓,因?yàn)閾舸╇妷褐饕Q于垂直方向上的漂移層厚度,能更有效地應(yīng)對1200V及以上的高壓;另一方面,電流垂直流動(dòng),使得器件設(shè)計(jì)更加緊湊,能在更小的芯片面積上處理更大的功率;并且,使用同質(zhì)GaN襯底(GaN-on-GaN)可以顯著減少晶格失配引起的缺陷,提高器件的可靠性和耐用性。

總的來說,垂直GaN填補(bǔ)了橫向GaN和碳化硅(SiC)之間的應(yīng)用空白,特別是在需要兼顧高壓、高頻和高功率密度的領(lǐng)域,是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的一次重大技術(shù)升級。

在應(yīng)用場景方面,垂直氮化鎵技術(shù)尤其適合對功率密度、熱性能和可靠性有嚴(yán)苛要求的關(guān)鍵大功率應(yīng)用領(lǐng)域。例如AI數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車(EV)、可再生能源,以及航空航天等領(lǐng)域。

具體來看,應(yīng)用在AI數(shù)據(jù)中心,可減少元器件數(shù)量,提高AI計(jì)算系統(tǒng)800V DC-DC轉(zhuǎn)換器的功率密度,顯著優(yōu)化單機(jī)架成本;

在電動(dòng)汽車領(lǐng)域可以打造更小、更輕、更高效的逆變器,提升電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程;應(yīng)用在充電基礎(chǔ)設(shè)施,可以實(shí)現(xiàn)更快、更小、更穩(wěn)健的充電設(shè)備;

應(yīng)用在可再生能源,可以提升太陽能和風(fēng)能逆變器的電壓處理能力,降低能量損耗;儲能系統(tǒng)(ESS)則為電池變流器和微電網(wǎng)提供快速、高效、高密度的雙向供電;

工業(yè)自動(dòng)化領(lǐng)域可以開發(fā)體積更小、散熱性能更好、能效更高的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和機(jī)器人系統(tǒng);在航空航天領(lǐng)域可以打造性能更強(qiáng)、穩(wěn)健性更高、設(shè)計(jì)更緊湊的方案。

結(jié)語

垂直GaN技術(shù)由于技術(shù)壁壘高,全球能實(shí)現(xiàn)突破的企業(yè)較少,安森美此次推出的垂直氮化鎵功率半導(dǎo)體是行業(yè)內(nèi)的一個(gè)重要里程碑,它預(yù)示著GaN技術(shù)正從傳統(tǒng)的中低壓消費(fèi)市場,逐步向高壓、大功率的工業(yè)、汽車和AI數(shù)據(jù)中心等核心基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域滲透,進(jìn)一步加速全球電氣化和能效提升的進(jìn)程。

(集邦化合物半導(dǎo)體 金水 整理)

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