近期，國內(nèi)第三代半導體領域捷報頻傳，深圳、蘇州兩地在核心技術與關鍵工藝上相繼取得突破性進展：深圳平湖實驗室聯(lián)合高校團隊研制出具備反向導電特性的新型SiC光控晶體管，為脈沖功率領域應用提供新方向；蘇州則由科研機構與企業(yè)攜手，在大尺寸碳化硅晶錠激光隱形切割技術上實現(xiàn)重大突破，進一步完善碳化硅材料加工工藝鏈條。

1、深圳：SiC光控晶體管研制方面取得新進展

近期，深圳平湖實驗室與西安理工大學功率半導體器件及裝備創(chuàng)新團隊聯(lián)合研究的最新成果在國際權威期刊 IEEE Electron Device Letters（EDL）上發(fā)表(doi: 10.1109/LED.2025.3593224)，論文題為 “Pulsed Characterization of 1.2 kVSiCOptically Controlled Transistor With Reverse Conducting Performance”。該工作提出并制備了一種具備反向導電特性的新型4H-SiC光控晶體管（RC-OCT），實現(xiàn)了SiC光控器件在脈沖功率領域的創(chuàng)新性突破。

圖片來源：平湖實驗室

本研究為SiC光控晶體管在脈沖功率開關器件中的應用提供了實驗基礎與設計思路，對推動SiC光控器件向更高電壓、更高功率、更快速度方向發(fā)展具有重要意義。

資料顯示，深圳平湖實驗室是國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（深圳）的運營主體，其使命是聚焦第三代半導體領域器件物理研究、材料研究、技術開發(fā)、產(chǎn)品中試，并前瞻性布局第四代半導體前沿研究，致力于打造第三代及第四代功率半導體科研與中試平臺。

2025年，深圳平湖實驗室在GaN/SiC集成領域取得突破性進展，國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結構外延，打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術瓶頸。

此外，其自主知識產(chǎn)權8英寸高性能溝槽柵SiC MOSFET芯片工藝平臺流片成功，在SiC激光剝離技術領域取得新進展，性能指標達到國際先進水平。

2、蘇州：大尺寸碳化硅激光切割技術取得突破性進展

10月28日，江蘇第三代半導體研究院官微宣布，江蘇第三代半導體研究院、國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合蘇州博宏源設備股份有限公司共建晶體加工中心，聯(lián)合開展激光隱形切割技術的研發(fā)，在大尺寸碳化硅晶錠激光隱形切割上取得重大技術突破。

圖片來源：江蘇第三代半導體研究院

據(jù)介紹，激光隱形切割(Stealth dicing，簡稱SD)碳化硅晶錠的原理是利用激光光學非線性效應，使激光穿透碳化硅晶體表面，在晶體內(nèi)部聚焦導致碳與硅原子發(fā)生熱致開裂、化學鍵斷裂與分解、激光誘導電離等一系列物理化學過程，形成垂直于激光入射方向的改質(zhì)層，在外力物理作用下實現(xiàn)碳化硅晶片的剝離切割。

資料顯示，江蘇第三代半導體研究院是由江蘇省、蘇州市、蘇州工業(yè)園區(qū)與第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟和研究院核心運營團隊共建的新型研發(fā)機構。國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心以江蘇第三代半導體研究院為主體進行建設，主要聚焦第三代半導體在新型顯示、下一代通信、電力電子、環(huán)境與健康等領域的應用。

#蘇州博宏源 則是一家專注于化合物、藍寶石、光學等硬脆材料的高精度研磨拋光加工裝備的研發(fā)與制造的企業(yè)。2025年，華海清科股份有限公司完成對蘇州博宏源的戰(zhàn)略投資，雙方將在研發(fā)、供應鏈、銷售等領域深度協(xié)同合作，共同構建精密減薄、研磨、拋光平面化裝備的一站式平臺。

（集邦化合物半導體 金水 整理）

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