芯聯(lián)集成發(fā)布全新碳化硅G2.0技術平臺

作者 | 發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分類 碳化硅SiC

11月16日,芯聯(lián)集成宣布正式發(fā)布全新碳化硅G2.0技術平臺,采用了8英寸更先進制造技術,已達到全球領先水平。

據(jù)介紹,該技術平臺通過器件結構與工藝制程的雙重優(yōu)化,實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標,全面覆蓋電驅與電源兩大核心應用場景,可廣泛應用新能源汽車主驅、車載電源及AI數(shù)據(jù)中心電源等廣闊市場。

在電驅領域,芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電驅版憑借更低導通損耗與優(yōu)異開關軟度,功率密度提升20%,可顯著增強新能源汽車主驅系統(tǒng)動力輸出與能效表現(xiàn),為整車續(xù)航提升提供關鍵支撐。

圖片來源:芯聯(lián)集成

在電源場景中,芯聯(lián)集成碳化硅G2.0電源版針對性優(yōu)化寄生電容設計,通過封裝優(yōu)化強化散熱,開關損耗降低高達30%,兼具強化的動態(tài)可靠性設計,實現(xiàn)電源轉換效率與系統(tǒng)功率密度大幅提升,完美適配SST、HVDC等AI數(shù)據(jù)中心電源及車載OBC電源需求。

資料顯示,芯聯(lián)集成成立于2018年,是一家專注于功率、傳感和傳輸應用領域,提供模擬芯片及模塊封裝的代工服務的制造商。主要從事MEMS、IGBT、MOSFET、模擬ICMCU的研發(fā)、生產、銷售,為汽車、新能源、工控家電等領域提供完整的一站式芯片系統(tǒng)代工方案。

11月12日,芯聯(lián)集成旗下產業(yè)投資機構芯聯(lián)資本宣布完成首期12.5億元主基金募集。該支基金整體規(guī)模預計超15億元,當前重點布局半導體上游(設備、材料和零部件)、設計公司以及下游人工智能、機器人和新能源等硬科技相關領域。

在財報表現(xiàn)方面,10月27日芯聯(lián)集成發(fā)布了2025年第三季度財報,數(shù)據(jù)顯示,第三季度公司實現(xiàn)營收19.27億元,同比增長15.52%。受第三季度良好業(yè)績帶動,公司前三季度累計營業(yè)收入達54.22億元,同比增長19.23%,實現(xiàn)毛利率3.97%,連續(xù)五個季度正毛利增長,盈利基本面持續(xù)夯實。

此外,據(jù)介紹,芯聯(lián)集成自主研發(fā)的8英寸SiCMOSFET器件已送樣歐美AI公司,這也標志著芯聯(lián)集成在“新能源+AI”雙賽道布局中取得關鍵突破。

 

(集邦化合物半導體 Niko 整理)

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