近期,江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱超芯星)正式在全球同步發(fā)布High Purity P-type SiC(高純度P型碳化硅)襯底。
圖片來源:超芯星
資料顯示,P型碳化硅襯底是制備超高壓IGBT的核心基礎(chǔ)材料。長(zhǎng)期以來,全球P型碳化硅襯底行業(yè)始終被一個(gè)致命痛點(diǎn)困擾——Fe...  [詳內(nèi)文]
這家廠商發(fā)布高純度P型SiC襯底,賦能IGBT產(chǎn)業(yè)升級(jí) |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2025 年 12 月 31 日 17:23
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關(guān)鍵字:
P型SiC襯底
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