Author Archives: KikiWang

氧化鎵入選浙江省重大科技成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 17:02 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
近期，浙江省科技廳公布2025年度重大科技成果，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司的氧化鎵系列成果入選。 圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽為“第四代半導(dǎo)體”的氧化鎵...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技與頭部車企達成長期合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:57 | 分類 企業(yè)
12月2日，揚杰科技與奔馳正式簽署長期合作協(xié)議，標(biāo)志著揚杰科技在核心產(chǎn)品競爭力與全球市場拓展方面取得積極進展。 圖片來源：揚杰科技 根據(jù)雙方披露的合作細節(jié)，早在協(xié)議簽署的兩年前，揚杰科技便已啟動與奔馳技術(shù)團隊的深度對接。面對奔馳及其供應(yīng)鏈在應(yīng)用適配、可靠性驗證等方面的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，...  [詳內(nèi)文]

九峰山實驗室氮化鎵新突破！即將中試驗證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:52 | 分類 氮化鎵GaN
2025年12月4日，九峰山實驗室宣布了一項重大的科技突破——氮化鎵電源模塊的研發(fā)成功。該電源模塊只有拇指大小，100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費。 圖片來源：中國光谷 團隊負責(zé)人李...  [詳內(nèi)文]

新微半導(dǎo)體：氮化鎵功率全工藝平臺年產(chǎn)能突破60,000片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分類 氮化鎵GaN
近期，由臨港新片區(qū)管理委員會指導(dǎo)，新微半導(dǎo)體主辦的“氮化鎵驅(qū)動AI芯時代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會”成功舉行。 會上，新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺發(fā)布，同時該公司氮化鎵功率全工藝平臺實現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。 圖片來源：新微半導(dǎo)體 新微半導(dǎo)體指出...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)紹興集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，兩大半導(dǎo)體項目同步落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:37 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近期，芯聯(lián)集成在資本、財務(wù)及技術(shù)端密集布局。12月2日，公司正式設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金并綁定關(guān)鍵供應(yīng)商，此前三季報顯示營收增長近兩成且虧損大幅收窄。結(jié)合最新發(fā)布的碳化硅G2.0技術(shù)平臺，公司正通過“補鏈”與“擴產(chǎn)”雙管齊下，為2026年預(yù)期的扭虧為盈目標(biāo)積蓄動能。 圖片來源：芯聯(lián)集成官微...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科“朋友圈”+1，攜手安森美劍指200毫米氮化鎵技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:29 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導(dǎo)體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過驗證的200毫米氮化鎵對硅工藝，擴大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。 圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖 此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、...  [詳內(nèi)文]

全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:17 | 分類 氮化鎵GaN
近日，廣東致能半導(dǎo)體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個8英寸藍寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地。 圖片來源：廣東致能半導(dǎo)體官微 據(jù)介紹，致能半導(dǎo)體通過導(dǎo)入行業(yè)領(lǐng)先的制造工藝及創(chuàng)新的技術(shù)平臺，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學(xué)性能、制造一致性等核心指標(biāo)方面均...  [詳內(nèi)文]

這個碳化硅芯片封裝項目正式落地成都
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:12 | 分類 碳化硅SiC
中科光智近期完成B輪融資首家簽約并獲數(shù)千萬元投資，碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心正式落地成都金牛，將填補區(qū)域半導(dǎo)體制造后道環(huán)節(jié)空白。 圖片來源：中科光智 項目落地金牛區(qū)，補強半導(dǎo)體封測產(chǎn)業(yè)鏈 近期，成都市金牛區(qū)人民政府與中科光智簽署投資合作協(xié)議，標(biāo)志著碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中...  [詳內(nèi)文]

1.14億港元，LED企業(yè)收購氮化鎵廠商
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 15:52 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月1日，宏光半導(dǎo)體發(fā)布公告，擬以約1.14億元港元收購深圳鎵宏半導(dǎo)體約12.98%的股權(quán)，加碼第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。 交易方式上，代價A將由宏光半導(dǎo)體通過向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬股股份的方式支付，發(fā)行價為每股0.50港元。代價B將由公司通過向賣方B發(fā)行承兌票...  [詳內(nèi)文]

芯上微裝首臺350nm步進光刻機發(fā)運，助力國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 02 日 18:33 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近期，上海芯上微裝科技股份有限公司（以下簡稱“芯上微裝”）自主研發(fā)的首臺350nm步進光刻機（AST6200 ）正式完成出廠調(diào)試與驗收，啟程發(fā)往客戶現(xiàn)場，將為國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體制造提供強有力的核心裝備支撐。 圖片來源：芯上微裝 AST6200光刻機是芯上微裝基于多年光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計、...  [詳內(nèi)文]