文章分類： 企業(yè)

電網(wǎng)領(lǐng)域開啟碳化硅產(chǎn)業(yè)化應用新藍海，天岳先進助力行業(yè)新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:10 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，中國電機工程學會電力系統(tǒng)電力電子器件專委會主任委員邱宇峰在接受央媒《經(jīng)濟日報》采訪時表示，“作為成熟的第三代半導體材料，碳化硅取代現(xiàn)行的硅基是必然趨勢。碳化硅產(chǎn)業(yè)會有兩波應用浪潮，第一波在電動汽車領(lǐng)域，第二波在電網(wǎng)領(lǐng)域?？梢钥隙ǖ氖牵蓟柙陔娋W(wǎng)上的需求將堪比新能源汽車?！?..  [詳內(nèi)文]

晶盛機電、拉普拉斯2024年報出爐

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，拉普拉斯、晶盛機電兩家碳化硅領(lǐng)域相關(guān)公司相繼公布2024年報。   1、拉普拉斯營收同比增長93.12% 拉普拉斯實現(xiàn)營業(yè)總收入57.28億元，同比增長93.12%；歸屬凈利潤7.29億元，同比增長77.53%。 2024年，拉普拉斯研發(fā)費用為2.96億元，同比增...  [詳內(nèi)文]

功率半導體領(lǐng)域新一批專利曝光

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 21 日 14:06 |
| 分類: 企業(yè) , 功率
隨著新能源汽車、光伏儲能等產(chǎn)業(yè)對高性能功率器件需求的激增，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體技術(shù)迎來新的發(fā)展機遇。近日，國家知識產(chǎn)權(quán)局顯示，國內(nèi)一些企業(yè)在功率器件散熱設(shè)計、封裝工藝及晶圓處理等關(guān)鍵領(lǐng)域取得系列專利。 1、寧德時代取得功率半導體器件和散熱裝置專...  [詳內(nèi)文]

Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 18 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱“瑞薩電子”）達成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術(shù)授權(quán)。 source：集邦化合物半導體截圖 Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電...  [詳內(nèi)文]

碳化硅液冷超充模塊助力，致瞻科技斬獲歐洲頭部企業(yè)數(shù)億元戰(zhàn)略訂單

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 18 日 13:36 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
致瞻科技與歐洲行業(yè)頭部企業(yè)正式簽署長期保障供貨協(xié)議，憑借高可靠性碳化硅功率模塊技術(shù)和液冷超充系統(tǒng)集成能力，成為該客戶在超充領(lǐng)域的核心供應商，將以確定性產(chǎn)能鎖定方式在未來數(shù)年內(nèi)持續(xù)供應價值數(shù)億元的碳化硅液冷超充模塊。 source：致瞻科技 據(jù)悉，致瞻科技（上海）有限公司是一家聚...  [詳內(nèi)文]

投資3.9億元，同光科技年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 17 日 14:11 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，全國建設(shè)項目環(huán)境信息公示平臺發(fā)布了“河北同光科技發(fā)展有限公司年產(chǎn)7萬片碳化硅單晶襯底項目竣工環(huán)境保護驗收公示”。 該項目總投資38863.5萬元，環(huán)保投資390萬元，占投資的1.00%。 資料顯示，河北同光科技發(fā)展有限公司成立于2020年4月，位于保定市淶源縣河北淶源經(jīng)...  [詳內(nèi)文]

南京新增一家碳化硅相關(guān)設(shè)備公司，注冊資本1000萬元

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 17 日 14:10 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
企查查顯示，4月上旬，南京晶逸半導體科技有限公司成立，法定代表人為張小潞，注冊資本1000萬元，經(jīng)營范圍包含：半導體器件專用設(shè)備制造；電子專用設(shè)備制造；電子專用材料制造；石墨及碳素制品制造等。 source：集邦化合物半導體截圖 企查查股權(quán)穿透顯示，該公司由晶升股份等共同持...  [詳內(nèi)文]

士蘭微、方正微電子碳化硅新動態(tài)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 17 日 14:08 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，國內(nèi)碳化硅廠商方正微電子、士蘭微電子最新產(chǎn)品動態(tài)曝光。 1、方正微電子發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS產(chǎn)品 近期，方正微電子正式發(fā)布第二代車規(guī)主驅(qū)SiC MOS 1200V 13mΩ產(chǎn)品，在第一代的高可靠基礎(chǔ)上，進一步提升性能，縮小Die size，提升FOM值，實現(xiàn)了在行...  [詳內(nèi)文]

河南，發(fā)力碳化硅等相關(guān)材料領(lǐng)域！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 16 日 12:59 |
| 分類: 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，河南省工業(yè)和信息化廳、河南省財政廳、河南省科學院聯(lián)合關(guān)于發(fā)布《河南省重點新材料首批次應用示范指導目錄（2025版）》的通告，涉及碳化硅等碳材料： 鋁基碳化硅復合材料薄板 (1)厚度0.05mm至1.0mm；(2)屈服強度≥320MPa；(3)延伸率≥3%；(4)熱導率≥12...  [詳內(nèi)文]

實現(xiàn)量產(chǎn)！英諾賽科發(fā)布氮化鎵新產(chǎn)品

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 04 月 16 日 12:56 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
4月14日，英諾賽科發(fā)布公告，宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵（GaN）產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)。 source：集邦化合物半導體截圖 公告介紹，該款產(chǎn)品憑借寬禁帶特性，在高壓高頻場景優(yōu)勢顯著，具備零反向恢復電荷的核心優(yōu)勢，有助于進一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化，可廣泛應用于新能源...  [詳內(nèi)文]