全球功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌(Infineon)近日正式發(fā)布白皮書(shū)《2026年GaN技術(shù)展望》,深度揭示了氮化鎵(GaN)技術(shù)在未來(lái)幾年的發(fā)展趨勢(shì)、創(chuàng)新突破及其在塑造可持續(xù)未來(lái)中的關(guān)鍵作用 。
英飛凌指出,氮化鎵(GaN)正作為一種變革性創(chuàng)新技術(shù)脫穎而出,在AI數(shù)據(jù)中心、人形機(jī)器人...  [詳內(nèi)文]
英飛凌發(fā)布《2026年GaN技術(shù)展望》:氮化鎵市場(chǎng)進(jìn)入高速增長(zhǎng)爆發(fā)期 |
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作者
KikiWang
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發(fā)布日期:
2026 年 02 月 12 日 16:23
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關(guān)鍵字:
氮化鎵
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