2026年以來，全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入新一輪擴(kuò)張周期，中國企業(yè)在政策與市場雙輪驅(qū)動下加速資本化進(jìn)程。
5月11日，株洲科能新材料股份有限公司（簡稱“株洲科能”）科創(chuàng)板IPO申請獲上海證券交易所受理，成為2026年以來第7家獲受理的科創(chuàng)板IPO項(xiàng)目。
與此同時，如臻寶科技、度亙核芯等多家涉及化合物半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體的企業(yè)密集推進(jìn)上市，資本市場熱度持續(xù)攀升，國產(chǎn)替代進(jìn)程持續(xù)加速。
1、株洲科能二次沖板，擬募資5.6億元
據(jù)上交所披露的招股書申報稿，株洲科能本次IPO保薦機(jī)構(gòu)為申港證券，擬募集資金5.6億元，主要投向年產(chǎn)500噸半導(dǎo)體高純材料及回收項(xiàng)目、稀散金屬先進(jìn)材料研發(fā)中心建設(shè)，剩余資金用于補(bǔ)充流動資金，聚焦化合物半導(dǎo)體以及ITO、IGZO等靶材合成所需的核心關(guān)鍵基礎(chǔ)材料的研發(fā)與生產(chǎn)。
圖片來源：上交所信息截圖
公開信息顯示，株洲科能專注于稀散金屬高純材料領(lǐng)域，核心產(chǎn)品包括高純鎵、高純銦、氧化銦、氧化鎵等，這些材料是制備磷化銦、砷化鎵、氮化鎵等化合物半導(dǎo)體的關(guān)鍵原材料，終端應(yīng)用覆蓋5G/6G通信、AI算力、新型顯示、新能源汽車等高端領(lǐng)域。
財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，公司近年?duì)I收持續(xù)高速增長，2023年至2025年，營業(yè)收入分別為6.09億元、7.87億元、10.27億元，三年復(fù)合增長率超30%，強(qiáng)勁的增長勢頭印證了下游化合物半導(dǎo)體及先進(jìn)顯示產(chǎn)業(yè)的旺盛需求。
此次為株洲科能第二次沖擊科創(chuàng)板。公司曾于2023年6月首次獲上交所受理，后于2025年10月主動撤回申請；2025年11月完成輔導(dǎo)備案，2026年5月再度申報。
2、全鏈條IPO密集推進(jìn)，SiC/GaN成焦點(diǎn)
株洲科能的IPO并非個例，2026年以來，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域至少10家企業(yè)沖刺IPO，其中碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）成為資本關(guān)注的核心焦點(diǎn)。
在碳化硅領(lǐng)域，4月17日，中國證監(jiān)會官網(wǎng)正式發(fā)布批復(fù)文件，同意重慶臻寶科技股份有限公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的注冊申請。
圖片來源：中國證監(jiān)會官網(wǎng)文件截圖
資料顯示，臻寶科技成立于2016年，公司主營產(chǎn)品覆蓋硅基、石英、碳化硅、氧化鋁陶瓷等多品類半導(dǎo)體設(shè)備核心零部件。財報數(shù)據(jù)顯示，2023年至2025年公司經(jīng)營業(yè)績持續(xù)走高，期間營業(yè)收入分別達(dá)到5.06億元、6.35億元、8.68億元，歸母凈利潤依次為1.09億元、1.52億元、2.26億元。
3月30日，碳化硅外延企業(yè)瀚天天成正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市，成為港股市場又一家聚焦第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的企業(yè)。
圖片來源：瀚天天成
在去年12月，瀚天天成正式宣布推出全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片，這是其在SiC外延領(lǐng)域的重要技術(shù)突破。該產(chǎn)品關(guān)鍵性能表現(xiàn)優(yōu)異，外延層厚度不均勻性控制在3%以內(nèi)，摻雜濃度不均勻性≤8%，2mm×2mm芯片良率超96%，可充分滿足下游功率器件領(lǐng)域的高可靠性應(yīng)用需求。
氮化鎵領(lǐng)域同樣動作頻頻。
5月8日，證監(jiān)會官網(wǎng)IPO輔導(dǎo)公示系統(tǒng)顯示，度亙核芯與輔導(dǎo)券商國泰海通一同向江蘇證監(jiān)局提交《輔導(dǎo)工作完成報告》，輔導(dǎo)狀態(tài)更新為“輔導(dǎo)驗(yàn)收”，標(biāo)志著其歷時一年多的上市輔導(dǎo)工作基本完成，即將進(jìn)入正式IPO申報流程。
圖片來源：證監(jiān)會官網(wǎng)公示截圖
度亙核芯聚焦高功率GaN激光器與VCSEL領(lǐng)域，擁有覆蓋化合物半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)計、外延生長、器件工藝、芯片封裝、測試表征、可靠性驗(yàn)證以及功能模塊等全套工程技術(shù)能力和量產(chǎn)制造能力。
此外，芯邁半導(dǎo)體（功率半導(dǎo)體）推進(jìn)港股IPO，募資將用于PMIC芯片研發(fā)與車規(guī)級產(chǎn)線升級，投資方涵蓋大基金二期、小米、寧德時代等知名產(chǎn)業(yè)資本，彰顯產(chǎn)業(yè)資本對氮化鎵賽道的高度認(rèn)可。
除上述外，化合物半導(dǎo)體設(shè)備與封測領(lǐng)域也迎來上市熱潮。
4月21日，盛合晶微（先進(jìn)封測）正式登陸科創(chuàng)板，填補(bǔ)國內(nèi)化合物半導(dǎo)體先進(jìn)封測領(lǐng)域上市企業(yè)空白；4月24日，聯(lián)訊儀器（測試設(shè)備）在科創(chuàng)板上市，其自主研發(fā)的化合物半導(dǎo)體測試設(shè)備可廣泛應(yīng)用于GaN、SiC芯片測試場景。
3、結(jié)語
本輪化合物半導(dǎo)體IPO熱潮背后，是清晰的產(chǎn)業(yè)邏輯支撐。
一方面，AI服務(wù)器、高速光模塊、新能源汽車快充、6G基站建設(shè)等下游領(lǐng)域需求爆發(fā)，帶動化合物半導(dǎo)體需求持續(xù)增長；
另一方面，國家政策強(qiáng)力支撐，“十四五”規(guī)劃重點(diǎn)支持第三代半導(dǎo)體材料與器件，大基金二期重點(diǎn)投向高純材料、外延片等上游環(huán)節(jié)，助力降低對海外供應(yīng)鏈的依賴。
同時，國內(nèi)企業(yè)在高純鎵/銦提純、SiC外延、GaN芯片設(shè)計等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，逐步具備與海外巨頭競爭的實(shí)力，為資本化進(jìn)程奠定基礎(chǔ)。
（集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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