4月6日,釜山市政府宣布投資400億韓元(折合人民幣約2.14億元),在東南放射科學(xué)產(chǎn)業(yè)園區(qū)增建采用碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新一代材料的8英寸化合物功率半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)施,該項(xiàng)目已獲國(guó)家及市級(jí)基金資助。
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為構(gòu)建生產(chǎn)下一代功率半導(dǎo)體的生態(tài)系統(tǒng),釜山市...  [詳內(nèi)文]
韓國(guó)釜山將新建2座8英寸化合物半導(dǎo)體工廠 |
| 作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 04 月 09 日 10:37 | 分類 功率 |
